エルピーダメモリは11月18日、1GビットDDR2 SDRAMの800Mbps動作に成功したと発表した。標準化が進められているDDR2-667(667Mbps)を上回る世界最高速となる。
100ナノメートルプロセスの1GビットDRAMについて、プロセスと回路設計を改良して高速化した。配線の低抵抗化を考慮した新レイアウトで高速化できた上、充放電電流も抑えた。
大容量品で高速動作と低消費電力を両立する設計手法を確立し、ハイエンドサーバ向け高付加価値品に活かしていく。
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東証1部に上場したエルピーダメモリの初値は公募価格を上回った。集めた資金はDRAM工場建設にあてる。今後は携帯電話、デジタル家電向けDRAMに注力し、シェアアップを狙う。
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