News：日立、書き込み速度10Mバイト／秒のフラッシュメモリを開発

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2002年7月10日　04:15 PM 更新

　日立製作所は7月10日、10Mバイト／秒の高速書き込みを実現した1Gビット多値フラッシュメモリ「HN29V1G91」を開発したと発表した。

　書き込み方式に「ホットエレクトロン方式」を採用し、チップ内部で4バンク同時書込みを実現することで、書き込みスピードを従来比で約5倍に高速化した。

　また0.13μプロセスと2001年12月に発表したAND型フラッシュメモリセル「AG（Assist Gate）-AND」（2001年12月の記事参照）を採用することで、チップ面積を同社の512MビットAND型フラッシュメモリに比べて約80％に小型化した。

　起動時にコマンドやアドレス入力がなくとも、最大2Kバイトのデータ読出しができる「パワーオンリード機能」をサポートしたほか、書込み中にキャッシュプログラムする機能、や消去中に書き込みができる機能を備えている。またNANDインタフェースを採用した。

　10月にサンプル出荷を開始する予定。サンプル価格は8000円。

　同社は今後、「HN29V1G91」を搭載した1Gバイトのコンパクトフラッシュと256Mバイトのマルチメディアカードを開発するとしている。

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