最新記事一覧
2025年8月に米国で開催された「FMS（the Future of Memory and Storage）」の講演を紹介する。今回は、TrendForceのシニアバイスプレジデントを務めるArvil Wu氏の講演概要を説明する。
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今回から、2025年8月に開催された「FMS（the Future of Memory and Storage）」の一般講演の一つを紹介する。アナリストであるJim Handy氏の講演「Memory and Storage, Current Status and Future Projections（メモリとストレージの現状と将来）」だ。
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SK hynixが量産用の高NA（開口数） EUV（極端紫外線）露光装置「TWINSCAN EXE:5200B」を韓国・利川市のファブ「M16」に導入した。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると、2025年第2四半期（4〜6月）の世界DRAM売上高は前四半期比17.1％増の316億3000万米ドルになった。ランキングではSK hynixが前四半期に続き首位となり、2位のSamsung Electronics（以下、Samsung）との差を広げた。
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最近の更新を適用したWindows 11 2024 Update（バージョン24H2）で、SSDに大量のデータを書き込んだらドライブが消失した――そんな報告がSNSで見受けられる。この問題はDRAMレスSSDで発生する可能性があることは判明しているが、根本的な原因など詳細はまだ分かっていない。
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AI需要を背景にロジックとメモリへ集中する半導体市場で、MCUやアナログ主体の日本は取り残されつつある。先端分野への投資不足が続く中、DRAMメーカーの誘致や強い企業への支援、設計力強化が急務だ。今こそ実効性ある政策が求められる。
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Micron Technologyは、2000億米ドルを投じてメモリチップの生産を米国に戻すことを計画している。ただし、複数のアナリストが米国EE Timesに語ったところによると、この計画は課題に直面しているという。
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中国のDRAM最大手ベンダーCXMTが、DDR4メモリの生産を2026年中旬までに終了させるという。DDR4を、米国メーカーの半額という猛烈な価格で販売し、メモリ生産量も増やしていたCXMTがなぜ、ここに来て突然、生産終了を決断したのだろうか。
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SCMといえば、これまでもいろいろありましたが。
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Micron Technologyは、モバイル機器でのAI処理に適した1γ（ガンマ）ノードベースの低電力DRAM「LPDDR5X」のサンプル出荷を始めた。高速データ転送速度と省電力を実現しつつ、厚みを0.61mmに抑えた業界最薄のパッケージ品も用意した。
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台湾の市場調査会社TrendForceが2025年第1四半期（1〜3月）の世界DRAM売上高の最新調査結果を発表した。それによるとSK hynixがSamsung Electronics（以下、Samsung）を抜き首位の座に就いたという。
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Micron Technology（マイクロン）は、次世代CPU向け1γDRAMノードベースのDDR5メモリのサンプル出荷を開始した。データセンターやAI PC、スマートフォン、自動車など、幅広い分野での展開を見込んでいる。
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Micron Technologyは、1γ（ガンマ）ノードDRAM技術を採用したDDR5メモリのサンプル出荷を開始した。1γノードは、前世代である1β（ベータ）ノードと比べて、速度を15％改善。消費電力は20％以上削減し、ビット密度も30％以上向上した。
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米Micron Technologyは、業界初となる1γDRAMノードをベースとしたDDR5メモリのサンプル出荷開始を発表した。
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キオクシアは、生成AIの回答精度を向上するSSDを活用したソフトウェア技術「KIOXIA AiSAQ」を公開した。インデックス化されたデータをSSDに配置するため、DRAM容量に依存せず大規模なデータベースを検索できる。
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マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初心者の方からよく質問される「DRAMとは何？」についてです。
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キオクシアは、酸化物半導体（InGaZnO）トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。
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DRAMのメモリモジュール規格「DIMM」に代わる「CAMM」が採用され始めている。CAMMはDIMMとは何が違うのか。メモリモジュール進化の変遷を踏まえて解説する。
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Samsung Electronicsが「業界初」（同社）となる24GビットのGDDR7 DRAMを開発した。2024年中に主要GPU顧客の次世代AIコンピューティングシステムでの検証が開始され、2025年初めには生産開始する予定だという。
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SK hynixが、「業界で初めて」（同社）12層のHBM3E製品の量産を開始した。DRAMチップを40％薄くしたことで、従来の8層製品と同じ厚さで容量は36Gバイトを実現している。2024年末までに顧客に供給予定だという。
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Intelは「Lunar Lake」のコード名で開発していたAI（人工知能） PC向けSoC（System on Chip）「Core Ultra 200V」を発表した。DRAMをパッケージ内に統合したほか、P-Coreのハイパースレッディングを廃止するなど、大幅な設計変更を行った。
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Infineon Technologiesは2024年8月22日、かつての子会社で2009年に破産したDRAMメーカーであるQimonda（キマンダ）の破産管財人との間で続いていた係争について、和解に合意したと発表した。Infineonが7億5350万ユーロを支払うという。
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SK hynixは、韓国・龍仁市に構築される「龍仁半導体クラスタ」での第1工場および関連施設建設に約9兆4000億ウォン（約68億米ドル／約1兆290億円）を投資すると決定した。HBMをはじめとする次世代DRAMを生産する。
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Applied Materialsが、銅配線の2nmノード以降への微細化と最大25%の低抵抗化を実現する新材料技術を開発した。チップの静電容量を低減し、3D積層ロジック／DRAMチップの高強度化も実現する。
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JEDEC Solid State Technology Associationは2024年3月に、次世代グラフィックス製品向けのメモリ規格「GDDR7」の仕様策定を完了したと発表した。生成AI（人工知能）の急速な普及に伴い、HBM（広帯域幅メモリ）の需要が大幅に増加する中、GDDR7がHBMの“代用品”になる可能性があると関係者は語る。
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米連邦政府は米半導体大手のMicron TechnologyのDRAM生産拡大に、最大61億4000万ドルの助成金を提供すると発表した。Micronはアイダホ州とニューヨーク州の3つのファブに500億ドルを投じる計画だ。
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市場調査会社のYole Groupは、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の市場分析を発表した。2023年のDRAM／NANDの売上高は供給過剰で価格が下落し2016年以来の低水準となったが、2024年にはデータセンター／民生機器などの需要増と各社の戦略的減産によって需給バランスが正常化し、市場が回復に向かう見込みだという。
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2024年4月3日朝、台湾東部沖を震源とするマグニチュード7.2の地震が発生した。台湾の市場調査会社TrendForceによると、TSMCやUMCなどのファウンドリーやDRAMメーカー各社は点検のため工場をの操業を相次いで停止したものの、初期被害は軽微とみられるという。
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新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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ADEKAは、ADEKA KOREA CORPORATION全州第三工場内に、先端半導体向け新規材料の製造棟を新設する。次世代以降DRAM向け新規材料や、次世代ロジックおよびNAND向け材料の製造を予定する。
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Samsung Electronicsが、「業界初」（同社）となる12層の36Gバイト（GB）HBM3E DRAM製品「HBM3E 12H」を開発した。既にサンプル出荷を行っていて、2024年前半の量産開始を予定している。
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半導体市場の本格的な回復が予想されている2024年。鍵を握るのがメモリだ。本稿では、DRAM／NAND型フラッシュメモリの価格推移と企業別売上高の動向から、半導体市場の回復基調の時期を探る。さらに、そこから読み取れる、メモリメーカーの“栄枯盛衰”を示す。
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マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。競合製品と比較して、ビット密度は45％以上、エネルギー効率は最大24％、AI（人工知能）学習のパフォーマンスは最大28％向上している。
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米Micron Technologyは、モノリシック32Gb DRAMを採用した大容量高速仕様の128GB DDR5 RDIMMを発表した。
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マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800〜7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。
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Micron Technologyの広島工場（広島県東広島市）は、経済産業省より最大1920億円の助成金を受け取ることに決まったと発表した。EUV（極端紫外線）露光を用いた1γ（ガンマ）DRAMの生産や、次世代広帯域メモリ（HBM4）の研究開発などに充てる。
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Micron Technologyは、経済産業省から最大1920億円の助成金の支援を受けると発表した。
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GDDRの「G」は「グラフィックス」の頭文字だが、今日、この高性能メモリのユースケースは“演算性能”に集中している。最近GDDR7 DRAMを発表したSamsung Electronicsは、高性能コンピューティングや人工知能、車載アプリケーションなどの分野でGDDRの採用が進むと予想している。
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Micron Technologyは2023年7月、生成AI（人工知能）などの用途に向けて、1.2Tバイト/秒のメモリ帯域幅と、24Gバイトの容量を実現したHBM3 DRAM「HBM3 Gen2」のサンプリング出荷を開始したと発表した。
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2023年6月に開催された「VLSIシンポジウム2023」は大盛況であった。本稿では、筆者が“ブレークの予感”を抱いた裏面電源供給技術と、3D（3次元） NAND／DRAM技術に焦点を当てて、解説する。
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フランスの市場調査会社Yole Groupは2023年6月27日、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の市場分析を発表した。両市場とも、2023年後半から回復に向かうと予測する。
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Micron Technologyは2023年6月22日、最大27億5000万米ドルで、インド・グジャラート州にDRAMおよびNAND型フラッシュメモリの組み立て／テスト工場を新設すると発表した。インド中央政府と州政府から総事業費の70％の財政支援を受けるという。
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企業においても、個人利用においても、さまざまな用途にSSDが使われつつある。どのような用途であれば、DRAMを搭載しないSSDのメリットを享受できるのか。用途をまとめる。
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SSDにDRAMを搭載しないことでコスト削減などのメリットが見込めるものの、デメリットや導入する際の注意点もある。DRAMレスのSSDを使用する上で知っておくべき注意点とは。
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企業のデータ保管を支えるストレージとして広く使われる「SSD」。その利用を最適にするために考慮すべきポイントが「DRAM」の存在だ。DRAMの有無で何が変わるのか。
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SSDにDRAMを搭載しないことで幾つかの利点が見込めるものの、データセンターはその活用には消極的だった。ただし以前とは状況が異なる。DRAMをなくす利点を踏まえて考えてみよう。
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Micron Technologyは、広島県と連携して、次世代DRAMを製造することに加え、強固で高度な技術を持つ半導体人材の育成を目指すことを発表した。広島大学を含む日米の11大学とともに、人材の育成を進めていく。
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通常、SSDはDRAMを搭載しており、DRAMはさまざまな役割を担っている。ただしDRAM搭載には利点だけではなく懸念点もある。DRAMをなくすことで何が見込めるのか。
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Micron Technologyは2023年5月22日、EUV（極端紫外線）リソグラフィ適用の1γノードDRAMの生産発表に併せて広島工場で記者会見を実施した。
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Micron Technologyが、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を適用した1γノードのDRAMを、広島工場で製造すると発表した。1γノードの立ち上げは2025年以降を予定している。
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