1つのメモリセルで保持できるビット数に応じて、NAND型フラッシュメモリは幾つかの種類に分類できる(表2)。1つのメモリセルで保持できるデータが1bitの「SLC」(Single Level Cell)、2bitの「MLC」(Multi Level Cell)、3bitの「TLC」(Triple Level Cell)などだ。間もなく1メモリセル当たり4bitを保持する「QLC」(Quad Level Cell)も利用可能になる。
種類 | 1メモリセル当たりの格納データ |
---|---|
SLC | 1bit(2段階の電荷量) |
MLC | 2bit(4段階の電荷量) |
TLC | 3bit(8段階の電荷量) |
QLC | 4bit(16段階の電荷量) |
NAND型フラッシュメモリはプレーナ(平面)型の2次元構造から、高密度アプリケーション用の3次元構造へ移行している。3次元NAND型は、信頼性の高い大きなメモリセルを有するとシャドリー氏は指摘。「3次元構造のTLCが、今後1〜2年で主流になる」と予想する。
シャドリー氏によると、NAND型フラッシュメモリはマネージド(Managed)とロー(Raw)の2種類に大きく分けることができる。
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