メモリ/ストレージ技術: SKハイニックス、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」を開発――20nmプロセス採用 SKハイニックスは2014年9月、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」の開発に成功した。これは業界で初めて開発されたものとされ、これまで発表してきた超高速メモリ(HBM)と合わせて、既存のDDRシリーズで構成されたDRAM製品群を高性能メモリで広げることで、市場での地位を強固にするための試みとみられる。 (2014年10月2日)
メモリ/ストレージ技術: SKハイニックス、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」を開発――20nmプロセス採用 SKハイニックスは2014年9月、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」の開発に成功した。これは業界で初めて開発されたものとされ、これまで発表してきた超高速メモリ(HBM)と合わせて、既存のDDRシリーズで構成されたDRAM製品群を高性能メモリで広げることで、市場での地位を強固にするための試みとみられる。 (2014年10月2日)