エルピーダと独Qimonda、DRAM開発で提携

エルピーダと独QimondaはDRAM開発で提携する。4F2セルを適用した40ナノメートル世代DRAMを共同開発をするほか、製品の相互供給も検討する。

[ITmedia]

　エルピーダメモリと独Qimondaは4月24日、DRAMの開発で提携すると発表した。2010年ごろに、メモリセルを4F²に縮小した40ナノメートル世代のDRAMを開発。30ナノメートル世代にも展開していく。

　Qimonda独自の埋め込み型ワード線技術とエルピーダのスタックキャパシタ技術を融合。広島とドレスデンの開発拠点にエンジニアを相互派遣し、技術プラットフォームと設計ルールを共同開発する。

　TSV（Through Silicon Via Packaging：貫通電極）や、次世代メモリの開発も検討。製品の相互融通や合弁工場の設立も視野に入れる。

　エルピーダの坂本幸雄社長は「強い競争の中ではよりスピーディで効率的な技術開発を進めることが必須。Qimondaとの共同開発は、DRAM市場におけるナンバー1への道を確実にするもの」とコメント。Qimondaのキンワー・ローCEOは「DRAM業界の大手2社が提携することで、R＆Dの効率化や将来的な共同生産の可能性も見出せる」としている。