ダイヤモンドウエハー実用化に向け:
堀場製作所のグループ会社であるホリバ・インドは、人工ダイヤモンドの研究開発を手掛けるインドのスタートアップ「Pristine Deeptech」の全株式を取得し、子会社化した。これを機にインドを、ダイヤモンドウエハーを含む先端材料の実用化と普及に向けた分析/計測ソリューションの研究開発拠点と位置づける。
2026〜2028年度の3年間で:
イビデンは、AIサーバなどに向けた高機能ICパッケージ基板の生産能力を増強する。関連する事業場に対し、2026〜2028年度の3年間で総額約5000億円規模の設備投資を計画している。
IOWNを活用:
キヤノンとNTT東日本は、新たな映像体験の創出に向けて協業する。高速で大容量、低遅延の通信を可能にする商用サービス「All-Photonics Connect powered by IOWN」を活用した、フレキシブルな「ボリュメトリックビデオシステム」の構築に向けて、技術検証を始めた。
1200℃の高温接合で熱反りが減少:
産業技術総合研究所(産総研)とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド/シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。
電気の流れ方自体も制御が可能に:
東京科学大学の平松秀典教授らによる研究チームは、光らないスピネル型結晶を、「効率よく光が出せる結晶」に変えることができる半導体材料を発見した。この材料は、電気の流れを制御することが可能なことも確認した。
従来品に比べ消費電力を10%削減:
NECは、5G基地局無線機(RU)に向けたSub 6GHz帯域用パワーアンプモジュール(PAM)を開発した。従来の一般的なPAMに比べて消費電力を10%削減した。外形寸法も10×6mmと小さい。
5年間の包括的共同研究契約を締結:
OKIは、ドイツの研究機関「Fraunhofer Heinrich Hertz Institute(Fraunhofer HHI)」と、5年間の包括的共同研究契約を結んだ。光センシングや光通通信分野に向けて、超小型で高性能、省電力の各種センサーや通信モジュールなどを共同開発し、2027年以降にも商用化していく。
チップ当たり数百量子ビットを制御:
大阪大学は、光回路によるスケーラブルなレーザー光配送構成を考案した。これによって、1チップ当たり数百量子ビットを扱えるイオントラップ量子コンピュータの実現可能性を示した、としている。レーザー光源の改良などが進めば、考案した光回路で数千量子ビットを制御できるとみている。
DNTT薄膜に3つの異なる結晶相:
京都大学はグラーツ工科大学と共同で、有機半導体薄膜の構造を分子レベルで解明することに成功した。特に今回は、これまで曖昧であった単分子膜相の構造を、薄膜相と区別して直接識別できたという。
加速度センサーなどを長寿命に:
三菱電機と京都大学は共同で、高配向性熱分解グラファイト(HOPG)に対する疲労試験の方法を確立するとともに、HOPGの自己復元特性を初めて確認した。HOPGを素材とするMEMSの長寿命化を実現するとともに、MEMSを搭載するスマートフォンや車載システムの信頼性向上が可能となる。
バリアフィルムとTCO基板:
富士経済によると、ペロブスカイト太陽電池(PSC)に用いられる主な部材のうち、バリアフィルムの市場規模は2040年に8877億円、TCO基板(透明導電膜付き基板)市場は5642億円に達する見通しだ。
界面抵抗を低減する設計手法を開発:
熊本大学の研究グループは、固体電解質に酸化グラフェンを用いた燃料電池で、最大出力密度を0.7Wcm-2まで高めることに成功した。酸化グラフェン膜と電極との界面抵抗を大きく減少させることによって高い性能を実現した。
FIBを用い3次元デバイスを作製:
理化学研究所(理研)は、磁性体の単結晶から直接、ナノスケールの「らせん型デバイス」を削り出す技術を開発したと発表。作製した立体構造は、電流が一方向のみに流れやすいダイオード的な挙動を示した。
大容量のニアラインHDD開発へ:
東芝は物質・材料研究機構(NIMS)と共同で、磁気ヘッド内のスピントルク発振素子(STO)について、発振状態を直接評価できる手法を開発した。ニアラインHDDのさらなる大容量化を可能にする「共鳴型マイクロ波アシスト磁気記録(MAS-MAMR)」技術の実用化に弾みをつける。
発光と発電効率のトレードオフ克服:
千葉大学やNHK放送技術研究所、京都大学らの共同研究チームは、1つの素子で「太陽光発電」と「発光」という2つの機能を備えた「発電できる有機EL素子」を開発した。
2つの成膜メカニズムを解明:
物質・材料研究機構(NIMS)や東京大学らの研究グループは、MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン(MoS2)」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。
耐トラッキング性は800V相当:
住友ベークライトは、厚みが0.2mmと極めて薄く耐トラッキング性に優れた「絶縁用難燃ポリカーボネートシート」を開発した。電動車(xEV)用のオンボードチャージャーや駆動用インバーター、産業機器用の高電圧電源装置などにおける絶縁材料として提案していく。
出力電圧3.6V、容量35mAh:
マクセルは、ER電池(塩化チオニルリチウム電池)とサイズ互換の「全固体電池モジュール」を開発した。出力電圧は3.6Vで標準容量は35mAhを確保している。
自動運転などに向け:
ザインエレクトロニクスは、台湾iCatch Technologyと協業し、自動運転や自律システムに向けた「全方位センシングソリューション」を開発した。「Automotive World Japan 2026」(2026年1月21〜23日、東京ビッグサイト)のiCatchブースで共同デモを行う。
デンソーがパワーモジュールに採用:
住友ベークライトは、車載用パワーモジュールなどに向けた放熱絶縁シート「BLA-6051」を開発した。放熱性と絶縁性に優れ、日本発条が開発した樹脂絶縁基板の絶縁層に用いられている。この基板がデンソー製車載インバーターのパワーモジュールに採用された。
外部磁場なしに非相反伝導が出現:
日本原子力研究開発機構と東京大学、東北大学および、富山県立大学の研究グループは、微小な磁石(電子のスピン)がジグザグに並んだ金属で、電気の流れを制御することに成功した。「非相反伝導」と呼ばれるこの現象は、外部磁場をかけるこれまでの方式に比べて、その効果が1000倍以上も大きいことを確認した。
全年度で予測額を上方修正:
日本半導体製造装置協会(SEAJ)は、半導体およびFPD製造装置について、日本製装置や日本市場における販売高の予測結果をまとめた。これによると、日本製の半導体およびFPD製造装置を合算した販売高は、2025年度見込みの約5兆2600億円に対し、2027年度は約6兆円と予測した。
電力損失はプレナー型のほぼ半分:
三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車(EV)のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。
量産に適したサファイア基板で:
学と三重大学、ウシオ電機および日本製鋼所の研究グループは、安価なサファイア基板を用いて深紫外(UV-B)半導体レーザーを開発、318nm波長で室温連続発振(CW)に成功した。医療機器や産業機器に向けた光源として期待される。
シリコン中の水素が自由電子を生成:
三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明した。これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。
12インチウエハーや大型基板に対応:
ヤマハ発動機は、高速で高精度な実装を実現しながら、12インチウエハーへの対応や大型基板搬送を可能にしたハイブリッドプレーサー「YRH10W」を開発、2026年3月より発売する。NEV(New Energy Vehicle)に向けたパワー半導体モジュール製品などの製造工程において、生産性や品質の向上が可能となる。
APAC地域の調達額が大きく伸びる:
SEMIによれば、2025年第3四半期(7〜9月)における電子システム設計(ESD)業界の売上高が約56億米ドルとなった。前年同期に比べ8.8%の増加だ。特に、APAC(アジア太平洋)地域における調達額は、前年同期比で約20%増と大きく伸びた。
ウエハー表面の凹凸を5nm以下に:
キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を応用し、ウエハーを平たん化する「IAP(Inkjet-based Adaptive Planarization)」技術を開発した。2027年中にも製品化する予定だ。300mmウエハー全面を一括押印すれば、製造工程で生じる表面の凹凸を5nm以下に抑えられる。
授記記憶層に鉄−マンガン基合金:
産業技術総合研究所(産総研)と物質・材料研究機構(NIMS)は、鉄−マンガン基合金の磁性超薄膜を用いて磁気メモリスタを開発するとともに、これらを使って脳におけるシナプスの機能を模倣することに成功した。脳の機能をハードウェアで模擬する「ブレインモルフィックシステム」への応用に期待する。
ウエハーを冷却しHFプラズマ使用:
名古屋大学の研究グループと東京エレクトロン宮城は、ウエハーを冷却しフッ化水素(HF)プラズマを用いる反応性イオンエッチング(RIE)プロセスのメカニズムを明らかにした。SiO2(二酸化ケイ素)膜のエッチング速度を従来プロセスに比べ5倍も向上させた。エッチングガスにHFを用いるため環境負荷も低減できるという。
Boschが統合プラットフォームに採用:
NXP Semiconductorsは、自動車の機能をソフトウェアで定義するSDV(ソフトウェア定義型自動車)に向けたプロセッサ「S32N7」シリーズを発表した。Boschは自動車統合プラットフォームにS32N7を採用した。
開発リスクを軽減し市場投入を加速:
ケイデンスは、フィジカルAIやデータセンター、高性能コンピューティング(HPC)などに向けたチップレットの開発期間を短縮するための「パートナーエコシステム」を発表した。Samsung FoundryやArmらと協業し、Cadence Physical AIチップレットプラットフォームをベースとした「事前検証済みチップレットソリューション」を提供していく。
環境適合性に優れた材料を用い:
東北工業大学と東北大学の研究グループは、InAsコロイド量子ドット溶液を用いて単一電子トランジスタ(SET)構造を作製し、SETが室温で動作することを実証した。
200GOPS超のAI性能:
米Ambiq Microは、エッジAIデバイスに向け、ニューラルプロセッシングユニット(NPU)搭載の超低消費電力SoC(System on Chip)「Atomiq」を開発した。独自の「SPOT(スポット:サブスレッショルド電力最適化技術)」を活用し、エッジAIデバイスにおいて高い演算性能と低消費電力の両立を実現している。
一部顧客に対しサンプル出荷開始:
キオクシアは、クライアントPC向けのSSD「KIOXIA BG7シリーズ」を開発し、一部顧客に対しサンプル出荷を始めた。CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術採用の第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを初搭載したクライアントPC向けSSDだ。
「TDK AIsight」立ち上げ:
TDKは、AIグラス向けのシステムソリューション事業を展開するため、「TDK AIsight」を本格的に立ち上げるとともに、TDK AIsightが開発したAIグラス向けマイクロプロセッサ「SED0112」のサンプル出荷を始めた。
研究開発も加速:
STマイクロエレクトロニクスは、欧州投資銀行(EIB)と5億ユーロの融資契約を結んだ。STはイタリアおよびフランスにおける研究開発の加速と、ICチップの量産に向けた投資を行う。
経営資源をIC設計や前工程に集中:
トレックス・セミコンダクターは、連結子会社でパッケージ製造を担う「TOREX VIETNAM SEMICONDUCTOR(TVS)」について、トレックスが保有する株式の95%を台湾の垂直統合型メーカー(IDM)の「PANJIT INTERNATIONAL(PANJIT)」に譲渡する契約を結んだ。
600℃まで5分で起動し手で持てる:
太陽誘電は、東京科学大学未来産業技術研究所や東京理科大学、フタバ産業と共同で、高い断熱性と耐熱性を実現したカンチレバー構造の「マイクロリアクター」を開発した。これにより、固体酸化物形燃料電池(SOFC)を手のひらサイズまで小型化できる。しかも内部温度が600℃以上で発電中でも、デバイスは手で持てるほど断熱性に優れているという。
転換期迎える:
富士経済によると、炭化ケイ素(SiC)ウエハーの世界市場は、2025年見込みの1943億円に対し、2035年は約3倍の5724億円規模になるという。今後は、中国を中心に8インチウエハーを用いたパワー半導体デバイスの製造が本格化する見通しだ。
SiCに比べ基板コストは最大50分の1:
FLOSFIAは、酸化ガリウム(α-Ga2O3)パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード(SBD)を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。
画素ごとにLOFICを2段設ける:
東北大学の研究チームは、120dBというダイナミックレンジと光量適応信号選択機能を実現した「3次元積層型CMOSイメージセンサー」を開発した。単位面積当たりの飽和電子数は276.8ke-/μm2を達成している。
R-Car X5H評価ボードとソフトを追加:
ルネサス エレクトロニクスは、第5世代となるR-Car SoC向け開発プラットフォーム「R-Car Open Access(RoX)」の機能を拡充した。マルチドメイン対応の車載用SoC「R-Car X5H」の評価ボードとソフトウェア群「RoX Whitebox」を新たに用意し、提供を始めた。
2倍を超える熱整流比を観測:
東京都立大学は、純度が極めて高い鉛線(超伝導体)の一部を曲げるだけで熱流を制御できる「熱ダイオード」を開発した。今回の実験では2倍を超える熱整流比を観測したが、材料や曲げ方を最適化すれば、さらに高い熱整流比が得られるとみている。
TSMCやASEの売上高が好調に推移:
カウンターポイントリサーチによると、2025年第3四半期(7〜9月)における「ファウンドリー2.0」(専業ファウンドリーや非メモリIDM、OSATなど)の市場規模が、前年同期比17%増の848億米ドルに達した。世界的なAIブームによりGPUなどの需要が拡大。これを受けてTSMCやASEの売上高が好調に推移し、業界全体の市場規模を押し上げた。
銅ナノ粒子インクを基材に直接吐出:
エレファンテックは、産業用インクジェット印刷装置「ELP04」シリーズの新モデル「ELP04 PILOT 600R」を開発、初号機を国内のプリント基板メーカーに販売した。
設計から製造までインドで完結:
ロームとTata Electronics(タタ・エレクトロニクス)は、半導体事業において戦略的パートナーシップを締結した。インド市場において半導体デバイスの製造や販売チャンネルなどの機能を融合することで、半導体産業における日印関係をさらに強化していく。
微細加工とTGVの樹脂充填が可能に:
東レは、次世代半導体パッケージに用いられるガラスコア基板の加工に適した「ネガ型感光性ポリイミドシート」を開発した。再配線のための微細加工と貫通ビア電極(TGV)の樹脂充填を同時に実現でき、加工工程の短縮とコスト削減が可能になる。
サンプル出荷を開始:
FDKは、SMD小型酸化物系全固体電池「SoLiCell」として定電圧充電対応モデル「SCD4532K」を新たに開発、サンプル品の出荷を始めた。小型IoTデバイスやウェアラブル機器などに加え、RTCのバックアップ電源、エネルギーハーベストによる充電といった用途に向ける。
岩手やタイの工場に380億円を投資:
古河電気工業は、信号光源用の高出力DFBレーザーダイオードチップの生産能力を増強する。岩手やタイの工場に380億円を投資し、製造設備を導入。2028年にはDFBレーザーダイオードチップの生産能力が2025年度に比べ5倍以上に増える。