馬本隆綱

オンセミは、新たな冷却パッケージ技術を採用した「EliteSiC MOSFET」を発売した。電気自動車（EV）用充電器や太陽光発電システム用インバーター、産業用電源などの用途に向ける。

名古屋大学は東京科学大学や南洋理工大学と共同で、人工反強磁性体と圧電体を組み合わせれば、電界のみで層間反強磁性結合を制御できることを実証した。非磁性体の膜厚を変えれば、層間磁気結合の電界変調効率を制御可能なことも明らかにした。消費電力が極めて少ないスピントロニクスデバイスへの応用が期待できるという。

大日本印刷（DNP）は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ−（NIL）用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。

佐賀大学と宇宙航空研究開発機構（JAXA）および、ダイヤモンドセミコンダクターは、ダイヤモンドを用いてマイクロ波帯域（3〜30GHz）やミリ波帯域（30〜300GHz）で増幅動作が可能な「高周波半導体デバイス」を開発した。オフ時の耐電圧は4266Vで、電力利得の遮断周波数は120GHzだ。これらの値はいずれも世界最高レベルだという。

京都大学とKDDI総合研究所は公立千歳科学技術大学と共同で、宇宙光通信に向けた「周波数変調型フォトニック結晶レーザー」の開発に成功した。小型／軽量で高効率な衛星搭載型光送信機を実現することが可能になる。

大同特殊鋼は、発光窓の直径が35μmで125℃という高温環境で動作する赤外点光源LED「MED8P76A」を開発し、2025年12月からサンプル品の受注を始めた。

村田製作所は、外形寸法が3.2×2.5mmの3225Mサイズで、静電容量が最大15nFの積層セラミックコンデンサーを開発、量産を始めた。定格電圧は1.25kVで、温度が変化しても容量変化がほとんどないC0G特性に対応している。

キオクシアは2025年12月、椿本チエインやEAGLYSと共同で、物流工程における作業効率を改善し、コスト削減が可能となるAIソシューションを開発した。新商品などが追加されてもAI再学習のための新たな作業が不要である。

名古屋工業大学の研究グループはスペイン・バレンシア大学と共同で、超原子価硫黄フッ化物「ペンタフルオロスルファニル（SF5）基」および、「テトラフルオロスルファニル（SF4）基」を導入したベンゼン誘導体に、可視光（青色LED）を照射するだけで分子骨格を再構築できる「骨格編集反応」を開発した。PFASフリーのフッ素分子を設計するための基盤技術となる。【訂正あり】

リガクは、次世代メモリやAIチップなどの先端半導体製造ラインにおいて、ウエハーの膜厚や組成を高い精度で計測できるインラインX線膜厚／密度モニター「XTRAIA MF-3400」を開発、販売を始めた。同社にとって第4世代となる新製品は、従来機に比べ測定能力が最大2倍となった。

アンリツは、大容量光通信に用いられるマルチコア光ファイバーの伝送品質を評価するためのマルチチャネルファイバーテスター「MT9100A」を「業界で初めて」（同社）開発し、国内市場で販売を始めた。

東京科学大学らの研究グループは、ペロブスカイト型酸化物鉄酸ビスマスのビスマス（Bi）と鉄（Fe）を異種元素に置換することで、「強磁性」と「強誘電性」を併せ持ちながら、温度上昇で収縮する「負の熱膨張」を示す材料を開発した。消費電力が小さく高速アクセスが可能な磁気メモリの開発につながるとみている。

村田製作所とRUTILEAは、エッジAIカメラとAIソリューションを組み合わせ、製造現場の人手作業を可視化するモニタリングシステムを共同開発し、提供を始めた。工場における作業手順や作業工数の管理を、より高度化することができる。

ヌヴォトン テクノロジーは、直径が5.6mmのCANパッケージ（TO-56）を採用しながら、波長402nm帯で光出力1.7Wを実現した紫色半導体レーザー「KLC435FS01WW」を開発、2026年3月より量産を始める。独自のチップ設計と放熱設計技術により、小型で高出力、長寿命を実現した。

大阪大学らによる国際共同研究チームは、半導体デバイスの熱問題を解決するための新たな冷却技術を開発した。開発したナノデバイスは、電界効果でイオンの流れを制御でき、「冷却」と「加熱」の機能を同じデバイスで切り替えられる。

東京エレクトロンは、開発／製造子会社の東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ（岩手県奥州市）に建設していた「東北生産・物流センター」が完成、竣工式を行った。生産・物流現場の柔軟性や効率性を高め、拡大する市場や多様化する技術ニーズへの対応力を強化する。

住友化学は、台湾の半導体用プロセスケミカル企業「Asia Union Erectronic Chemical Corporation（AUECC）」の全株式を取得することで合意した。関係当局の承認などの必要手続きを経て、買収が完了する。

富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（FFEM）の静岡工場内に建設していた新棟が竣工し、稼働を始めた。次世代半導体向け新規材料の開発／評価を行う。重点事業と位置付ける半導体材料事業において新規材料の開発を加速するとともに、高品質な製品の安定供給を実現していく。

静岡大学と分子科学研究所は、実験で観測できない「隠れた反応経路」を再現／予測できるアルゴリズムを開発した。AIによって導かれた「潜在変数」が、化学反応の本質的理解や有機分子材料の設計に役立つことを示した。

STマイクロエレクトロニクスは、STM32マイコン向けに最適化された学習済みAIモデルライブラリ「STM32 AI Model Zoo」に新たなモデルを追加した。併せてプロジェクトサポートも強化する。

三菱電機は、鉄道向け長距離LiDARを開発した。鉄道車両の運転席に搭載すれば、600m先にいる人を検知できる。鉄道沿線に定点設置すれば、600m先にある20cm程度の落下物を検知することができるという。

サンケン電気は、外付けマイコンが不要な高圧3相モーター用ドライバーIC「SIM262xM」シリーズとして、定格電圧600V、定格電流5.0Aの「SIM2622M」を開発し量産を始めた。定格電流が2.5Aの「SIM2621M」も開発中である。

東京科学大学の研究グループは、昼夜を問わず自動的に複数のIoT端末に電力を供給できる「LED光無線給電（OWPT）システム」を開発した。

東芝は、リチウムイオン二次電池「SCiB」セルを用いた「鉄道車両向けハイパワーバッテリーモジュール」を新たに開発した。従来に比べ約3倍という高出力で充放電が行えるため、回生エネルギーを効率よく蓄電し、有効に活用することが可能となる。

東レリサーチセンター（TRC）は、京都大学化学研究所の若宮淳志教授と連携し、ペロブスカイト太陽電池の層構造を忠実に反映して解析できる技術を開発し、この技術を用いて「受託分析サービス」を始めると発表した。

Armは、NVIDIAとの協力関係を拡大していく。NVIDIAの高速インターコネクト技術「NVLink Fusion」への対応を、ArmのITインフラストラクチャ向けプラットフォーム「Arm Neoverse」全体に拡大する。これにより、AIデータセンターにおいてArmプラットフォームの採用を一段と加速させる。

スタンレー電気は、京都大学の野田研究室および、日亜化学工業と共同開発したフォトニック結晶レーザー「PCSEL」を用い、高指向性ビームの生成に成功した。さらに、水中での高精度センシングが可能なことを実証した。

OKIサーキットテクノロジー（OTC）は、AIデータセンター向け装置などに用いられる多層プリント基板の開発期間を短縮できる「高周波ビア高精度シミュレーション技術」を開発した。伝送速度が1.6Tビット/秒クラスの多層プリント基板におけるビア特性を最適化でき、適切な信号特性を実現できる。

GSアライアンスは、負極にアルミニウム、電解質に水系電解液を用いたアルミニウムイオン二次電池を開発した。水系電解液を用いたことで安全かつ環境にも優しく、コストダウンが可能となる。

日本ガイシは、チップレット集積工程で半導体チップを一時的に固定するための支持材となる「ハイセラムキャリア」について、2027年度までに生産能力を約3倍に増強する。

太陽ホールディングス（太陽HD）は、imecとの共同研究で、次世代半導体パッケージング用材料「FPIMシリーズ」を用い、直径12インチ（300mm）のウエハー上でCD（クリティカルディメンション）1.6μmの3層RDL（再配線層）を形成することに成功した。この成果を「14th IEEE CPMT Symposium Japan（ICSJ2025）」で発表した。

信越化学工業は、300mm GaN専用の成長基板である「QST基板」を用い、imecが5μm厚のGaN HEMT構造を作製し、650Vを超える高耐圧を達成した。「SEMI規格に準拠した300mm基板としては世界最高の破壊電圧」（同社）だという。

サトーは、ミクロンサイズの銅粉を用いたペーストと製造プロセスを開発し、RF IDアンテナを印刷方式で作製することに成功した。アルミや銀を用いる従来方式に比べ、高い導電性や品質の安定性を実現しつつ、製造コストの削減を可能にした。

ルネサス エレクトロニクスは、サーバ用DDR5レジスタードDIMM（RDIMM）に向けて、9600Mトランスファー/秒というデータ転送速度を実現したレジスタードクロックドライバー（RCD）IC「RRG5006x」を開発した。一部ユーザーに対してサンプル出荷を始めていて、2027年上半期より量産を始める。

日本製鋼所は、千葉県柏市の柏の葉キャンパスエリアに新たな研究開発拠点となる「中央研究所（仮称）」を設置する。2027年度下期より運用を始める予定。

東京都立大学と鳥取大学の研究グループは、全固体電池に向けた固体電解質材料開発において、高い導電性と安定性を両立させるための新たな原理を解明した。この原理は、リチウム系に限らず他のイオン種にも応用できるという。

三菱ガス化学は、半導体パッケージ用BT積層材料（BT材）の生産拠点であるタイの工場において能力増強工事が完了し、2025年12月から商業運転を始めると発表した。これによって生産能力は従来の約2倍となる。

日本材料技研は、負熱膨張材料「BNFO」について、年産1トン以上の量産体制を確立するとともに、高耐熱グレード品「BNFO-HT」を開発した。精密樹脂成型部品や導電性ペースト、接着剤など、高温プロセスを伴う産業用途への適用が可能となる。

矢野経済研究所によると、半導体製造装置向けファインセラミックス部材の世界市場は、2030年に1.6兆円を突破する見通しである。今後は、耐プラズマ性や高温耐性、高熱伝導性などに優れたファインセラミックスを用いた部材の需要拡大が見込まれるという。

東北大学は、使用済みリチウムイオン電池（LIB）の浸出液から、リチウムを効率よく回収できる新たな「膜分離プロセス」を確立した。こうして得られた透過液を濃縮・再結晶化したところ、化学薬品を使わずに純度99％以上の電池級炭酸リチウムを得ることに成功した。

Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。

立命館大学は、ペルフルオロアルキル化合物（PFAS）の中でも分解が難しいとされてきた「ペルフルオロオクタンスルホン酸（PFOS）」を分解し無害化することに成功した。生成したフッ化イオンは、ホタル石（フッ化カルシウム）として再利用が可能だという。

SEMIによると、2025年第3四半期（7〜9月）の世界シリコンウエハー出荷面積は前年同期に比べ3.1％増加し、33億1300万平方インチになった。2025年第2四半期に比べると0.4％減少した。

産業技術総合研究所（産総研）先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。

山口大学や大阪大学、立命館大学、ファインセラミックセンター（JFCC）らによる共同研究グループは、弱酸性水溶液中における二酸化マンガン（MnO2）の析出／溶解反応を利用し、2電子移動によって可逆的に動作する「水系亜鉛−マンガン二次電池」を開発した。

JSRとIBMは2025年11月、AIを活用して半導体材料の開発を強化するため、共同研究契約を結んだ。両社は化学産業に特化したAIの共同研究プログラムをスタートさせる。

東京科学大学の菅原聡准教授らによる研究グループは、0.2Vという極めて低い電圧でデータを保持できるCMOSメモリ技術を開発した。試作したSRAMマクロは、待機時の電力を不揮発性メモリ並みに削減できるという。

アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。

ソシオネクストは、RTLレベルで設定を変更できるチップレット設計ライブラリ「Flexlets（フレックスレッツ）」を発表した。機能が固定された従来のチップレットとは異なり、進化したFlexletsは顧客の要求に応じて性能や機能を柔軟に最適化できる。

大阪大学は、小型エッジデバイスに搭載し、その内部でリアルタイム学習と予測機能を実現できる「エッジデバイスAI」を開発した。最新の深層学習による予測手法と比べ、最大で10万倍も高速化でき、精度は60％も向上させた。消費電力は1.69W以下である。