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IntelとMicron、50nmプロセスの16GビットNANDフラッシュをサンプル出荷
IntelとMicronの合弁会社が、50ナノメートルプロセスによる、マルチレベルセル型16GビットNANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。
IntelとMicron Technologyは4月25日、50ナノメートル(nm)プロセスによる、マルチレベルセル(MLC)型16GビットNANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始したと発表した。製造は両社の合弁企業、IM Flash Technologiesが行っている。
IntelとMicronは現在、40nmプロセスによるNANDフラッシュメモリの開発にも取り組んでいる。
IM Flashは、アイダホ州ボイジー、およびバージニア州マナサスのMicron施設でNANDフラッシュメモリを製造しているほか、2007年2月からはユタ州リーハイの300nm工場でウエハーを製造している。さらに、シンガポール企業との提携により、シンガポールにも製造施設を建設する計画を発表している。
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