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フラッシュメモリのエラー確率利用、データを指定時点で自動破壊 新メモリシステムを中央大が開発
フラッシュメモリのエラー確率を利用し、データの寿命をあらかじめ設定した時点で自動的に壊れるメモリシステムを中央大理工学部の研究グループが開発した。
データの寿命をあらかじめ設定し、その時点で自動的にデータが壊れるメモリシステムを、中央大学理工学部の研究グループが開発した。記憶媒体にフラッシュメモリを採用したシステムで、SNSに使えばプライバシー保護のための「忘れられる権利」を実現するとしている。
新システム「Privacy-protection Solid-State Storage(PP-SSS)System」は、フラッシュメモリに保存されたデータを、ユーザーが決めた時点で自動的に壊し再現不能にする仕組み。中央大理工学部の竹内健教授のグループが開発した。
フラッシュメモリのエラー確率が高い精度で予測できる特徴を利用し、データをメモリに書き込む時点で、寿命に応じた所定の数のエラーを意図的に注入。指定した時点でデータを壊し、誤りが訂正できないようにする。データを意図的に誤るように制御する仕組みのため、メモリデバイス自体は物理的には破損しておらず、再利用も可能という。
HDDや磁気テープ、DVDなど機械部品を使った従来の記憶媒体では、機械部分の疲労や破壊の予測が難しいため、データの寿命の予測や制御は困難だった。半導体製品のフラッシュメモリなら、リーク電流によるデータ破壊の予測が可能なため、データ寿命を自在に制御できるという。新システムを通じ、半導体メモリの新市場開拓も期待できるとしている。
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