News：東芝とSanDisk、90ナノメートルNANDフラッシュを開発

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2003年6月11日　05:52 PM 更新

　東芝と米SanDiskは6月11日、90ナノメートル（0.09μメートル）プロセスのNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。2004年第1四半期に2Gビット品を製品化する計画だ。

セル構造図

　従来のメモリセルは部分ごとに加工形状が異なり、複数のパターンを使用して位置を合わせながら加工していた。だが微細化が進むにつれパターンの合わせずれが大きくなるため、110ナノメートル以降に加工限界に達するとされてきた。

　新技術では、加工形状を見直したほか、製造プロセスの改善で加工寸法のばらつきをなくし、パターン合わせずれが生じない「完全自己整合型」メモリセルを実現した。セルサイズは0.041平方μメートルと世界最小。90ナノメートル以降の微細化にも対応できるとしている。

　多値化による4Gビット品も製品化する予定。生産は両社合弁のフラッシュビジョン（三重県四日市市）で行う。成果は、京都で開催中の「2003 Symposium on VLSI Technology」で発表した。

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