電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス市場の成長が一気に加速する可能性があります。
米州は59.6%増:
米国半導体工業会によると、2025年10月の世界半導体売上高は前年同月比27.2%増の727億米ドルになった。地域別では日本は前月比では0.6%増だったものの、前年同月比では10.0%減と5カ月連続でマイナス成長になった。
200mm GaN on Siプロセス:
onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書(MOU)を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
前期比でも2%増:
SEMIによると、2025年第3四半期(7〜9月)の半導体製造装置(新品)の世界総販売額は前年同期比11%増の336億6000万米ドルで、第3四半期として過去最高を更新したという。
プロセスロス低減や歩留まり向上に:
浜松ホトニクスが最大300mmウエハーの全面膜厚を5秒で一括測定できる膜厚計を新開発した。従来の課題を解決する新手法を採用したもので、半導体製造の生産性向上を実現できるとしている。
メモリとロジックの高成長続く:
世界半導体市場統計(WSTS)の2025年秋季半導体市場予測によると、同年の世界半導体市場は前年比22.5%増の7722億4300万米ドルに成長する見通しだ。引き続きAIデーターセンサー投資がけん引役となり、特にメモリやロジックが高成長することが見込まれている。
全工程に対応する技術を:
ニデックの子会社ニデックアドバンステクノロジーが、中国のAI新興Shanghai Gantu Network Technologyと半導体シリコンウエハー向けAI検査/計測ソリューションに関する戦略的提携契約を締結した。
AI技術内蔵で4倍ズームも高精細:
ソニーセミコンダクタソリューションズが、1/1.12型の有効約2億画素モバイル用イメージセンサーを開発した。高解像度と高感度を両立する「Quad-Quad Bayer Coding(QQBC)配列」を採用するとともに、AI技術を活用した画像処理回路を新開発し、センサー内に実装した。
両者の強み結集で開発を加速:
TDKが、日本化学工業とMLCC向けセラミックなどの電子部品材料および製造プロセスを開発する合弁会社の設立について検討を開始すると発表した。
総額65億米ドルで:
ソフトバンクグループが、Armベースのサーバ向け半導体設計を手掛ける米国Ampere Computing Holdingsの買収を完了した。同じく子会社であるArmの設計力を補完し「Armベースのチップの開発およびテープアウトで実績を持つAmpereの専門知識を統合することが可能になる」としている。
装置国産化は30年に52%:
フランスの市場調査会社Yole Groupによると半導体の自国内製造能力を強化する中国は、最先端プロセスでは後れを取るものの、現在のペースなら2027〜2028年にも半導体製造面での自給自足を達成する見込みだという。
経産省が1000億円出資へ:
赤沢亮正経済産業大臣は2025年11月21日、政府がRapidusに対して1000億円を出資する考えを発表した。また、この日公開されたRapidusの実施計画では、同社が2031年度頃に株式上場を目指す方針などが明らかになった。
問題改善に一歩:
自動車業界に再び半導体不足の懸念を呼んだ「Nexperia問題」に進展があった。オランダ政府が同社を管理下に置く措置の停止を決定したのだ。ただし、Nexperia本社はこの決定を歓迎する一方で、対立状態にある中国法人との関係に「変化はない」と説明している。
調査は継続、今後修正の可能性も:
不適切会計の疑いで揺れているニデックが2025年度上期(2025年4〜9月)決算を発表した。売上高は前年同期比85億円増の1兆3023億円だった一方、営業利益は同994億円減の211億円となった。車載用製品事業で、顧客との契約の履行に伴って発生する可能性が高い損失に備えた引当金など計877億円の損失を計上したことが減益の主因だ。
中国の自国製シフトが業績に響く:
サンケン電気は、AIデータセンターの空調/液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム(GaN)および炭化ケイ素(SiC)パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
26年に米国で生産開始:
GlobalFoundriesが、TSMCと650Vおよび80Vの窒化ガリウム(GaN)技術に関するライセンスの供与を受ける契約を締結した。GFは米国の工場に技術を導入。開発は2026年初頭に開始し、同年後半には生産を開始する予定だ。
サファイア基板&PSJ技術:
サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
「上積みの可能性も見極める」:
ソニーグループのイメージング&センシングソリューション(I&SS)分野の2025年度第2四半期(2025年7〜9月)売上高は前年同期比15%増の6146億円、営業利益は同50%増の1383億円でそれぞれ四半期実績として過去最高を更新した。モバイル向けおよびデジタルカメラ向けイメージセンサーの増収が主な要因だ。
韓国で27年以降に量産開始:
Samsung Electronics子会社Samsung Electro-Mechanicsと住友化学グループが、次世代パッケージ基板の鍵となる素材「ガラスコア」を製造する合弁会社(JV)設立に向けた覚書(MOU)を締結した。合弁会社は韓国に設置され、量産は2027年以降に開始される予定だ。
26〜28年度の中計を発表:
ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】
アミューズメント向けが好調:
ロームの2025年度上期(2025年4〜9月)売上高は前年同期比5.3%増の2442億円、営業損益は前年同期の9億円の赤字から76億円の黒字に、純利益は同398.9%増の103億円になった。この結果を受け、同社は通期計画を上方修正した。
VIS委託など「さまざまな可能性を検討」:
ローム社長の東克己氏は2025年11月6日、TSMCのGaNファウンドリー事業撤退の決定について「われわれにとって非常に痛い、大きな痛手だ」と言及。生産移管先についてはTSMC傘下のVanguard International Semiconductorと協議していることに触れつつ、現在も社内/協業を含めたさまざまな可能性を検討している段階だと説明した。
市場は25.1%増の695億ドルに:
米国半導体工業会によると、2025年9月の世界半導体売上高は前年同月比25.1%増の695億米ドルになった。地域別では日本だけ前年比減となり、4カ月連続でマイナス成長になった。
売上高は上方修正:
ソシオネクストの2025年度第2四半期(7月〜10月)売上高は前年同期比13.5%増の527億円、営業利益は同56.0%減の23億円、純利益は同60.2%減の16億円で増収減益だった。同社は通期予想について、売上高を上方修正した一方、減益幅が拡大する見通しを示した。
GaN-on-GaN技術で攻める:
onsemiが縦型窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車(EV)など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
28年にウエハー年100万枚以上:
GlobalFoundriesがドイツ・ドレスデン工場の生産能力拡大に11億ユーロを投資する計画を発表した。同拠点の生産能力は2028年末までに年間ウエハー100万枚以上に拡大し、欧州最大規模の生産拠点になる見込だという。
Yoleが調査結果を発表:
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率(CAGR)42%で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
小型、低消費電力、低コスト実現:
ソニーセミコンダクタソリューションズが、「業界で初めて」(同社)MIPI A-PHYインタフェースを内蔵したCMOSイメージセンサーを開発した。さらに低消費電力な独自の駐車監視機能も搭載した。
「数年で製造コストをSiと同等に」:
Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム(GaN)事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
モノづくり総合版メルマガ 編集後記:
世界の自動車産業と半導体サプライチェーンを揺るがす、異例の事態が発生しました。
300mm工場クリーンルームも公開:
Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
Pat Gelsinger氏参画のVCが主導:
米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム(GaN)トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
高耐圧品や双方向スイッチのサンプルも:
Infineon Technologiesが、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に適合した同社初の窒化ガリウム(GaN)トランジスタファミリーの生産を開始した。併せて高耐圧GaNトランジスタおよび双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル供給も開始した。
アポロ、ワコー、浜松、ラピス:
ロームは、滋賀工場および、ローム・アポロ、ローム・ワコー、ローム浜松、ラピスセミコンダクタの国内製造関連4社を、前工程と後工程の製造会社2社に再編すると決定した。
地域別では日本だけ減少:
米国半導体工業会によると、2025年8月の世界半導体売上高は前年同月比21.7%増の649億米ドルになったという。地域別では日本のみ同6.9%減のマイナス成長になった。
独自技術を強みに、存在感増す:
米国のFPGAメーカーのEfinixが2025年9月、ハイエンド製品群「Titanium」の拡充を発表した。ロジックエレメント数を最大200万に引き上げ、製品数も20種類に倍増するといい「AIがけん引する産業およびアプリケーションへの貢献を約束する」と強調している。今回、同社のヴァイスプレジデント セールス&ビジネスデベロップメント(JAPI:Japan APAC and India)、中西郁雄氏に話を聞いた。
「業界最小画素」RGB-IRセンサー開発:
ソニーセミコンダクタソリューションズが2.1μm画素を採用し、RGB画像とIR画像の撮像をワンチップで実現するインキャビン用のイメージセンサーを開発した。車外向けのセンサーを中心に扱ってきた同社にとって、この用途では初の製品だ。背景にあるのは、法規制強化によって今後急速に拡大が見込まれる市場機会だ。同社担当者に、製品の詳細や狙いを聞いた。
グローバルシャッター搭載:
ソニーセミコンダクタソリューションズが、産業機器向けの裏面照射型画素構造のグローバルシャッター搭載積層型CMOSイメージセンサー新製品「IMX927」を商品化した。「業界で初めて」(同社)有効約1億500万画素と毎秒最大100フレームの高速出力を両立した製品だ。
xEV用DC-DCやOBCなど開発:
TDKは、車載用電源製品の新規開発事業を会社分割(簡易吸収分割)によってAstemoに継承させると発表した。車載用電源事業は今後の新規プロジェクトの受付を終了し、撤退する予定だという。なお顧客から受注済みの製品については引き続き製造を継続していく方針だ。
シリコンやGaNへの協業拡大も計画:
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
LCoSのシェアが拡大:
台湾の市場調査会社TrendForceは、Metaが発表したAIスマートグラス「Meta Ray-Ban Display」によって、2026年までに拡張現実(AR)ディスプレイ市場におけるLCoS(Liquid Crystal On Silicon)ディスプレイ技術のシェアが13%に拡大すると予測している。
26年4月をめどに:
オムロンが、2026年4月をめどに電子部品事業の分社化する検討を開始した。同社は「従来の高い品質に加え、開発スピードの向上や収益構造の見直しといった取り組みを通じた事業基盤の変革を加速していくため、自律した経営体制を確立することを目指す」と述べている。
IntelがNVIDIA専用x86 CPUを製造:
NVIDIAがIntelに50億米ドルを投資するとともに、カスタムデータセンターおよびクライアント向けCPUを共同開発すると発表した。
フランスで26年Q3に稼働へ:
STMicroelectronicsは、フランス・トゥール工場において次世代パネルレベルパッケージング(PLP)技術のパイロットラインを新設する。6000万米ドルを投じる計画で、2026年第3四半期に稼働開始予定だ。
電動二輪車用途で:
Infineon Technologiesが、中国Ninebot子会社のLingji Innovation Technologyと窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス搭載の軽電気自動車(LEV)向けインバーター開発で協業する。InfineonがGaNパワー半導体を供給し、Lingjiの電動二輪車用インバーターシステム開発をサポートする。
「研究開発/運用でAI活用」:
ASMLが、フランスのAI新興Mistral AIに13億ユーロを出資すると発表した。同時に戦略的パートナーシップ締結も発表。ASMLの製品ポートフォリオ全体および研究開発/運用分野でAIモデルの活用を推進し「ASMLの顧客に対し市場投入期間の短縮と高性能な総合リソグラフィシステムの提供を実現する」としている。
前月比では中国も減少:
米国半導体工業会によると、2025年7月の世界半導体売上高は前年同月比20.6%増の621億米ドルになったという。地域別では日本のみマイナス成長だった。