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ダブルパルステスターで高精度なデバイスモデルを：
SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーションを実施する必要性が高まっている。しかし、「実測値とシミュレーション結果が合わない」というケースが頻発している。なぜ、シミュレーションがうまく行かないのか。その理由と解決策を紹介してきたい。
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武田亮／橋本憲良（キーサイト・テクノロジー）
武田亮／橋本憲良（キーサイト・テクノロジー）がアイティメディアで執筆した記事一覧です。
