News：ニュース速報 2003年6月10日　09:07 PM 更新

IBMとInfineon、MRAMのロジックベースへの統合に成功

米IBMと独Infineon Technologiesは6月10日、次世代不揮発性メモリのMRAM（Magnetic RAM）をロジックベースに統合する技術を開発したと発表した。

　米IBMと独Infineon Technologiesは6月10日、次世代不揮発性メモリのMRAM（Magnetic RAM）をロジックベースに統合する技術を開発したと発表した。MRAMは磁気を使用するため、CMOSロジックプロセスとの親和性が問題になっていた。Infineonは早ければ2005年にも生産準備を整えるとしている。

　京都で開催中の「2003 Symposium on VLSI Technology」で、128KビットのMRAMコアを公開する。0.18μメートルのロジックベースのプロセス技術で製造され、メモリセルは1.4平方μメートルと現時点では最小サイズを実現した。

　MRAMは、電荷の代わりに磁気の向きでデータを記憶する。DRAM並みの高速さと低消費電力、さらに電源をオフにしても記憶内容を保持する不揮発性も備えた次世代メモリとして期待されている。PCに使用すれば、OSをMRAM内に格納することで瞬時に起動することも可能になると考えられている。


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