News：ニュース速報 2001年11月8日　05:20 PM 更新

シャープ，Winbondと次世代フラッシュメモリを共同開発

　シャープは11月8日，台湾の半導体メーカーWinbond Electronicsと次世代フラッシュメモリ技術を共同開発することで合意したと発表した。

　シャープが開発したメモリセル技術「ACT1」を使用した0.18μメートル／0.13μメートルのフラッシュメモリ技術を共同開発する。ACT1は，一般的なNOR型フラッシュメモリセルに比べ，メモリセルの面積を半分に縮小できる。同じ線幅とチップ面積で容量を2倍に拡大することが可能になる。特にモバイル機器向けに付加価値の高い製品を実現できる。Winbondはシャープに共同開発品のファウンダリ供給を行い，シャープは生産能力を確保する。製品販売は各社それぞれのブランドで展開する。

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