Samsung、14nmプロセス採用の「Exynos 7 Octa」は20％高速で消費電力は35％削減：「GALAXY S6」にも搭載か

Samsungが、14nm FinFET（立体構造トランジスタ）プロセス採用の初モバイルプロセッサの量産に入った。3月1日に発表予定のGALAXY Sシリースの新端末にも同プロセス採用の「Exynos 7 Octa」が搭載される見込みだ。

[佐藤由紀子，ITmedia]

　韓国Samsung Electronicsは2月16日、14nm（ナノメートル）FinFET（立体構造トランジスタ）プロセス技術を採用する初のモバイルSoC「Exynos 7 Octa」の量産を開始したと発表した。このSoCは、3月1日に発表される同社の次期フラッグシップ端末（名称は「GALAXY S6」になるとみられる）に搭載される見込み。

14nm FinFETプロセス採用のExynos 7 Octa

　新プロセスを採用するSoCは、20nmプロセスを採用する現行のプロセッサと比較して20％高速化、35％省電力化し、生産性は30％増加するという。

　Samsungは「14nmのモバイルプロセッサの製造は、最先端のスマートフォンのさらなる性能向上を可能にすることでモバイル産業の成長に大きな影響を及ぼすだろう」としている。

　Samsungはこれまで、フラッグシップのGALAXY Sシリーズでは一部の地域向け以外はプロセッサに米QualcommのSnapdragonを採用してきたが、次期端末では発熱の問題でSnapdragon 810の採用をやめるとうわさされている。

　14nm FinFETプロセスは、2015年中に同社の他の製品でも採用していく計画という。

　米re/codeは2月4日、米Appleは次期iPhoneのプロセッサをSamsungに委託すると報じた。次世代「A9」はSamsungの14nm FinFETプロセス採用プロセッサになるのかもしれない。