最新記事一覧
Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数（NA）極端紫外線（EUV）露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」（両社）となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。
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キオクシアは、半導体メモリとストレージに関するイベント「FMS: the Future of Memory and Storage」で紹介した技術のメディア向け説明会を開催し、AI時代のフラッシュメモリの課題や、それにこたえる製品展開について紹介した。
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PCやサーバのメインメモリとして使われる「DRAM」や、ストレージに使われる「NAND型フラッシュメモリ」の需給が逼迫（ひっぱく）する状況が続いている。今後も価格上昇は続くのか。メモリ争奪戦はいつまで続く見通しなのか。
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AI需要の高まりでメモリ需給が逼迫（ひっぱく）する中、メモリの容量不足やコスト増大の課題にアプローチする手法が注目を集めている。キオクシアが発表した技術も、メインメモリの使用効率を高める効果が期待される。
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NEO Semiconductorは、AIメモリシステムにおけるSRAMとDRAMのスケーリング限界を克服するメモリプラットフォーム「NEO.AI」を発表した。
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半導体メモリのパイオニアとして創業し、1985年にDRAM事業から撤退してCPUへ軸足を移したIntel。同社が今、AIの普及によって大きく変化するメモリ市場への回帰をうかがわせている。Intelとメモリの半世紀にわたる歴史を振り返りながら、新たに開発を進める「XBM」「ZAM」と、メモリ事業への本格復帰に向けた課題を探る。
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ソフトバンク100％子会社のSAIMEMORYが開発を進める次世代メモリ「ZAM（Z-Angle Memory）」。DRAMを立てて、横に並べていく垂直ビルド構造が特徴的だが、その起点はIntelの次世代メモリ基盤技術にあるという。ZAMの詳細をSAIMEMORYに聞いた。
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カウンターポイントリサーチが発表した2026年第2四半期（4〜6月、Q2）のDRAM市場におけるシェアランキングによると、Samsungが首位に返り咲いた。Micronは2位のSK hynixに肉薄する。注目企業としてCXMTとNanyaの2社を挙げた。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると、2027年のメモリ市場はDRAMとNAND型フラッシュメモリで需給動向が大きく分かれる見込みだ。DRAMは供給逼迫継続する一方で、NANDフラッシュは供給が緩和する見通しだという。
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中国最大のDRAMメーカーであるChangXin Memory Technologies（CXMT）が、大型IPOに向けて動き出した。DRAMの生産能力では2030年までにMicronを追い抜くとの予測もあり、汎用DRAMの増産に加えてHBM3Eの開発も進める。先端HBM市場で大手3社を脅かす段階にはないものの、DRAMの供給構造や価格に影響を与える存在になりつつある。
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産業用コンピュータ（IPC）や組み込みシステムにおいて、ストレージやメモリなどのコンポーネントに求められる要件は、もはや速度や容量だけではない。システムを長期にわたり安定運用させる上で、コンポーネントやBOMの変更、世代を超えた互換性の確保こそが、設計者が真に頭を悩ませる隠れたコストとなる。同時に、エッジAIアプリケーションの導入加速に伴う高強度のリアルタイム書き込みやデータログの記録は、SSDやDRAMの耐久性にこれまでにない試練を与えている。本稿では、IPCおよび組み込み市場の構造的なニーズを出発点とし、「信頼性」が単なるスペック表の一項目から、安定供給、品質の一貫性、そして長期サポートまでを包括する総合的な能力へとどのように進化しているかを紐解く。
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Counterpointによると、2026年第2四半期の世界スマホ出荷台数は前年同期比11％減となり、第2四半期としては2013年以来の低水準に落ち込んだ。DRAMとNANDの供給不足が深刻化し、端末の値上げが需要を圧迫した。Samsungがシェア24％で首位を奪還し、Appleは同四半期として初の20％に。
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いまは亡きあのDRAMメーカーの『遺伝子』継ぐ企業の名前が。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると、従来型DRAMの契約価格は2026年第3四半期（7〜9月）に前四半期比13〜18％、NAND型フラッシュメモリの契約価格は同10〜15％それぞれ上昇する見込みだという。
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Micronが、日本法人のマイクロンメモリ ジャパンが持つ「広島工場」の生産能力強化に着手した。DRAM／HBMの生産に欠かせないクリーンルームを経済産業省からの支援を受けつつ新設を行う。
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米Appleが、中国の半導体大手CXMTからのメモリ調達を巡り、米トランプ政権に働きかけている。CXMTは米国防総省が中国軍との関連を指摘する企業リストに載っており、Appleは将来同社が禁輸対象に追加されないよう保証を求めているという。
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米Valveが発売した「Steam Machine」は、2025年夏以降に始まったDRAMやSSDの高騰の影響を真正面から受けた悲劇のハードだった。
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AMDは2026年6月、予測型メモリ技術に特化したスタートアップのMEXTの買収を発表した。同技術はNANDフラッシュメモリをDRAMのように動作させ、性能を犠牲にせずにコストを削減し、利用可能な容量を拡大するものだ。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると2026年第1四半期（1〜3月）、汎用DRAMの契約価格は前四半期比で約93〜98％上昇。この価格上昇を背景に、メモリ業界全体の売上高は前四半期比81％増の970億米ドルにまで拡大したという。
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カウンターポイントリサーチによれば、2026年第1四半期（1〜3月）における全世界のDRAM売上高は、前四半期（2025年第4四半期）に比べ80％増加した。この結果、売上高は1000億米ドルに迫り、過去最高となった。
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米中対立や輸出規制の強化によって、DRAMやNANDフラッシュメモリの調達を巡る前提が変わり始めている。HBMなど先端メモリは政策や地域の影響を強く受けるようになり、成熟メモリにも供給継続リスクが広がっている。サプライチェーンの地域化が進む中、機器メーカーには「最安調達」ではなく、継続供給やコンプライアンスを重視した戦略が求められている。
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DRAMの価格が急騰し供給不足が問題となる中、AIシステム設計にも変化が表れている。大規模なAIモデルが無制限に使用されるのではなく、小規模な特化型モデルがより多く用いられるようになってきている。
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NTTは、半導体メモリ素子（DRAMセル）における熱とエントロピーを、電子1個単位で同時測定することに世界で初めて成功した。省エネルギー情報処理デバイスや次世代メモリ技術への応用が期待される。
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サーバ向けDRAMの供給が逼迫している。Broadcomはその市場背景を説明するとともに、VMware製品を例に供給不足への対応策を幾つか紹介した。
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キオクシアホールディングス（以下、キオクシアHD）は2026年3月25日、台湾のDRAMメーカーNanya Technology（以下、Nanya）に156億台湾ドル（約774億円）を出資するとともに、NanyaからDRAMを長期で調達する契約を締結したと発表した。
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Counterpoint Researchは、2026年第1四半期のメモリ価格が前四半期比で最大90％上昇したと発表した。DRAM、NAND型フラッシュメモリ、広帯域メモリ（HBM）の全セグメントで価格が急騰しているという。
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Appleが「Mac Studio」の512GBメモリ構成を廃止した。世界的なDRAM不足を受けとみられ、標準の96GBから256GBへのアップグレード価格も18万円から30万円に値上げされた。AI需要による供給逼迫が、プロ向けデスクトップの仕様に影響しているようだ。
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Micron Technologyは2026年3月、データセンター向けに256GB（ギガバイト）のLPDRAM SOCAMM2のサンプル出荷を開始した。1γ（ガンマ）世代のプロセスを適用した32Gb（ギガビット） LPDDR5Xダイを採用することで、容量が従来の1.3倍に増加した他、標準的なRDIMMに比べて消費電力と実装面積を3分の1に削減できる。
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Micronが、サーバ／データセンター用の「LPDRAM SOCAMM2」において256GBモデルをサンプル出荷を開始した。省電力性と高速性を両立したLPDDR5Xメモリをより大容量に使えるようにすることで、メモリ回りのTCOを改善する狙いがある。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると、2025年第4四半期の世界DRAM市場ランキングにおいて、Samsung Electronicsが前四半期比43.0％増の成長を見せ、SK hynixを抜き再びトップの座を取り戻したという。
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TechInsightsのアナリストによると、「メモリメーカーは過去の好況と不況のサイクルから学び、AI主導の需要に対応するための増産において、より規律ある姿勢を示している」という。HBM／DRAMの供給不足が予測されているが、これはサプライチェーンの混乱によるものではなく、予想を超えるようなかつてない規模で導入が進んでいることが原因だ。
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製造業をはじめ、さまざまな業界でAI導入が本格的に始まった。それに伴い、大規模言語モデル（LLM）に取り込むデータの更新と増大に、いかに対応するかが課題として見え始めている。これを解決し、AIの社会実装を現実的な形で進めるためには、どのようなアプローチがあるのか。Preferred Networksの共同創業者で代表取締役社長を務める岡野原大輔氏と、キオクシア SSD事業部 参事の荒川雅之氏が対談した。
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2026年の半導体市場を占う「10の注目トピック」の中でも、特に反響の大きかった3点を徹底深掘りする。
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DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給不足に続いて、もう1つのメモリ分野であるNOR型フラッシュメモリでも供給危機が発生しつつあり、値上げの可能性も報じられている。一方でAIアプリケーションがかつてない高密度を要求することから、3D構造化への期待も高まっている。
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メモリ価格の上昇ペースが一段と加速。各社の決算会見では、その影響を示唆する発言が出始めています。
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DRAM価格の高騰は、PC市場のみならず、今後は家庭用ゲーム機などにも波及する可能性が指摘されている。メーカーはどのような対策をして、この先をどう見ているのか。任天堂とソニーの決算説明会で語られた内容から読み解く。
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Micron Technologyが、台湾のファウンドリーPSMCと、PSMCが台湾苗栗県銅鑼に有する工場を買収する独占的意向表明書（LOI）を締結した。買収額は18億米ドルを予定している。Micronはこの買収が2027年後半からDRAMウエハー生産の大幅な増加に貢献するとしている。
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NVIDIAが新プラットフォーム「Rubin」を発表。AI需要の爆発によりDRAM不足が深刻化し、PCやスマホの供給にも影響が出始めている。単なるチップから「エコシステム」へと進化し、ネットワークやストレージまでをも飲み込もうとするNVIDIAの戦略と、AIへの過度な投資が招く世界規模のリスクを考察する。
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市場調査会社Counterpoint Researchによると、Samsung Electronics（以下、Samsung）は2025年第4四半期（10〜12月）、DRAM売上高で過去最高の192億米ドルを記録し、SK hynixを上回り4四半期ぶりにDRAM市場でトップになったという。
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2025年にはAIが技術分野において大きな注目を集めたが、新年を迎え、本質的にAIブームとの関係が深い業界もその存在感を示しつつある。AIデータセンターで普及している広帯域メモリ（HBM）デバイスを手掛けるDRAMメーカーは、ファブの生産能力獲得に奔走していて、それが地政学的な緊張によってさらに困難な問題になってきている。
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台湾の市場調査会社TrendForceによると2026年第1四半期（1〜3月）、従来型DRAMの契約価格は前四半期比55〜60％上昇する見込みだという。従来型DRAMは2025年第4四半期にも同45〜50％の上昇を見せていた。
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Counterpoint Researchは、2026年の世界スマートフォン出荷台数予測を下方修正した。AIサーバ向け需要の拡大によりDRAMやNANDフラッシュが不足し、部材コストが高止まりしていることが主因。特に価格競争の激しいミッドレンジ以下のモデルが打撃を受け、出荷台数は前年比2.1％減となる見通しだ。
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価格変更は1月以降に行う──マウスコンピューターは、そんな発表をした。11月ごろからDRAMやフラッシュメモリの価格が高騰しており、その影響と思われる。
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“DRAMパニック”に関する記事が話題になった。メモリ価格が10月以降、高騰し続けており、PCメーカーも値上げを検討しているようだ。これを知り、焦った筆者もPC購入を検討したのだが……
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キオクシアは、高密度／低消費電力の3次元（3D）DRAMの実用化に向けた基盤技術として、高積層可能な酸化物半導体（InGaZnO）チャネルトランジスタを発表した。これによってAIサーバやIoT製品など幅広い用途で低消費電力化が実現する可能性がある。
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世をにぎわす“DRAMパニック”はなぜ発生し、いつ終わるのか？
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DRAMやSSD、HDDなどPCのコア部品の価格高騰が深刻化している。マウスコンピュータやレノボ、デルが早期購入を呼びかける異例の事態に。AI向けデータセンターの需要拡大により、積層型メモリー「HBM」の生産が優先され、DDR5やGDDR6の供給が圧迫されているためだが、メモリ高騰が与える影響について解説する。
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2025年11月、DRAMおよびフラッシュメモリの価格高騰が始まった。特にDDR5の価格の上がり方は異常だ。背後に何があるのかを推測してみた。
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AI技術の普及に伴い、DRAMやNAND型フラッシュメモリの供給が不足し、価格が高騰している。Samsungはメモリの卸売価格を最大60％引き上げた。こうした価格高騰はいつまで続くのか。
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2025年8月に米国で開催された「FMS（the Future of Memory and Storage）」の講演を紹介する。今回は、TrendForceのシニアバイスプレジデントを務めるArvil Wu氏の講演概要を説明する。
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