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  • IGZOにスズを添加した材料と、同研究所の強誘電体材料でメモリデバイスを作製
  • 従来はメモリとプロセッサ間のデータ伝送が実行速度のボトルネックになっていた
  • 今回の技術ではプロセッサのすぐ上にメモリを実装できるため、ボトルネックの解決策になる
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