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「DRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ企業の幹部は、メモリ市場の未来が次世代の携帯電話にいかにけん引されるかについてよく語っている。現在、大きなけん引役となっているのは5G(第5世代移動通信)だ。

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これまで次世代メモリに関しては、さまざまな議論がなされてきた。例えば、「IoT(モノのインターネット)の登場によって生み出されたビジネスチャンスにどう対応するのか」「SRAMのような高価格帯製品を選択せずに済む方法はあるのか」といった内容が挙げられる。Etronは、答えの一つが「低減ピンカウント(RPC:Reduced Pin Count)DRAM」だと考えているようだ。

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ChangXin Memory(以下、ChangXin)は、「中国で唯一のDRAMメーカー」として自社の独自性を公式に主張している。中国は、Yangtze Memory Technology(YMTC)が進めるNAND型フラッシュメモリの製造とGigaDeviceが設計するNOR型フラッシュメモリに加え、国産のメモリデバイスの製造計画を誇っているが、こうした成果よりもさらに大きな野心を抱いている。

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 米国の市場調査会社IC Insightsは2019年7月31日(現地時間)、2019年のIC製品の世界市場予測を発表した。カテゴリー別の売上高は、DRAMが、IC市場全体の17%を占めてトップを維持するものの、前年比では37.6%減少する見込みだという。また、NAND型フラッシュメモリの売上高は同31.7%減で、IC市場で第3位のカテゴリーになると予測している。

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エンジニアたちは現在、折りたたみ式スマートフォンや折り曲げ可能なディスプレイ、次世代DRAMなどの実現に向けて取り組む上で、大きな課題に直面している。しかしそこには、新しいクラスのヘルスケアデバイスや3Dチップスタックを提供することが可能な、数々のチャンスが広がっている。

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スマートフォンなどモバイル機器の多くは、待機状態の割合が長く、待機時の消費電力削減が重要です。モバイル機器に搭載されるDRAM(モバイルDRAM)も低データレートでの消費電力削減が求められています。そうした中で、ウィンボンドは、低データレートで動作するモバイルDRAMの消費電力を劇的に低減させる新機能を開発しました。

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富士通研究所と富士通は、フラッシュメモリを利用してサーバの主記憶容量(DRAM)を仮想的に拡張する技術「MMGIC」の実証実験をインドSify Technologiesの協力を得て実施した。その結果、同技術を適用すると、サーバ1台で10台分と同等の処理性能を発揮することを確認した。

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「ISSCC 2018」2日目午前に行われるセッションのうち、セッション9〜12の見どころを紹介する。76GHz〜81GHz帯を使用する車載用ミリ波レーダー送受信回路や、超小型の慣性式ナビゲーションシステム、GDDR6準拠の16GビットDRAMなどが登場する。

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今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。

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