永山準

onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。

ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。

Tower Semiconductor（以下、Tower）は2026年7月14日、日本国内における300mmシリコンフォトニクス（SiPho）、シリコンゲルマニウム（SiGe）および先端パッケージングの研究開発および製造能力を拡充すると発表した。

Boschが、米国カリフォルニア州ローズビルの8インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。

Intelは2026年7月13日、アイルランド・リークスリップ拠点に50億ユーロ（約57億米ドル）を投じ、生産能力を強化すると発表した。AIや高性能コンピューティング（HPC）向け需要の拡大を受け「Intel 3」プロセスで製造する「Intel Xeon 6」および次世代Xeonプロセッサの生産能力を拡大する。

いまは亡きあのDRAMメーカーの『遺伝子』継ぐ企業の名前が。

フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。

Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。

onsemiが、米国の8インチウエハー工場およびフィリピンの後工程工場の2つを売却すると発表した。同社が推進する「ファブライト戦略」の一環であり、全社的な製造コスト構造を改善し、粗利益率の持続的な拡大を図る。

米国半導体工業会によると、2026年5月の世界半導体売上高が前年同月比104.1％増の1206億米ドルと大幅な増加を記録。単月で初の1000億米ドル超えとなった前月からさらに9.2％増となり、過去最高を更新した。

台湾の市場調査会社TrendForceによると、従来型DRAMの契約価格は2026年第3四半期（7〜9月）に前四半期比13〜18％、NAND型フラッシュメモリの契約価格は同10〜15％それぞれ上昇する見込みだという。

住友化学は2026年7月2日、同社の100％子会社である韓国の東友ファインケムが、Samsung Electronics子会社サムスン電機と先端半導体パッケージ向けガラスコア基板事業を行う合弁会社を設立すると発表した。サムスン電機が66％、東友ファインケムが34％を出資し、2026年中に設立する予定だ。

Infineon Technologiesがドイツ・ドレスデンに300mmウエハー新工場を開設した。パワー半導体などを製造し、AIデータセンターや車載、再生可能エネルギーといった市場の需要に対応。フル稼働時には年間で50億ユーロ程度の売上高を見込む。

ルネサス エレクトロニクスは2026年7月1日、同社のタイミングデバイス事業の米SiTimeへの売却が完了したと発表した。2026年12月期第3四半期累計連結決算において譲渡益約4433億円を計上する予定だ。

ソシオネクストは2026年7月1日、TSMCの1.4nm世代プロセス「A14」を活用した高性能コンピュートチップレットを開発すると発表した。

サンケン電気は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、独自のPSJ（Polarization Super Junction：分極超接合）GaN技術を採用したダウンコンバーターIC（試作品）のデモを公開した。注力領域として積極投資を進めるGaN事業において、独自技術を生かした製品開発が着実に進んでいることを示した。

Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。

ソニーセミコンダクタソリューションズが高解像度とオートフォーカス（AF）性能を両立する新たな画素構造「RB2×2 OCL」を採用したイメージセンサーを開発した。1/2型で有効約6400万画素のセンサーで、主にスマートフォンの望遠カメラ向けを想定。この構造を量産品に搭載するのは「業界初」（同社）という。今回、開発担当者らに話を聞いた。

Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。

フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。

米国半導体工業会によると、2026年4月の世界半導体売上高は前年同月比93.9％増の1105億米ドルと大幅な増加を記録したという。単月で1000億米ドルを超えるのは初。

ソニーセミコンダクタソリューションズが、モバイル向けとして初めてLOFIC（横型オーバーフロー蓄積容量）構造を採用した積層型CMOSイメージセンサーを商品化した。飽和電荷量を従来比約10倍に拡大するとともに、新たなHDR技術や回路技術を組み合わせることで、単一露光で100dBのダイナミックレンジを実現した。2026年夏に量産出荷を開始する予定だ。

ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。

ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、SSS）とベルギーの半導体研究機関imecが、次世代の3D集積を可能にする高密度裏面インターコネクト技術を共同開発した。

onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開する。縦型GaNの開発も進めているが、まずは外部ファウンドリー活用による製品によって市場参入を進める。

東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。

TSMCの撤退を受け、8インチでのGaNパワー半導体自社製造に舵を切ったローム。「あと1年半で量産」という目標に向け、浜松に技術者が集結しています。

SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。

ソニーセミコンダクタソリューションズが、理化学研究所と共同で「業界最速」（同社）の撮像と低ノイズ性能を両立するX線CMOSイメージセンサーを開発した。X線検査／計測機向けに商品化し、量産出荷を開始する。

世界半導体市場統計（WSTS）は2026年6月2日、2026年春季の半導体市場予測を発表した。これによると、2027年の世界半導体市場は前年比26.6％増で約300兆円に成長する見通しだ。引き続きAI関連投資が継続することを見込む。

キオクシアホールディングスのメモリ事業部長である井上敦史氏が、第10世代「BiCS FLASH」の開発状況や主要性能、技術的な狙いなどについて語った。

キオクシアホールディングス（以下、キオクシアHD）は2026年6月2日、投資家向け説明会「Investor Day」を開催。同社のSSD事業部長である横塚賢志氏が、AI領域におけるSSD事業戦略を語った。

キオクシアホールディングスは2026〜2028年度の3年間で年平均約4700億円の設備投資を実施する方針を示した。また同社副社長執行役員 財務統括責任者（CFO）の河村芳彦氏は今後の成長について「スーパーサイクルに入っていくと考えられる」と述べ、同社の事業構造が、安定的で高収益な成長を実現できる形へと大きく変化しているとの認識を示した。

半導体製造装置大手のLam Researchは、量産向けのPanel-Level Packaging（PLP）用装置が今後1年以内に顧客の初期パイロット生産に投入される見通しを明らかにした。同社幹部がEE Times Japanなどのインタビューに応じた。

台湾の市場調査会社TrendForceによると2026年第1四半期（1〜3月）、汎用DRAMの契約価格は前四半期比で約93〜98％上昇。この価格上昇を背景に、メモリ業界全体の売上高は前四半期比81％増の970億米ドルにまで拡大したという。

AI向け半導体の大型化に伴い、先端パッケージングの主戦場は、従来の円形ウエハーから大型の矩形パネルへ移行している。こうした中でPanel-Level Packaging（PLP：パネルレベルパッケージング）技術を強化しているのが半導体製造装置大手Lam Researchだ。今回、Lamの担当者がPLP向け装置事業の詳細を語った。

半導体製造装置大手のLam Research（以下、Lam）が、Panel-Level Packaging（PLP：パネルレベルパッケージング）技術を強化している。同社は2026年5月20日（オーストリア時間）、オーストリア・ザルツブルクにPLP技術に特化した拠点「Panel-Level Packaging Center of Excellence（以下、Panel CoE）」を正式に開設した。EE Times Japanが現地で取材した。

好調なiPhone需要を追い風に過去最高業績を更新したソニー半導体ですが、同時に競争環境の変化を見据えた大きな構造転換も進み始めています。

ソニーセミコンダクタソリューションズの最高技術責任者（CTO）である大池祐輔氏への、イメージセンサー技術戦略インタビュー後編だ。車載や産機を含めたアプリケーションごとの技術戦略やフィジカルAIの機会および中国競合勢に対する見解、CTOとして今後の技術革新に向けた思いなどを聞いた。

スマートフォン市場の成熟などで競争環境が変化する中、イメージセンサー世界首位のソニーセミコンダクタソリューションズは今、大きな転換点にある。今回、同社CTOの大池祐輔氏に同社を支える技術革新の背景と、今後の進化の方向性を聞いた。

ローム社長の東克己氏は2026年5月12日、「デンソーとの提携によるアナログ、東芝デバイス＆ストレージ（D＆S）および三菱電機との取り組みによるパワー、この両輪を強化することでソリューション提供力を高め企業価値の最大化を目指していく」などと述べた。

ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「（これまでの『膿み』は）今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。

米国半導体工業会（SIA：Semiconductor Industry Association）によると、2026年3月の世界半導体売上高が前年同月比79.2％増の995億米ドルと大幅な増加となった。前月（2026年2月）まで9カ月連続でマイナス成長だった日本も7.1％増となり、全地域でプラス成長になった。

ソニーグループは2026年5月8日、2026年度通期の業績見通しを発表した。イメージング＆センシングソリューション（I＆SS）分野の2026年度売上高は前年同期比4％減の2兆700億円と、減収を見込んでいる。一方、営業利益は同12％増の4000億円になると見ている。

2026年5月8日、ソニーセミコンダクタソリューションズとTSMCは、次世代イメージセンサーの開発／製造に関する戦略的提携に向けた基本合意書（MOU）を締結し、合弁会社（JV）設立を検討すると発表した。同日開催されたソニーグループの業績説明会では、同社社長 最高経営責任者（CEO）の十時裕樹氏が、その狙いや期待について語った。

ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、ソニー）とTSMCは2026年5月8日、次世代イメージセンサーの開発／製造に関する戦略的提携に向けて、法的拘束力を伴わない基本合意書を締結したと発表した。ソニーが過半数の株式を保有し支配株主となる合弁会社（JV）の設立を検討するとともに、熊本県合志市に新たに建設されたソニーの工場への開発および生産ラインの構築に向けた検討を進めていく。

キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS（MSA-CBA）構造で、「世界初」（両社）のクアッドレベルセル（QLC）動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付ける。

三菱電機は2025年度通期（2025年4月〜2026年3月）業績を発表した。半導体部門（セミコンダクター・デバイスセグメント）の売上高は前年度比7億円増の2871億円、営業利益は同69億円増の475億円だった。パワー半導体の需要停滞は継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。

ドイツのフラウンホーファーISSTとFujitsu Researchは、複数企業による連合学習（Federated Learning）で構築したAIモデルから、特定企業のデータだけを後から完全削除できる「Federated Unlearning（連合アンラーニング）」技術を開発した。フラウンホーファーISSTが、ドイツで開催された「ハノーバーメッセ2026」（4月20日〜24日）で公開した。

三菱電機の社長である漆間啓氏は2026年4月28日、ロームおよび東芝と進めるパワー半導体事業統合協議について、「3社のパワー半導体事業を切り出し、合弁会社を設立したい」と述べた。