News：ニュース速報 2002年10月10日　06:16 PM 更新

東芝とSanDisk、90ナノ・4GビットNANDフラッシュを共同開発へ


　東芝と米SanDiskは10月10日、0.09μメートル（90ナノメートル）のNAND型フラッシュメモリプロセス技術を共同開発すると発表した。早期に4Gビット品の開発を目指す。

　0.09μメートルプロセスの2Gビット品にSanDiskの多値技術（Multi-Level Cell）を導入、セル当たりの容量を2倍に向上して最大容量を4Gビット（512Mバイト）に引き上げる。サンプル出荷は2003年後半を予定し、2004年第1四半期に製品化する計画だ。

　両社は9月に0.13μメートルプロセスの1Gビット品を製品化したばかり。これまで0.21μ／0.16μ／0.13μメートルプロセスのNAND型フラッシュ技術を共同開発してきた。0.09μプロセス品は両社が設立した合弁会社・フラッシュビジョン（三重県四日市市）で生産する予定。

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