News：ニュース速報 2001年11月12日　08:11 PM 更新

東芝とSanDisk，1GビットNANDフラッシュメモリを開発

　東芝と米SanDiskは11月12日，1Gビットの容量を持つNAND型フラッシュメモリを開発，同日にサンプル出荷を開始したと発表した。世界で初めて「多値技術」を採用した点が特徴。

　多値技術では，メモリセルごとに「0/0」「0/1」「1/0」「1/1」の4つの値のいずれかをとることで2ビットのデータを記録できる。そのため，従来のメモリセルが「0」「1」の2値のみを記録するのに比べ，微細化することなく2倍のデータ容量を実現できる。

　新製品は，0.16μプロセス技術で製造された512Mバイト品に多値技術を採用することで1Gビットを達成した。サンプル価格は1万円で，2002年初めから月産30万個規模で量産を始める計画。チップ2個を積層することで2Gビットを実現する製品も12月のサンプル出荷開始を予定している。

　新製品は，11月12日に開幕した「COMDEX/Fall 2001」に出展する。

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