News：ニュース速報 2002年3月13日　07:26 PM 更新

三洋，世界初のイオン注入式青紫レーザーを開発

　三洋電機は3月13日，イオン注入技術を活用した青紫色半導体レーザー素子を世界で初めて開発したと発表した。従来方式と比べ，レーザーの低ノイズ化，省電力化が可能で，次世代大容量DVDに最適としている。


　InGaN（インジウムガリウムナイトライド）系化合物半導体を使った青紫色（405ナノメートル）レーザー素子。イオン化した原子に高電界をかけて半導体内部に打ち込む「イオン注入技術」を採用し，イオン注入層によりレーザー光のモード制御や電流狭窄を行うことで，レーザーの安定性を向上させる「ビーム安定型構造」を開発した。光ディスク要レーザーに必要な低ノイズ・低電流特性を実現した上，チップサイズの小型化が可能で，量産性も高いという。

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