東芝、韓国HynixとMRAMを共同開発

東芝が韓国Hynix SemiconductorとMRAM（磁気抵抗変化メモリ）技術を共同開発へ。早期の本格的な実用化を加速する。

[ITmedia]

　東芝は7月13日、韓国Hynix SemiconductorとMRAM（磁気抵抗変化メモリ）技術を共同開発することで合意したと発表した。韓国内にあるHynixの研究施設で両社の技術者が共同で開発に当たる。将来の製造面での協業も今後協議していく。

　MRAMは、フラッシュメモリと同様に電源を切ってもデータを保持できる不揮発性メモリ。低消費電力かつ書き込み速度が高速なのが特徴で、東芝は自社のNANDフラッシュと組み合わせることで新しいアプリケーションを創出できると期待している。

　東芝、HynixともMRAM技術の研究開発で実績があり、両社で組むことで開発コスト負担を抑えつつ、MRAMの本格的な実用化を加速する狙い。