Samsung、16GビットNAND型フラッシュのサンプル出荷開始

Samsungは、50nm製造プロセスによる16GビットNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。

[ITmedia]

　韓国Samsung Electronicsは1月3日、50ナノメートル（nm）製造プロセスによる容量16GビットのNAND型フラッシュメモリの出荷を開始したと発表した。2007年第1四半期中に量産開始の見込み。

　同社のMLC（multi-level cell）技術を採用しており、ページサイズは4Kバイトで、従来の2KバイトのMLC NAND型フラッシュメモリと比較すると、データ読み出し速度が2倍以上速く、書き込み性能も150％向上しているという。

　Samsungは、このメモリのSolid State Disk（SSD）などへの採用を見込んでいる。