UCLAとCaltech、超高密度分子メモリを開発

UCLAとCaltechの研究者らが、再構成可能な分子スイッチを利用して情報を保管する、「超高密度」メモリデバイスを開発した。

[ITmedia]

　カリフォルニア大学ロサンゼルス校（UCLA）とカリフォルニア工科大学（Caltech）は1月24日、再構成可能な分子スイッチを用いて情報を記録する「超高密度」メモリデバイスの開発に成功したと発表した。新メモリの開発により、将来的には今日のシリコンベースのコンピュータよりも、より小型かつ高性能なシステムの開発が期待できるという。

　160キロビットの新メモリでは、400本のナノワイヤ上にさらに400本のナノワイヤが垂直に交差している。この交差部分にある約300個の双安定ロタキサン分子がストレージ素子として機能する。この分子は2つの異なる状態の間で切り替わり、それがオン、オフのスイッチの機能を果たすという。

　新分子メモリは1平方センチ当たり1000億ビットの密度で設計されている。