永山準

Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。

ニデックは2026年9月4日、同社グループで発覚した品質不適切行為を巡り記者会見を実施。外部専門家で構成する調査委員会が844件の品質不適切行為を認定したことを受け、同社社長の岸田光哉氏は「明らかになった事案の全てはわれわれ製造をなりわいとする会社にとって、顧客の信頼の根幹に関わる事案であり、全てを重く受け止めている」と強調した。

米国半導体工業会（SIA：Semiconductor Industry Association）は2026年9月4日（米国時間）、2026年7月の世界半導体売上高が前年同月比135.1％増の1468億米ドルになったと発表した。2026年1〜7月の売上高の合計は既に年間売上高の過去最高額を超えたという。

5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。

ニデックは2026年9月4日、同社グループにおける品質不適切行為などについて、外部専門家で構成する調査委員会の調査報告書を公表した。調査では品質不適切行為844件が認定され、うち60件は法令違反疑いなどの重大事案とされた。

気になるSamsungの動き、TSMCとのJVで「勝負に出た」ソニー。

Semiconductor Intelligenceによると、2026年第2四半期（4〜6月）の世界半導体売上高の企業別ランキングにおいて、日本勢トップはキオクシアで、トップ20社中、最も高い伸びを示して8位にランクインしたという。

本稿では、2026年上半期の半導体業界を振り返る。

フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2025年のCMOSイメージセンサー市場は前年比9％増の253億米ドルに成長し、過去最高を更新した。企業別ではソニーが約50％のシェアを獲得した。また、地域別シェアは日本勢が51％で首位を維持したほか、中国勢が21％に拡大して17％の韓国勢を抜いて世界2位に浮上した。

ジャパンディスプレイは2026年8月24日、同社の鳥取工場（鳥取市）の売却が完了したと発表した。譲渡益は5億円になる見込みだという。

ジャパンディスプレイの2026年度第1四半期（2026年4〜6月）業績は、売上高が前年同期比26％減の239億円、営業損益は12億円の赤字（前年同期は92億円の赤字）だった。茂原工場の生産終了によって売上高は減少したものの、営業赤字は大幅に改善した。財務面では第14回新株予約権の一部行使などで、2026年6月末時点で債務超過を解消した。

ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、SSS）とTSMCが、次世代イメージセンサーの開発／製造を担う合弁会社（JV）「Advanced Vision Semiconductor Manufacturing」の設立に関する確定契約を締結した。熊本県合志市を拠点とし、スマートフォン向けの新イメージセンサーの量産における開発および製造を担う。SSSが約4650億円、TSMCが約2820億円を拠出し、2029年に量産を開始する予定だ。

熱波に襲われた欧州。エアコン需要が急速に高まる中、存在感を示しているのが中国メーカーです。

米国半導体工業会（SIA：Semiconductor Industry Association）によると、2026年6月の世界半導体売上高は前年から2.2倍の1345億米ドルとなり、単月の過去最高を更新したという。

Lam Research（以下、Lam）は2026年7月、オーストリア・フィラッハ拠点で40周年記念式典を開催した。同拠点は現在、Lamのスピン洗浄技術／ウェットプロセス装置の開発／製造を担うグローバル中核拠点になっている。式典ではRapidusが同拠点について「最先端ロジック半導体などの実現を支える重要な役割を果たしている」と評価するメッセージを寄せた。

ロームの2026年度第1四半期業績は、売上高が前年同期比16.8％増の1357億円、営業利益は同4825.6％増の96億円、純利益は203.6％増の90億円で増収増益となった。インバーター向け炭化ケイ素（SiC）デバイスも欧州向け中心に売り上げが伸長するなど自動車向けが好調だったほか、パワーデバイスやLSIを中心にAIサーバ向け事業も拡大した。

台湾の市場調査会社TrendForceによると、2027年のメモリ市場はDRAMとNAND型フラッシュメモリで需給動向が大きく分かれる見込みだ。DRAMは供給逼迫継続する一方で、NANDフラッシュは供給が緩和する見通しだという。

キオクシアは2026年8月4日、AIアプリケーション向けのSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を開発したと発表した。同社が2026年3月に開発を発表した「KIOXIA GPシリーズ」の最初の製品だ。第2世代「XL-FLASH」を採用し、最大1000万IOPSのランダムリード性能を実現した。

ソシオネクストの2026年度第1四半期業績は、売上高が前年同期比13％増の390億円となった一方、営業損益は7億円の赤字（前年同期は14億円の黒字）、純損益は6億円の赤字（同5億円の黒字）になった。車載向け製品で約100億円の売り上げが第2四半期へシフトした影響が大きいといい、通期業績予想は据え置いた。

ソニーグループのイメージング＆センシングソリューション（I＆SS）分野の2026年度第1四半期（2026年4〜6月）業績は、売上高が前年同期比26％増の5127億円、営業利益が同125％増の1222億円となった。モバイル向けイメージセンサーの単価上昇や為替の好影響を背景に売り上げが増加。営業利益は第1四半期として過去最高を更新した。

三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」で、最新の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを公開した。従来の第4世代品からオン抵抗を約25％低減したもので、PCIMでは同社パワーデバイス製作所Chief Expertの多留谷政良氏がその概要を語った。

三菱電機は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、開発中の車載オンボードチャージャー（OBC）向け炭化ケイ素（SiC）MOSFETモジュールを初公開した。絶縁型2-in-1 SiC MOSFETモジュールで、従来4個のディスクリートデバイスで構成していた回路を1パッケージで置き換えられ、設計の簡素化や実装面積の削減が実現する。

onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。

ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。

Tower Semiconductor（以下、Tower）は2026年7月14日、日本国内における300mmシリコンフォトニクス（SiPho）、シリコンゲルマニウム（SiGe）および先端パッケージングの研究開発および製造能力を拡充すると発表した。

Boschが、米国カリフォルニア州ローズビルの8インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。

Intelは2026年7月13日、アイルランド・リークスリップ拠点に50億ユーロ（約57億米ドル）を投じ、生産能力を強化すると発表した。AIや高性能コンピューティング（HPC）向け需要の拡大を受け「Intel 3」プロセスで製造する「Intel Xeon 6」および次世代Xeonプロセッサの生産能力を拡大する。

いまは亡きあのDRAMメーカーの『遺伝子』継ぐ企業の名前が。

フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。

Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。

onsemiが、米国の8インチウエハー工場およびフィリピンの後工程工場の2つを売却すると発表した。同社が推進する「ファブライト戦略」の一環であり、全社的な製造コスト構造を改善し、粗利益率の持続的な拡大を図る。

米国半導体工業会によると、2026年5月の世界半導体売上高が前年同月比104.1％増の1206億米ドルと大幅な増加を記録。単月で初の1000億米ドル超えとなった前月からさらに9.2％増となり、過去最高を更新した。

台湾の市場調査会社TrendForceによると、従来型DRAMの契約価格は2026年第3四半期（7〜9月）に前四半期比13〜18％、NAND型フラッシュメモリの契約価格は同10〜15％それぞれ上昇する見込みだという。

住友化学は2026年7月2日、同社の100％子会社である韓国の東友ファインケムが、Samsung Electronics子会社サムスン電機と先端半導体パッケージ向けガラスコア基板事業を行う合弁会社を設立すると発表した。サムスン電機が66％、東友ファインケムが34％を出資し、2026年中に設立する予定だ。

Infineon Technologiesがドイツ・ドレスデンに300mmウエハー新工場を開設した。パワー半導体などを製造し、AIデータセンターや車載、再生可能エネルギーといった市場の需要に対応。フル稼働時には年間で50億ユーロ程度の売上高を見込む。

ルネサス エレクトロニクスは2026年7月1日、同社のタイミングデバイス事業の米SiTimeへの売却が完了したと発表した。2026年12月期第3四半期累計連結決算において譲渡益約4433億円を計上する予定だ。

ソシオネクストは2026年7月1日、TSMCの1.4nm世代プロセス「A14」を活用した高性能コンピュートチップレットを開発すると発表した。

サンケン電気は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、独自のPSJ（Polarization Super Junction：分極超接合）GaN技術を採用したダウンコンバーターIC（試作品）のデモを公開した。注力領域として積極投資を進めるGaN事業において、独自技術を生かした製品開発が着実に進んでいることを示した。

Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。

ソニーセミコンダクタソリューションズが高解像度とオートフォーカス（AF）性能を両立する新たな画素構造「RB2×2 OCL」を採用したイメージセンサーを開発した。1/2型で有効約6400万画素のセンサーで、主にスマートフォンの望遠カメラ向けを想定。この構造を量産品に搭載するのは「業界初」（同社）という。今回、開発担当者らに話を聞いた。

Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。

フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。

米国半導体工業会によると、2026年4月の世界半導体売上高は前年同月比93.9％増の1105億米ドルと大幅な増加を記録したという。単月で1000億米ドルを超えるのは初。

ソニーセミコンダクタソリューションズが、モバイル向けとして初めてLOFIC（横型オーバーフロー蓄積容量）構造を採用した積層型CMOSイメージセンサーを商品化した。飽和電荷量を従来比約10倍に拡大するとともに、新たなHDR技術や回路技術を組み合わせることで、単一露光で100dBのダイナミックレンジを実現した。2026年夏に量産出荷を開始する予定だ。

ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。

ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、SSS）とベルギーの半導体研究機関imecが、次世代の3D集積を可能にする高密度裏面インターコネクト技術を共同開発した。

onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開する。縦型GaNの開発も進めているが、まずは外部ファウンドリー活用による製品によって市場参入を進める。

東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。

TSMCの撤退を受け、8インチでのGaNパワー半導体自社製造に舵を切ったローム。「あと1年半で量産」という目標に向け、浜松に技術者が集結しています。

SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。