エルピーダ、新メモリ「ReRAM」を開発　高速で不揮発性

公開 2012年01月24日 19時35分

更新 2012年01月25日 11時29分

[ITmedia]

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　エルピーダメモリは1月24日、次世代メモリ「ReRAM」（Resistance Random Access Memory：抵抗変化型メモリ）の開発に初めて成功したと発表した。不揮発性ながらNAND型フラッシュメモリと比べて高速で、情報機器用メモリの大幅な省電力化が可能という。来年にも量産開始を目指す。

　電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として使ったメモリ。フラッシュメモリと同様、電源を落としてもデータを保持できる不揮発性で、さらにデータの読み書きが高速かつ消費電力も少ないのが特徴。DRAMとフラッシュのメリットを兼ね備えているとしている。書き換え可能回数は100万回以上とNANDフラッシュの10倍以上という。

　試作品は50ナノメートルプロセスで製造し、64Mビットのメモリセルアレイ動作を確認した。今後さらに開発を進め、来年にも30ナノメートルプロセスによるギガビットクラスの製品の量産を目指す。

　開発は独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構との共同研究事業で、シャープ、独立行政法人産業技術総合研究所、東京大学と共同で進めている。

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