Intel、組み込みNOR型フラッシュで65nm製造プロセスへ移行
米Intelは8月21日、組み込み機器市場向けNOR型フラッシュメモリの製造を、65ナノメートル（nm）製造プロセスへ移行すると発表した。組み込みNOR型フラッシュメモリは主に家電製品、通信機器、産業用機器などに使用されている。顧客へのサンプル出荷は2008年前半に開始する予定という。
65nm製造プロセスへの移行により、製品のライフサイクルが一般製品よりも長い組み込み製品のサポートが行いやすくなり、高性能を実現しつつ、コストを抑制できるという。
移行の対象となるのはパラレルおよびシリアル製品の両方で、StrataFlash Embedded Memory（P30/P33）、Embedded Flash Memory（J3 v.D）、Serial Flash Memory（S33）が65nmプロセスで製造される予定。
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