速報 2021年12月16日 IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」（要約） [ITmedia] IBMはSamsungとの強力で半導体設計のブレイクスルーを実現したと発表した「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで「ムーアの法則」を今後も維持できるとしている 続きを読む
