馬本隆綱

京セラは、光電集積モジュール「OPTINITY」の新製品として、第6世代通信規格PCIe 6.0に対応したプラガブル型光電集積モジュール「OSFP-XD」を開発した。データセンター内を光通信化すれば、より高速で大容量通信を省電力で行うことが可能となる。

多摩デバイスは、Microcystal製のリアルタイムクロック（RTC）モジュール「RV-3028-C8」の国内販売を始めた。水晶振動子を内蔵し小型かつ低消費電流を実現した。ポータブル機器やウェアラブル機器などの用途に向ける。

オキサイドは、量子コンピュータに向けて波長302nmの紫外レーザー光源を販売、初号機の出荷を完了した。Yb原子を用いる中性原子型量子コンピュータにおいて、Rydberg（リュードベリ）状態を生成させるための光源となる。

FUJIは、半導体後工程自働化・標準化技術研究組合（SATAS）が取り組む半導体後工程の自働化／標準化に関する研究開発において、「Die実装工程」の研究開発を担当する。研究開発に用いる製造装置には、FUJI製実装ロボット「NXTR Aモデル」の採用が決まった。

東北大学や日本原子力開発機構らによる研究グループは、等方性磁石の薄膜を使って作製した素子に電流を印加し、不安定な方位に磁石の向き（スピン）を安定化させることに成功した。電流と外部磁場の大きさを調整すれば、スピンの揺らぎを最大化できる。この動きは連続的な変数を用いる制限ボルツマンマシンの動作原理に適用できるとみている。

東京大学と北陸先端科学技術大学院大学、筑波大学らの研究グループは、液−液相分離によって形成される液滴を用いることで、二重構造の遷移金属ダイカルコゲナイト（TMDC）を作製するとともに、モアレ構造の形成を確認した。

田中貴金属工業は、100℃前後の低温領域で高い水素透過性能を示すパラジウム（Pd）水素透過膜「HPM-L111」を開発し、サンプル品の供給を始めた。水素センサーや燃料電池、真空装置の水素除去などの用途に向ける。

ミツミ電機は、HDMI規格に適合した、逆流防止付きロードスイッチIC「MM4009」の販売を始めた。ゲーム機やレコーダーなどの電源ラインを保護する用途に向ける。

ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセスを採用し、最大8Mバイトのフラッシュメモリを内蔵した車載用32ビットマイコン「RH850/U2C」を発売した。RH850マイコンファミリーのローエンド製品という位置付けで、最新のE/E（電気／電子）アーキテクチャに対応したECUなどの用途に向ける。

田中貴金属工業は、焼結金（Au）接合技術「AuRoFUSE（オーロフューズ）プリフォーム」により、複雑な構造の半導体チップやサブストレートへ金バンプを転写する技術を確立した。次世代の高密度実装や光電融合デバイスなどへの活用を提案していく。

タカノは、プローブピンピッチの狭小化に対応しつつ、高周波の測定なども可能にした「先端半導体検査用プローブ」を開発した。MEMS技術を用いることで半導体デバイスの高集積化、高性能化に対応した。

岡山大学と名古屋大学、京都大学、広島大学および、高エネルギー加速器研究機構（KEK）らの研究グループは、高い熱電性能を示す半金属「Ta2PdSe6」において、電子が集団的電荷振動と結合した新しい準粒子状態「プラズモニックポーラロン」を初めて直接観測することに成功した。

サトーと桜井グラフィックシステムズは、ミクロンサイズの銅粉を導電性ペーストに活用し、印刷方式でRF IDアンテナや電子回路を製造するために業務提携した。従来のように導電材料として銀ペーストや銅ナノ粒子を用いないため、材料コストや環境負荷を低減できるという。

ファインセラミックスセンター（JFCC）と早稲田大学らの研究グループは、全固体リチウム電池の材料となる二次元材料「MXene（マキシン）」について、充放電動作中に生じる電池反応をその場で観察することに成功した。研究成果を基に、構造と表面官能基を制御すれば、容量と耐久性を両立させたMXene電極を開発できるという。

ノベルクリスタルテクノロジーは、次世代パワー半導体に向けて直径150mm（6インチ）酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーのサンプル出荷を始める。2027年には150mm β-Ga2O3エピウエハーのサンプル出荷を開始し、2029年の本格量産を目指す。

富士経済はxEV向け駆動用電池市場を調査し2040年の世界市場予測を発表した。これによると、2025年見込みの19兆8758億円に対し、2040年は47兆751億円規模に達する見通しである。市場拡大をけん引するのは液系リチウムイオン二次電池（液系LiB）である。

デンカエラストリューションは、リチウムイオンバッテリー（LiB）向けの「セル間断熱材」を開発した。デンカが開発した断熱・延焼防止材「ProfyGuard」とクッション性材料を組み合わせた製品で、熱暴走の連鎖を抑えられる。

JX金属は2026年2月25日開催の取締役会で、株式交換により東邦チタニウムを完全子会社化することを決めた。既存領域における事業の強化やサプライチェーンの安定化、新たな材料開発による新規事業の拡大などが経営統合の狙い。

キオクシアは2026年2月、次世代モバイル機器に向けた組み込み式フラッシュストレージの標準規格「UFS 5.0」に対応した評価用フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を始めると発表した。まずは512Gバイト品の出荷を始め、3月以降には1Tバイト品の出荷も開始する。

東京応化工業（TOK）は2026年2月、EUVリソグラフィ向けフォトレジスト材料の開発を加速するため、イギリスIrresistible Materialsに対し戦略的投資を行うとともに、共同開発を行うことで提携した。

村田製作所とソフトバンク、CC-Link協会（CLPA）は、高精度な時刻同期を可能にするTime-Sensitive Networking（TSN）を5G（第5世代移動通信）ネットワーク上で実現する「TSN over 5G」の接続実証に成功した。通信事業者が接続実証に成功したのは「世界で初めて」という。

日立製作所は、ノイズが多い環境でも量子ビットを安定動作できる制御技術を東京科学大学と共同開発した。シリコンを用いた量子ビットにマイクロ波を連続照射し、その位相を制御することで実現した。

ケイデンスは、シリコン半導体チップの設計／検証作業を自動化できるエージェント型AI「Cadence ChipStack AI Super Agent」を発表した。RTL設計やテストベンチのコーディング、テストプラン作成といった一連の作業を自動化することによって、生産性をこれまでより最大10倍も向上できるという。

サンケン電気は、正弦波駆動方式の白物家電向け高圧3相モーター用ドライバー「SX6814xMシリーズ」として、エアコンのファンモーター駆動などに適した「SX68144M」と「SX68145M」の量産を始めた。スポーク型IPM（埋め込み磁石型）モーターの音鳴りを抑制できる。

リンテックは、半導体ウエハーの裏面研磨工程における厚みのばらつきを改善する「樹脂塗布プロセス（PCBLプロセス）」を開発するとともに、樹脂を塗布するための装置「RAD-3400F/12」について、2026年4月から本格受注を始める。

エリクソンは、横浜・みなとみらい21地区に「新R＆Dセンター」を開設する。同センターではグローバルおよび、日本市場向けの先進的な無線ハードウェア／ソフトウェアの開発に注力する。

ルネサス エレクトロニクスは、車載向けSoCにおいて高いAI処理性能を実現しつつ、チップレット構成でも機能安全規格に対応できる技術を開発した。これらの技術は3nmプロセス採用の車載マルチドメインECU用SoC「R-Car X5H」のために開発したものだ。同社はR-Car X5Hを、SDV（Software Defined Vehicle）時代に対応する車載用SoCとして提案していく。

スタンレー電気と東京大学は共同で、植物栽培用の人工光源に赤色レーザーダイオード（LD）を用いれば、従来の発光ダイオード（LED）よりも、高い成長促進効果が得られることを「世界で初めて」（両者）実証した。

オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。

ロームは、新型SiCモジュールを搭載した「3相インバーター回路向けレファレンスデザイン」を自社のウェブサイト上に公開した。設計者はこの設計データを用いて駆動回路用基板を作製し、SiCモジュールと組み合わせることで、実機による評価工数を削減することが可能となる。

ルネサス エレクトロニクスは、米国における半導体製造を加速させるため、GlobalFoundries（GF）と数十億米ドル規模の製造パートナーシップを結び、戦略的協業を拡大する。

STマイクロエレクトロニクスとNanoXploreは、NanoXplore製の耐放射線SoC FPGA「NG-ULTRA」が、欧州の宇宙用途向け規格「ESCC 9030」の認定を取得したと発表した。今後、IRIS2を含め多くの衛星用機器システムに搭載される見通しである。

アプライド マテリアルズ（AMAT）は、2nm以降のGAAトランジスタを集積するAIチップの性能を、さらに向上させることができる半導体製造装置3種類を発表した。既に複数の大手ファウンドリーやロジックICメーカーが新製品を導入し、活用しているという。

JX金属は、光通信の受発光素子などに用いられる「インジウムリン（InP）基板」を増産するため、新たに約200億円を追加投資し、磯原工場（茨城県北茨城市）の生産能力を増強する。2030年にはInP基板の生産能力が2025年に比べ約3倍に増える。

SEMIは、SEMI Silicon Manufacturers Group（SMG）による分析結果を基に2025年のシリコンウエハー世界市場を発表した。シリコンウエハーの出荷量（面積）は前年比で5.8％増の129億7300万平方インチとなったが、販売額は同1.2％減の114億米ドルだった。先端半導体とレガシー半導体でその動向は大きく分かれた。

京都工芸繊維大学と中央大学は、産業技術総合研究所（産総研）の協力を得て、半導体カーボンナノチューブ（CNT）を用い、冷却しなくても動作する「高感度赤外線センサー」を開発した。従来の材料を用いた場合に比べ検出感度は約11倍も高いという。

京セラは、位相ジッタが30フェムト秒という低ノイズを実現した差動クロック用水晶発振器「Xシリーズ」を開発、量産を始めた。位相ジッタが極めて小さいため、AIサーバなど高速かつ大容量のデータ通信を行う用途に向ける。

東京化成工業は、産業技術総合研究所（産総研）とAIST Solutionsが開発したペロブスカイト太陽電池向け材料「OA-TFSI」を製品化し、一般販売を始めた。ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送材料の原料溶液に添加すれば、太陽電池の性能を向上できる。

山梨大学、早稲田大学および信州大学の研究グループは、固体高分子形燃料電池（PEFC）の性能と耐久性を大きく向上させる「プロトン導電性電解質膜」を開発した。この高分子複合膜にはフッ素が含まれておらず、PFAS規制の影響も受けないという。

三菱マテリアルは、自動車や鉄道車両などに搭載される高出力パワーモジュール用の「焼結型銅接合材料」を開発した。「銅ペースト」と「銅シート」の2タイプから選べる。従来の銀焼結材料に匹敵する低温焼結性を実現した。

産業技術総合研究所（産総研）およびAIST Solutionsは、本田技研工業の研究開発子会社である本田技術研究所と連携し、モビリティ用ダイヤモンドパワー半導体やこれを応用した電子デバイスの開発拠点を産総研内に設立した。

村田製作所の生産子会社である福井村田製作所（福井県越前市）において2023年11月から建設を進めてきた「セラミックコンデンサー研究開発センター」が完成し、2026年2月5日に竣工式を行った。同センターは2026年3月30日に開業の予定だ。

スタンレー電気は、岩崎電気の全株式を取得し2026年4月1日をもって連結子会社にする。これを機にスタンレー電気は、公共インフラや産業分野といった新たな領域で電子事業を強化していく。

本田技研工業（ホンダ）は、米Mythicへ出資するとともに、次世代のSDV（ソフトウェアデファインドビークル）に搭載する「ニューロモルフィックSoC」を共同開発していく。

早稲田大学の研究グループは、AlN薄膜をYbNと合金化することによって、AlNの結晶構造を保持したまま、熱伝導率をガラスに近い値まで低減できることを見出した。電子デバイスや化学反応炉における断熱材料などへの応用に期待する。

堀場製作所のグループ会社であるホリバ・インドは、人工ダイヤモンドの研究開発を手掛けるインドのスタートアップ「Pristine Deeptech」の全株式を取得し、子会社化した。これを機にインドを、ダイヤモンドウエハーを含む先端材料の実用化と普及に向けた分析／計測ソリューションの研究開発拠点と位置づける。

イビデンは、AIサーバなどに向けた高機能ICパッケージ基板の生産能力を増強する。関連する事業場に対し、2026〜2028年度の3年間で総額約5000億円規模の設備投資を計画している。

キヤノンとNTT東日本は、新たな映像体験の創出に向けて協業する。高速で大容量、低遅延の通信を可能にする商用サービス「All-Photonics Connect powered by IOWN」を活用した、フレキシブルな「ボリュメトリックビデオシステム」の構築に向けて、技術検証を始めた。

産業技術総合研究所（産総研）とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド／シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。

東京科学大学の平松秀典教授らによる研究チームは、光らないスピネル型結晶を、「効率よく光が出せる結晶」に変えることができる半導体材料を発見した。この材料は、電気の流れを制御することが可能なことも確認した。