最新記事一覧
STMicroelectronicsは、相変化メモリを内蔵し、18nm FD-SOI技術を採用した高性能マイコン「STM32V8」を発表した。工場自動化、モーター制御、ロボットなどセキュリティ要求の高い機器にも幅広く対応できる。
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2025年8月に開催された「FMS（the Future of Memory and Storage）」の一般講演を紹介する。今回は、Yole Groupのシニアアナリストがメモリ市場の概況を解説する講演を取り上げる。
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STマイクロエレクトロニクスは、マイコン製品群「STM32」の新製品として「STM32V8シリーズ」を発表した。同社の最先端プロセスである18nm 完全空乏型シリコンオンインシュレーター（FD-SOI）プロセス技術を採用し、相変化メモリ（PCM）を内蔵したハイエンド製品で、要求の厳しい産業用途に適する。
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東京科学大学の菅原聡准教授らによる研究グループは、0.2Vという極めて低い電圧でデータを保持できるCMOSメモリ技術を開発した。試作したSRAMマクロは、待機時の電力を不揮発性メモリ並みに削減できるという。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載向けPMIC「SPSA068」を発表した。単電源で動作するマイクロコントローラー向けで、AEC-Q100やISO26262機能安全に対応。既に量産を開始している。
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ノルディックセミコンダクターは、ワイヤレスSoC「nRF54LM20A」を発表した。同社従来品比で処理性能、処理効率が向上し、消費電力が低減している。2026年1〜3月に量産開始予定だ。
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Nordic Semiconductorは、超低消費電力ワイヤレスSoC「nRF54L」シリーズ向けの「nRF Connect SDK Bare Metal」オプションを発表した。Zephyr RTOSに依存することなくBLEアプリケーションを効率良く開発できる。
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ドイツ国内のメモリ工場、実現すればQimonda以来。
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PCのパフォーマンスを左右する「仮想メモリ」。普段は意識しにくいが、物理メモリと補完し合いながらPCのパフォーマンスを支えている存在だ。本稿では両者の違いや仕組み、進化の背景を解説する。
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物質・材料研究機構は、トンネル磁気抵抗で電気抵抗の変化率が振動する現象を、理論的に解明した。磁性層と絶縁層の界面における波動関数の重ね合わせを取り入れることで、振動現象の理論的な再現に成功した。
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マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、中級者の方からよく質問される「低消費電力モードの使い分け」についてです。
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香川大学と兵庫県立大学は、有機半導体と太鼓型分子を連結させた新しい有機半導体を開発した。この連結分子は、酸化還元に対し優れた安定性を示すことが分かった。不揮発性メモリに応用すれば、素子構造の簡素化が可能となる。
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TSMCはオランダで開催したイベントにおいて、ドイツ・ミュンヘンに「European Design Center（欧州設計センター）」を設立すると発表した。2025年第3四半期（7〜9月）に開設し、欧州の顧客企業をサポートしていく予定だ。
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大阪大学と熊本大学、東京都市大学らの共同研究グループは、半導体pn接合を有するデバイス構造において、室温（27℃）環境でスピン伝導を観測することに初めて成功した。新型の半導体スピントロニクスデバイス「スピンTFET」を実現するための第一歩となる。
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磁気抵抗メモリ（MRAM）／抵抗変化型メモリ（ReRAM）などの新興メモリは、宇宙や防衛など、特殊な用途だけでなく、車載などでも採用できる準備が整ってきた。
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東京科学大学と住友化学は、強磁性体の自発分極による強磁性体の保磁力について、その変化を確認した。MRAM（磁気抵抗メモリ）の消費電力をさらに小さくできる可能性が高いという。
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注目デバイスの活用で組み込み開発の幅を広げることが狙いの本連載。今回から、前回紹介したFPGA評価ボードの万能UI「dpad3」改め「imaoPad」を使って、FPGAを最初から学んでみたい方やバイナリプログラミングでコンピュータを基礎から学び直したい方を対象とした記事を展開していく。
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STMicroelectronicsが、独自の相変化メモリ（PCM）技術に基づく最新メモリ技術「xMemory」搭載した、新しい車載マイコン「Stellar」シリーズを発表した。今後発売する全てのStellar PおよびGシリーズ製品にxMemoryを採用する予定で、まず「Stellar P6」を2025年末ごろに量産開始する。
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STマイクロエレクトロニクスは、GNSSレシーバー「Teseo VI」ファミリーを発表した。マルチ衛星に対応したほか、最大4バンドの信号を同時処理する能力も備えている。
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Ambiqは、SoC（System on Chip）の新製品「Apollo330 Plus」シリーズを発表した。デバイス上での常時接続やリアルタイムのAI推論向けで、3製品を提供する。BLEやIEEE 802.15.4、Matter、Threadに対応する。
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AMDは、ハイエンドの組み込み機器向けプロセッサの新製品「AMD EPYC Embedded 9005シリーズ」を発表した。同社の最新アーキテクチャである「Zen 5」と「Zen 5c」を採用しており、1チップで最大192コアを集積するとともに、前世代と比べてワークロードの処理性能が最大1.6倍、電力効率が1.3倍などの性能向上を果たしている。
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東北大学は、有機分子の分子設計と固体中における分子配列を適切に制御することで、複数の機能を共存させた「固体有機材料」を信州大学と共同で開発した。この材料は、固体状態で光応答性と強誘電性が共存しており、高密度な電場−光メモリ素子への応用が期待される。
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今回は、第2章第2節第1項（2.2.1）「メディカル・ライフサイエンス市場向けデバイスの事例検討」を紹介する。「2.2.1」の始めは「2.2.1.1 低侵襲性医療：カプセル内視鏡の事例」である。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載マイコン向けパワーマネジメントIC「SPSB100」を発表した。起動シーケンスをプログラムし、システム要件に合わせて出力電圧や電流範囲を微調整できる。
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産業技術総合研究所（産総研）と東京科学大学は、強誘電体メモリ（FRAM）に用いる新材料として「GaScN結晶」を開発した。金属添加物（Sc）の濃度を高めることで、杭電界を小さくした。これにより、従来の窒化物材料と比べメモリ動作に必要な電圧を60％も下げることができるという。
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エイブリックは、民生、産業機器用リニアホールIC「S-5611A」を発売した。出力応答時間は1.25マイクロ秒、入力磁束密度換算ノイズ電圧密度は0.09μT/√Hz、400kHz時の出力ノイズ電圧は1.89mVrmsと、高速応答と低ノイズが特徴だ。
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バッテリー容量の制限や処理能力の限界が、IoTデバイスの性能向上を妨げている。東京理科大学が新たに開発した技術は、そうした限界を克服できるAIモデルの実現可能性を示すものだ。どのような仕組みなのか。
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STマイクロエレクトロニクスは、マイクロプロセッサ「STM32MP2」用のパワーマネジメントIC「STPMIC25」を発表した。16チャンネル分の電源を1パッケージに集積している。
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STマイクロエレクトロニクスは、ウェアラブル機器や医療機器、アセットトラッキング、電動アシスト自転車といった用途に向けたページEEPROM「M95P」を発表した。シリアルフラッシュの速度／容量と、EEPROMのバイトアクセスという柔軟性を両立させた。
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加賀FEIは、Bluetooth 6.0対応のアンテナ内蔵BLEモジュール「ES4L15BA1」を開発した。3.25×8.55×1.00mmと小型で、サンプル提供は2025年2月、量産開始は2025年9月の予定だ。
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EUは「欧州半導体法」を制定し、半導体業界における競争力とレジリエンス強化を目指している。同法に基づいて430億ユーロの資金が調達される予定で、既に複数の工場や研究開発施設の建設プロジェクトが進行している。
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東北大学と慶應義塾大学は、クロム窒化物がアモルファス相を介さない相変化により、大きな電気抵抗変化を示すことを発見した。高速ジュール加熱を施し、透過電子顕微鏡により相変化メカニズムの解明を試みた。
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EDN Japanの記事からクイズを出題！ 半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。
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東北大学と慶應義塾大学、漢陽大学校（韓国）、産業技術総合研究所（産総研）らの研究グループは、クロム窒化物（CrN）が高速な相変化によって電気抵抗が大きく変化することを発見した。CrNは環境に優しく動作電力を低減できることから、相変化メモリ（PCRAM）の情報記録材料として期待されている。
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これまであまり物理的なサーバとストレージに触れてこなかった方を対象に、AWSを用いてサーバとストレージの基礎知識を解説する連載。第2回は、Amazon EC2向けのストレージサービス「Amazon EBS」を詳しく解説する。
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Nordic Semiconductorは、「ワイヤレスジャパン 2024」（2024年5月29〜31日／東京ビッグサイト）に出展し、Bluetooth 5.4やLE Audio、Bluetooth Mesh、Thread、Matterなどの通信規格に対応した最新のマルチプロトコルSoC（System on Chip）を展示した。
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2024年8月に「フューチャーメモリアンドストレージ（FMS：The Future Memory and Storage）」が米国で開催される。「Flash Memory Summit」から名称を変更したイベントとなる。
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インフィニオン テクノロジーズは、本格的なAI搭載を実現するIoT機器向けの新マイコン「PSOC Edge」を発表した。「PSOC Edge」は、特定顧客へのサンプル出荷を開始している。
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急速に成長している市場として注目を集めるHBM（広帯域幅メモリ）。HBMをはじめ、メモリを手掛けるメーカーは、どのような戦略を立てるべきなのか。本稿ではメモリベンダーの“生き残り戦略”を解説する。
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東京大学は、交換バイアスによりワイル反強磁性体「Mn▽▽3▽▽Sn」の磁気状態を室温で制御可能なことを発見した。反強磁性体を用いた超高速、超省電力の次世代メモリを開発するための重要な技術と位置付ける。
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STマイクロエレクトロニクスは2024年4月、32ビットマイコンを中心とした同社の製品群「STM32」の戦略や各製品の特徴についての説明会を開催した。
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ロームは、アナログとデジタルの長所を融合した電源ソリューション「LogiCoA（ロジコア）」の提供を始めた。小〜中電力帯で動作する産業用ロボット機器や半導体製造装置などの用途に向ける。
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STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。
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Ambiqは、「Apollo5」SoCファミリーの新製品「Apollo510」を発表した。Arm Cortex-M55をベースとする新製品は、前世代品の「Apollo4」と比較して電力効率が30倍、高速性能が10倍向上している。
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新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。
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ADAS（先進運転支援システム）の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン／SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン／SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース（I/F）では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。
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STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。
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ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。
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