Samsung、世界最小の1ギガDRAMを量産

80nmプロセス技術を1GビットのDRAMにも採用。現行の90nm技術のメモリの約半分のサイズとなるという。

[ITmedia]

　韓国Samsung Electronicsは8月29日、80ナノメートル（nm）プロセス技術を使用した1GビットのDDR2 DRAMの量産を開始したと発表した。現行の90nmプロセス技術に比べ、効率面やコスト面で有利なこの技術を使用し、世界最小の1GビットDRAMの製造を行う。

　80nm技術の1GビットのDRAMパッケージは、11×11.5ミリ。90nm技術の1Gビットチップの約半分となり、世界最小の1GビットDRAMチップとなる。現在、1GビットのDRAMチップは、2Gビット、4GビットのDRAMモジュール内で、2つ重ねて使用されている。チップのサイズが小さくなり、重ねる必要がなくなれば、製造プロセスの簡略化やコストの削減に加え、電気特性の全体的な向上にもつながるという。

　Samsungでは、2006年3月に512MビットのDDR2 DRAMの製造に80nmプロセス技術を導入して以来、導入対象を拡大。今回の1GビットDRAMへの採用により、すべての容量のDRAM製造に80nmプロセス技術が採用されたことになる。