TI、45nmプロセスの詳細発表
Texas Instruments（TI）は6月12日、45ナノメートル（nm）半導体製造プロセスに関する詳細を発表した。液体利用のリソグラフィープロセスを使ってウエハー当たりの生産数を倍増させ、パフォーマンス向上と消費電力の削減を図っている。
TIでは193nmのイマージョンフォトリソグラフィーを初めて導入し、「ライバルには実現できないレベル」の密度を達成。193nmのイマージョンツールは、レンズとウエハーの間に薄い液体の層を置いて回路設計小型化のプロセスを容易にするもの。
この結果、SRAMメモリセルのサイズを0.24平方ミクロンにまで縮小。これまでに発表された45nmメモリセルデバイスに比べ、最大で30％の小型化を実現したとしている。
45nmプロセスは米テキサス州ダラスの300mmウエハー工場で製造される。年内に低消費電力のASICデザインライブラリの提供を開始し、2007年にSoC製品のサンプルを出荷、2008年半ばに製造を開始する予定。
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