Hynix、「世界最速最小」のモバイルDRAMを開発

Hynixは第3世代携帯電話向けに、小型高速のモバイルDRAMを開発した。

[ITmedia]

　韓国Hynix Semiconductorは12月4日、200MHzで動作する512MビットのモバイルDRAMを発表した。新DDR SDRAMのデータ転送速度は毎秒1.6Gバイトで、サイズは8×10ミリと小型化を実現している。メモリ容量と高速処理を必要とする第3世代携帯電話向けに出荷する。

　Hynixは新しいモバイルDRAMとNAND型フラッシュメモリをマルチチップパッケージ（MCP）としてまとめて提供することで、携帯電話デザインのスリム化を支援する。