Intel、65nmフラッシュメモリをサンプル出荷

Intelは、65ナノメートル製造技術を使った1GビットNORフラッシュメモリチップのサンプル出荷を発表した。

[ITmedia]

　米Intelは4月4日、65ナノメートル（nm）製造技術を使ったマルチレベルセルの1GビットNORフラッシュメモリチップで初のサンプル出荷を発表した。サンプルは4〜6月期の後半に顧客向けに提供予定。

　IntelのNORフラッシュメモリは携帯電話や携帯メディアプレーヤーに採用されている。共通のフラッシュアーキテクチャ採用により、OEMは90nmから65nmへの移行が容易になると説明している。

　Intel副社長兼フラッシュメモリ部門ジェネラルマネジャー、ブライアン・ハリソン氏は「これにより、Intelは最先端の携帯機器向けNORフラッシュメモリ供給で引き続き業界をリードすることになる」とコメントしている。