米IBMとTDKは8月20日、大容量MRAM(磁気抵抗メモリ)の研究開発を共同で開始したと発表した。次世代不揮発性メモリの大容量化に向け、両社の技術を持ち寄る。
「スピン注入磁化反転方式」を適用し、現行の「磁化反転方式」と比べメモリセルを小型化できるという。低コストな大容量化が可能になれば、携帯電話など幅広く機器に搭載できる道がひらけるとしている。
IBMはMRAM技術の研究開発を続けてきた。TDKは、MRAMの記憶素子となるMTJ(磁気トンネル接合)技術をHDDヘッドに導入してきた実績を持つ。
関連記事
- Freescale、MRAMの製品化を実現
次世代不揮発性メモリのMRAMを初めて製品化したとFreescaleが発表。4Mビットの「MR2A16A」を提供開始した。 - 東芝とNEC、MRAM基盤技術を確立
- MRAM実用化へ新技術相次ぐ
SRAM並みに早い不揮発性メモリ・MRAMの実用化に向け、富士通研、NEC・東芝が新技術を相次いで発表した。
関連リンク
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.