馬本隆綱

エリクソンは、横浜・みなとみらい21地区に「新R＆Dセンター」を開設する。同センターではグローバルおよび、日本市場向けの先進的な無線ハードウェア／ソフトウェアの開発に注力する。

ルネサス エレクトロニクスは、車載向けSoCにおいて高いAI処理性能を実現しつつ、チップレット構成でも機能安全規格に対応できる技術を開発した。これらの技術は3nmプロセス採用の車載マルチドメインECU用SoC「R-Car X5H」のために開発したものだ。同社はR-Car X5Hを、SDV（Software Defined Vehicle）時代に対応する車載用SoCとして提案していく。

スタンレー電気と東京大学は共同で、植物栽培用の人工光源に赤色レーザーダイオード（LD）を用いれば、従来の発光ダイオード（LED）よりも、高い成長促進効果が得られることを「世界で初めて」（両者）実証した。

オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。

ロームは、新型SiCモジュールを搭載した「3相インバーター回路向けレファレンスデザイン」を自社のウェブサイト上に公開した。設計者はこの設計データを用いて駆動回路用基板を作製し、SiCモジュールと組み合わせることで、実機による評価工数を削減することが可能となる。

ルネサス エレクトロニクスは、米国における半導体製造を加速させるため、GlobalFoundries（GF）と数十億米ドル規模の製造パートナーシップを結び、戦略的協業を拡大する。

STマイクロエレクトロニクスとNanoXploreは、NanoXplore製の耐放射線SoC FPGA「NG-ULTRA」が、欧州の宇宙用途向け規格「ESCC 9030」の認定を取得したと発表した。今後、IRIS2を含め多くの衛星用機器システムに搭載される見通しである。

アプライド マテリアルズ（AMAT）は、2nm以降のGAAトランジスタを集積するAIチップの性能を、さらに向上させることができる半導体製造装置3種類を発表した。既に複数の大手ファウンドリーやロジックICメーカーが新製品を導入し、活用しているという。

JX金属は、光通信の受発光素子などに用いられる「インジウムリン（InP）基板」を増産するため、新たに約200億円を追加投資し、磯原工場（茨城県北茨城市）の生産能力を増強する。2030年にはInP基板の生産能力が2025年に比べ約3倍に増える。

SEMIは、SEMI Silicon Manufacturers Group（SMG）による分析結果を基に2025年のシリコンウエハー世界市場を発表した。シリコンウエハーの出荷量（面積）は前年比で5.8％増の129億7300万平方インチとなったが、販売額は同1.2％減の114億米ドルだった。先端半導体とレガシー半導体でその動向は大きく分かれた。

京都工芸繊維大学と中央大学は、産業技術総合研究所（産総研）の協力を得て、半導体カーボンナノチューブ（CNT）を用い、冷却しなくても動作する「高感度赤外線センサー」を開発した。従来の材料を用いた場合に比べ検出感度は約11倍も高いという。

京セラは、位相ジッタが30フェムト秒という低ノイズを実現した差動クロック用水晶発振器「Xシリーズ」を開発、量産を始めた。位相ジッタが極めて小さいため、AIサーバなど高速かつ大容量のデータ通信を行う用途に向ける。

東京化成工業は、産業技術総合研究所（産総研）とAIST Solutionsが開発したペロブスカイト太陽電池向け材料「OA-TFSI」を製品化し、一般販売を始めた。ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送材料の原料溶液に添加すれば、太陽電池の性能を向上できる。

山梨大学、早稲田大学および信州大学の研究グループは、固体高分子形燃料電池（PEFC）の性能と耐久性を大きく向上させる「プロトン導電性電解質膜」を開発した。この高分子複合膜にはフッ素が含まれておらず、PFAS規制の影響も受けないという。

三菱マテリアルは、自動車や鉄道車両などに搭載される高出力パワーモジュール用の「焼結型銅接合材料」を開発した。「銅ペースト」と「銅シート」の2タイプから選べる。従来の銀焼結材料に匹敵する低温焼結性を実現した。

産業技術総合研究所（産総研）およびAIST Solutionsは、本田技研工業の研究開発子会社である本田技術研究所と連携し、モビリティ用ダイヤモンドパワー半導体やこれを応用した電子デバイスの開発拠点を産総研内に設立した。

村田製作所の生産子会社である福井村田製作所（福井県越前市）において2023年11月から建設を進めてきた「セラミックコンデンサー研究開発センター」が完成し、2026年2月5日に竣工式を行った。同センターは2026年3月30日に開業の予定だ。

スタンレー電気は、岩崎電気の全株式を取得し2026年4月1日をもって連結子会社にする。これを機にスタンレー電気は、公共インフラや産業分野といった新たな領域で電子事業を強化していく。

本田技研工業（ホンダ）は、米Mythicへ出資するとともに、次世代のSDV（ソフトウェアデファインドビークル）に搭載する「ニューロモルフィックSoC」を共同開発していく。

早稲田大学の研究グループは、AlN薄膜をYbNと合金化することによって、AlNの結晶構造を保持したまま、熱伝導率をガラスに近い値まで低減できることを見出した。電子デバイスや化学反応炉における断熱材料などへの応用に期待する。

堀場製作所のグループ会社であるホリバ・インドは、人工ダイヤモンドの研究開発を手掛けるインドのスタートアップ「Pristine Deeptech」の全株式を取得し、子会社化した。これを機にインドを、ダイヤモンドウエハーを含む先端材料の実用化と普及に向けた分析／計測ソリューションの研究開発拠点と位置づける。

イビデンは、AIサーバなどに向けた高機能ICパッケージ基板の生産能力を増強する。関連する事業場に対し、2026〜2028年度の3年間で総額約5000億円規模の設備投資を計画している。

キヤノンとNTT東日本は、新たな映像体験の創出に向けて協業する。高速で大容量、低遅延の通信を可能にする商用サービス「All-Photonics Connect powered by IOWN」を活用した、フレキシブルな「ボリュメトリックビデオシステム」の構築に向けて、技術検証を始めた。

産業技術総合研究所（産総研）とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド／シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。

東京科学大学の平松秀典教授らによる研究チームは、光らないスピネル型結晶を、「効率よく光が出せる結晶」に変えることができる半導体材料を発見した。この材料は、電気の流れを制御することが可能なことも確認した。

NECは、5G基地局無線機（RU）に向けたSub 6GHz帯域用パワーアンプモジュール（PAM）を開発した。従来の一般的なPAMに比べて消費電力を10％削減した。外形寸法も10×6mmと小さい。

OKIは、ドイツの研究機関「Fraunhofer Heinrich Hertz Institute（Fraunhofer HHI）」と、5年間の包括的共同研究契約を結んだ。光センシングや光通通信分野に向けて、超小型で高性能、省電力の各種センサーや通信モジュールなどを共同開発し、2027年以降にも商用化していく。

大阪大学は、光回路によるスケーラブルなレーザー光配送構成を考案した。これによって、1チップ当たり数百量子ビットを扱えるイオントラップ量子コンピュータの実現可能性を示した、としている。レーザー光源の改良などが進めば、考案した光回路で数千量子ビットを制御できるとみている。

京都大学はグラーツ工科大学と共同で、有機半導体薄膜の構造を分子レベルで解明することに成功した。特に今回は、これまで曖昧であった単分子膜相の構造を、薄膜相と区別して直接識別できたという。

三菱電機と京都大学は共同で、高配向性熱分解グラファイト（HOPG）に対する疲労試験の方法を確立するとともに、HOPGの自己復元特性を初めて確認した。HOPGを素材とするMEMSの長寿命化を実現するとともに、MEMSを搭載するスマートフォンや車載システムの信頼性向上が可能となる。

富士経済によると、ペロブスカイト太陽電池（PSC）に用いられる主な部材のうち、バリアフィルムの市場規模は2040年に8877億円、TCO基板（透明導電膜付き基板）市場は5642億円に達する見通しだ。

熊本大学の研究グループは、固体電解質に酸化グラフェンを用いた燃料電池で、最大出力密度を0.7Wcm-2まで高めることに成功した。酸化グラフェン膜と電極との界面抵抗を大きく減少させることによって高い性能を実現した。

理化学研究所（理研）は、磁性体の単結晶から直接、ナノスケールの「らせん型デバイス」を削り出す技術を開発したと発表。作製した立体構造は、電流が一方向のみに流れやすいダイオード的な挙動を示した。

東芝は物質・材料研究機構（NIMS）と共同で、磁気ヘッド内のスピントルク発振素子（STO）について、発振状態を直接評価できる手法を開発した。ニアラインHDDのさらなる大容量化を可能にする「共鳴型マイクロ波アシスト磁気記録（MAS-MAMR）」技術の実用化に弾みをつける。

千葉大学やNHK放送技術研究所、京都大学らの共同研究チームは、1つの素子で「太陽光発電」と「発光」という2つの機能を備えた「発電できる有機EL素子」を開発した。

物質・材料研究機構（NIMS）や東京大学らの研究グループは、MOCVD（有機金属化学気相成長）法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン（MoS2）」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。

住友ベークライトは、厚みが0.2mmと極めて薄く耐トラッキング性に優れた「絶縁用難燃ポリカーボネートシート」を開発した。電動車（xEV）用のオンボードチャージャーや駆動用インバーター、産業機器用の高電圧電源装置などにおける絶縁材料として提案していく。

マクセルは、ER電池（塩化チオニルリチウム電池）とサイズ互換の「全固体電池モジュール」を開発した。出力電圧は3.6Vで標準容量は35mAhを確保している。

ザインエレクトロニクスは、台湾iCatch Technologyと協業し、自動運転や自律システムに向けた「全方位センシングソリューション」を開発した。「Automotive World Japan 2026」（2026年1月21〜23日、東京ビッグサイト）のiCatchブースで共同デモを行う。

住友ベークライトは、車載用パワーモジュールなどに向けた放熱絶縁シート「BLA-6051」を開発した。放熱性と絶縁性に優れ、日本発条が開発した樹脂絶縁基板の絶縁層に用いられている。この基板がデンソー製車載インバーターのパワーモジュールに採用された。

日本原子力研究開発機構と東京大学、東北大学および、富山県立大学の研究グループは、微小な磁石（電子のスピン）がジグザグに並んだ金属で、電気の流れを制御することに成功した。「非相反伝導」と呼ばれるこの現象は、外部磁場をかけるこれまでの方式に比べて、その効果が1000倍以上も大きいことを確認した。

日本半導体製造装置協会（SEAJ）は、半導体およびFPD製造装置について、日本製装置や日本市場における販売高の予測結果をまとめた。これによると、日本製の半導体およびFPD製造装置を合算した販売高は、2025年度見込みの約5兆2600億円に対し、2027年度は約6兆円と予測した。

三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。

学と三重大学、ウシオ電機および日本製鋼所の研究グループは、安価なサファイア基板を用いて深紫外（UV-B）半導体レーザーを開発、318nm波長で室温連続発振（CW）に成功した。医療機器や産業機器に向けた光源として期待される。

三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明した。これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。

ヤマハ発動機は、高速で高精度な実装を実現しながら、12インチウエハーへの対応や大型基板搬送を可能にしたハイブリッドプレーサー「YRH10W」を開発、2026年3月より発売する。NEV（New Energy Vehicle）に向けたパワー半導体モジュール製品などの製造工程において、生産性や品質の向上が可能となる。

SEMIによれば、2025年第3四半期（7〜9月）における電子システム設計（ESD）業界の売上高が約56億米ドルとなった。前年同期に比べ8.8％の増加だ。特に、APAC（アジア太平洋）地域における調達額は、前年同期比で約20％増と大きく伸びた。

キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を応用し、ウエハーを平たん化する「IAP（Inkjet-based Adaptive Planarization）」技術を開発した。2027年中にも製品化する予定だ。300mmウエハー全面を一括押印すれば、製造工程で生じる表面の凹凸を5nm以下に抑えられる。

産業技術総合研究所（産総研）と物質・材料研究機構（NIMS）は、鉄−マンガン基合金の磁性超薄膜を用いて磁気メモリスタを開発するとともに、これらを使って脳におけるシナプスの機能を模倣することに成功した。脳の機能をハードウェアで模擬する「ブレインモルフィックシステム」への応用に期待する。

名古屋大学の研究グループと東京エレクトロン宮城は、ウエハーを冷却しフッ化水素（HF）プラズマを用いる反応性イオンエッチング（RIE）プロセスのメカニズムを明らかにした。SiO2（二酸化ケイ素）膜のエッチング速度を従来プロセスに比べ5倍も向上させた。エッチングガスにHFを用いるため環境負荷も低減できるという。