永山準

ルネサス エレクトロニクスが、AIデータセンター向けに800Vの直流電圧を6Vに直接変換する20kW級の電源システムを開発している。同社はEE Times Japanに対し、800V→6Vプラットフォームを主要なAIデータセンター向けメーカー（OEMおよびODM）に既にサンプル提供していることを明らかにした。

Intelは、米国アリゾナ州チャンドラーの拠点で建設を進める最先端半導体工場「Fab 62」について、2028年末までに稼働を開始する見通しを明らかにした。現在、建設工事と製造装置の搬入／設置が本格的に進んでいるという。同工場は、同拠点で6番目の半導体量産工場となる。

ルネサス エレクトロニクスが、独自の32ビットCPUコアを搭載するRXファミリーの最上位マイコン「RX74M」「RX74N」を発売し、量産を開始した。RXファミリーとして初めて22nmプロセスとMRAMを採用。最大600MHzで動作する「RXv3e」コアを搭載し、従来製品に比べて2倍以上の性能を実現した。

東北大学は2026年10月21日、半導体の先端パッケージングおよびヘテロ集積化技術に関する研究開発コンソーシアム「T-CHIPS」が発足したと発表した。産学／異業種連携を推進し、半導体後工程技術の研究開発や研究成果の産業界への展開を支援する。

ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、SSS）が、医療用シングルユース（使い捨て）内視鏡向けのCMOSイメージセンサー市場に参入する。SSSは2026年10月22日、同市場向けとして初めて開発した新製品「IMX742」を発表した。今回、SSSの担当者に開発の狙いや技術的な特徴を聞いた。

ニデックは2026年10月20日、一連の会計不正問題を巡り、役員責任調査委員会の調査報告書を公表した。報告書では、創業者の永守重信氏や元会長の小部博志氏をはじめ、吉本浩之氏、関潤氏、岸田光哉氏ら歴代5社長について、それぞれの任務懈怠（けたい）の具体的な内容を詳述している。

経済産業省は、Rapidusに対し2027〜2029年度の3年間で計4000億円を追加出資する計画を明らかにした。Rapidusは2027年度後半に予定する2nm世代半導体の量産開始に向け、民間金融機関から2兆円の融資調達を計画。政府は追加出資によって同社の自己資本を強化し、資金調達を後押しする。

経済産業省が、TSMCと日本子会社JASM（Japan Advanced Semiconductor Manufacturing）が申請した熊本第2工場における生産計画の変更を認定した。3nmプロセスのロジック半導体を2028年12月までに生産開始する。

ニデックは2026年10月16日、一連の会計不正問題を巡り、役員責任調査委員会が創業者の永守重信氏や元会長の小部博志氏、元社長の吉本浩之氏、関潤氏、岸田光哉氏ら計9人について、損害賠償責任が認められると結論づけたと発表した。

Infineon Technologies（以下、Infineon）が、8インチ（200mm）ウエハーでの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の生産拡大に向け、基板の調達体制を強化する。同社は2026年10月15日（ドイツ時間）、Wolfspeedと8インチSiCウエハーに関する複数年の供給契約を締結したと発表した。

GlobalFoundries（以下、GF）は2026年10月14日（米国時間）、日米政府の戦略的投資イニシアチブに基づき、米国ニューヨーク州マルタに300mm工場2棟が新設される計画を発表した。新工場の事業規模は最大210億米ドル。日本は投資資金を提供し、GFが技術と製造ノウハウを提供する他、工場の運営も担うという。

ニコンが先進パッケージング向けデジタル露光装置「DSP-110」を開発した。解像度は1.5μm（L/S：ライン／スペース）で、スループットは毎時72パネルと、2025年7月に発表した「DSP-100」から約40％向上した。2027年4月の発売を予定している。

FLOSFIAが、6インチサファイア基板上への酸化ガリウム（α-Ga2O3）のエピタキシャル成膜に成功した。膜厚の面内ばらつきは約±3％で、初期実用化に向けた目標の±4％以下を達成した。2026年中に8インチサファイア基板上での成膜実証を進める計画だ。

GlobalFoundriesが、TSMCと20億米ドル規模の製造契約を締結したと発表した。TSMCの先端パッケージング技術「CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）」向けに、シリコンインターポーザーを米国で製造する。

電気自動車（EV）市場の停滞で一時逆風を受けた炭化ケイ素（SiC）市場だが、ロームは次の成長を見据えて開発の手を緩めていない。

米国半導体工業会（SIA）は2026年10月5日（米国時間）、2026年1〜8月の世界半導体売上高が1兆米ドルを突破したと発表した。2026年通年では1兆6000億米ドルを超える見通しだ。

AIサーバの急速な需要拡大を、パワー半導体の新たな成長機会として取り込む――。ロームが、AIサーバ向け電源市場への取り組みを加速している。

ルネサス エレクトロニクスが、同社初となる低耐圧窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスとして、100V耐圧のエンハンスメントモード（Eモード）GaN FETを発表した。AIデータセンターの電源システムやヒューマノイドロボット、産業用モーターなどをターゲットとする。

STMicroelectronics（以下、ST）が、ヒューマノイドをはじめとするロボティクス市場への取り組みを強化している。「PCIM Europe 2026」（2026年6月9〜11日、ドイツ・ニュルンベルク）でもロボティクス市場向けの展示が目立った。

長らく開発の難航が報じられていたことを考えると、感慨深いものがあります。

ニデックは2026年10月1日、決算発表や社長交代に関して記者会見を開催し、前社長岸田光哉氏が同年9月29日付で辞任した経緯を説明した。

ニデックが、完全子会社のニデックコンポーネンツ（旧コパル電子）を米投資会社The Carlyle Group（以下、カーライル）傘下の投資ファンド側に売却する。譲渡価額は1029億8000万円で、2026年12月1日の譲渡を予定する。

ヒューマノイドロボットには最大70程度のモーター制御系が搭載され、半導体の部品表（BOM）の40〜50％をモーター制御関連が占める――。Infineon Technologiesは、ヒューマノイド1台当たりで同社が獲得可能な半導体市場を平均約500米ドルと試算。特にモーター制御では窒化ガリウム（GaN）の採用拡大を見込んでいる。

ニデックは2026年9月30日、発表を延期していた2026年3月期通期（2025年4月〜2026年3月）決算を発表した。売上高は前期比3.9％増の2兆7087億500万円だった一方、営業損益は5189億7800万円の赤字、最終損益は5646億2400万円の赤字となった。非金融資産の減損損失6321億3500万円を計上した。会計監査人のPwC Japanは、2026年3月期の連結財務諸表および財務諸表について「意見不表明」とした。

ジャパンディスプレイ（以下、JDI）は2026年9月30日、液晶パネルの主力工場だった茂原工場（千葉県茂原市）を新光電気工業（以下、新光電気）に譲渡すると発表した。JDIは2027年3月期第4四半期に514億円の譲渡益を特別利益として計上する予定だ。

2027年も広帯域メモリ（HBM）の供給不足が続き、平均販売価格（ASP）は前年比121％上昇する見通しだ。市場調査会社TrendForceが予測した。供給不足とシステムコストの上昇を背景に、GPU／ASICメーカーでは、HBMの積層数を12層から8層に減らすことも検討されているという。

TOPPANホールディングスとBroadcomの合弁会社Advanced Substrate Technologiesが、シンガポールにFC-BGA基板を製造する新工場を開所した。TOPPANグループにとって日本国外初のFC-BGA基板製造拠点だ。

ニデックの代表取締役社長執行役員兼CEOである岸田光哉氏が辞任した。後任の社長執行役員兼CEOには、専務執行役員兼最高技術責任者（CTO）の戒田理夫氏が就任した。代表取締役には、取締役常務執行役員の南井正之氏が就任した。

Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。

2026年9月18日に発売されたAppleの最新スマートフォン「iPhone 18 Pro」について、リア3眼のCMOSイメージセンサー（CIS）が、いずれもソニー製であることが分かった。テカナリエが分解／解析した。

NXP Semiconductorsと台湾Vanguard International Semiconductorの合弁会社VisionPower Semiconductor Manufacturing Companyが2026年9月28日（シンガポール時間）、シンガポール・タンピネスに建設した300mm（12インチ）ウエハー工場を開所した。2029年のフル稼働時には月産約4万4000枚の生産能力を見込む。

ニデックは2026年9月28日、取締役会が同社社長の岸田光哉氏の解任を決議したほか、1兆円規模の減損損失を計上する方針だとする一部報道を受け、コメントを発表した。役員変更および大規模な減損処理について検討していることは事実とする一方、「現時点で当社として決定した事実はない」としている。

住友化学が、超低屈折率の透明薄膜を形成できる塗工液を開発したと発表した。波長550nmで屈折率1.06を実現。CMOSイメージセンサー（CIS）の集光部や、光電融合デバイスの光接続部などへの応用を見込む。

三菱電機の米国子会社Mitsubishi Electric Power Productsが、NVIDIAの「Vera Rubin NVL72」などに対応する次世代AIデータセンター向け「Chip-to-Grid DSXリファレンスデザイン」を開発、公開した。AIデータセンター建屋内部にとどまらず、系統接続からGPUなどのチップへの電力供給、ラックから施設全体にわたる冷却までを統合的に設計した。

住友金属鉱山が、300mmの貼り合わせ炭化ケイ素（SiC）基板の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行った。同社によれば、貼り合わせSiC基板として300mmを実現したのは世界初という。

富士フイルムは約80億ルピー（約130億円）を段階的に投じ、同社として初めてインドに半導体材料工場を新設する。

ルネサス エレクトロニクスが、アナログ／デジタル混載コンフィギュラブルIC「GreenPAK」新製品のサンプル出荷を開始した。1.155mm角と小型ながら、何度でも設定を書き換えられるマルチタイムプログラマブル（MTP）機能を搭載。量産開始は2026年11月を予定している。

フランスの量子プロセッサ新興Quoblyが、商用半導体製造ラインで製造した単一のシリコン（Si）チップ上で、量子ビットの読み出し、1量子ビットゲート、2量子ビットゲートの3つの基本動作を実証したと発表した。STMicroelectronicsの商用300mm製造施設で、FD-SOI CMOSプロセスを用いて製造した。

ロームは2026年9月17日、BMWの次世代電気自動車（EV）コンセプト「Neue Klasse（ノイエ・クラッセ）」の電動パワートレインにおいて、ロームの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が採用されたと発表した。ロームは、車載インバーター向けを中心に、SiCパワー半導体の展開を強化している。

EE Times Japanは今回、半導体製造装置大手Lam Researchでウェット装置技術システム事業を統括するAaron Fellis氏にインタビューを実施。「AI時代の半導体製造」において、ウェット装置にはどのような役割が求められているのかなど詳細を聞いた。

Infineon Technologiesが、NOR型フラッシュメモリおよびFRAM事業を、Winbond Electronics（以下、Winbond）に売却する。Winbondは買収後、同事業を独立した事業体として運営し、社名を「Spansion」とするという。

レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。

台湾の市場調査会社TrendForceによると、2026年第2四半期（4〜6月）のDRAM市場は、前四半期から59.5％増の1547億3000万米ドルになった。Samsung Electronicsがシェアを伸ばし、39.4％のシェアで首位を維持。中国CXMTも売上高をほぼ倍増させ、シェアを9.5％に拡大した。

イメージセンサー大手ソニーセミコンダクタソリューションズが、約1.5フレームの低遅延で映像のブレや傾きを補正するスタビライザーLSIの市場開拓を進めている。MotoGPなどで採用が広がる同製品の詳細を担当者に聞いた。

5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。

Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。

ニデックは2026年9月4日、同社グループで発覚した品質不適切行為を巡り記者会見を実施。外部専門家で構成する調査委員会が844件の品質不適切行為を認定したことを受け、同社社長の岸田光哉氏は「明らかになった事案の全てはわれわれ製造をなりわいとする会社にとって、顧客の信頼の根幹に関わる事案であり、全てを重く受け止めている」と強調した。

米国半導体工業会（SIA：Semiconductor Industry Association）は2026年9月4日（米国時間）、2026年7月の世界半導体売上高が前年同月比135.1％増の1468億米ドルになったと発表した。2026年1〜7月の売上高の合計は既に年間売上高の過去最高額を超えたという。

5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。

ニデックは2026年9月4日、同社グループにおける品質不適切行為などについて、外部専門家で構成する調査委員会の調査報告書を公表した。調査では品質不適切行為844件が認定され、うち60件は法令違反疑いなどの重大事案とされた。