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R. Colin Johnson、畑陽一郎

R. Colin Johnson、畑陽一郎がアイティメディアで執筆した記事一覧です。

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メモリ/ストレージ技術 ReRAM:

ReRAM(Resistive Random Access Memory:抵抗変化メモリ)は高速に書き換えでき、書き込み動作に必要な電圧もNAND型フラッシュ・メモリの1/10程度と低い。フラッシュ・メモリを置き換える可能性がある不揮発メモリとして期待を集めている。

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