最新記事一覧
市場調査会社のYole Groupは、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の市場分析を発表した。2023年のDRAM／NANDの売上高は供給過剰で価格が下落し2016年以来の低水準となったが、2024年にはデータセンター／民生機器などの需要増と各社の戦略的減産によって需給バランスが正常化し、市場が回復に向かう見込みだという。
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2024年4月3日朝、台湾東部沖を震源とするマグニチュード7.2の地震が発生した。台湾の市場調査会社TrendForceによると、TSMCやUMCなどのファウンドリーやDRAMメーカー各社は点検のため工場をの操業を相次いで停止したものの、初期被害は軽微とみられるという。
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新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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ADEKAは、ADEKA KOREA CORPORATION全州第三工場内に、先端半導体向け新規材料の製造棟を新設する。次世代以降DRAM向け新規材料や、次世代ロジックおよびNAND向け材料の製造を予定する。
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Samsung Electronicsが、「業界初」（同社）となる12層の36Gバイト（GB）HBM3E DRAM製品「HBM3E 12H」を開発した。既にサンプル出荷を行っていて、2024年前半の量産開始を予定している。
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半導体市場の本格的な回復が予想されている2024年。鍵を握るのがメモリだ。本稿では、DRAM／NAND型フラッシュメモリの価格推移と企業別売上高の動向から、半導体市場の回復基調の時期を探る。さらに、そこから読み取れる、メモリメーカーの“栄枯盛衰”を示す。
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マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。競合製品と比較して、ビット密度は45％以上、エネルギー効率は最大24％、AI（人工知能）学習のパフォーマンスは最大28％向上している。
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米Micron Technologyは、モノリシック32Gb DRAMを採用した大容量高速仕様の128GB DDR5 RDIMMを発表した。
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マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800〜7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。
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Micron Technologyの広島工場（広島県東広島市）は、経済産業省より最大1920億円の助成金を受け取ることに決まったと発表した。EUV（極端紫外線）露光を用いた1γ（ガンマ）DRAMの生産や、次世代広帯域メモリ（HBM4）の研究開発などに充てる。
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Micron Technologyは、経済産業省から最大1920億円の助成金の支援を受けると発表した。
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GDDRの「G」は「グラフィックス」の頭文字だが、今日、この高性能メモリのユースケースは“演算性能”に集中している。最近GDDR7 DRAMを発表したSamsung Electronicsは、高性能コンピューティングや人工知能、車載アプリケーションなどの分野でGDDRの採用が進むと予想している。
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Micron Technologyは2023年7月、生成AI（人工知能）などの用途に向けて、1.2Tバイト/秒のメモリ帯域幅と、24Gバイトの容量を実現したHBM3 DRAM「HBM3 Gen2」のサンプリング出荷を開始したと発表した。
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2023年6月に開催された「VLSIシンポジウム2023」は大盛況であった。本稿では、筆者が“ブレークの予感”を抱いた裏面電源供給技術と、3D（3次元） NAND／DRAM技術に焦点を当てて、解説する。
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フランスの市場調査会社Yole Groupは2023年6月27日、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の市場分析を発表した。両市場とも、2023年後半から回復に向かうと予測する。
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Micron Technologyは2023年6月22日、最大27億5000万米ドルで、インド・グジャラート州にDRAMおよびNAND型フラッシュメモリの組み立て／テスト工場を新設すると発表した。インド中央政府と州政府から総事業費の70％の財政支援を受けるという。
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企業においても、個人利用においても、さまざまな用途にSSDが使われつつある。どのような用途であれば、DRAMを搭載しないSSDのメリットを享受できるのか。用途をまとめる。
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SSDにDRAMを搭載しないことでコスト削減などのメリットが見込めるものの、デメリットや導入する際の注意点もある。DRAMレスのSSDを使用する上で知っておくべき注意点とは。
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企業のデータ保管を支えるストレージとして広く使われる「SSD」。その利用を最適にするために考慮すべきポイントが「DRAM」の存在だ。DRAMの有無で何が変わるのか。
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SSDにDRAMを搭載しないことで幾つかの利点が見込めるものの、データセンターはその活用には消極的だった。ただし以前とは状況が異なる。DRAMをなくす利点を踏まえて考えてみよう。
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Micron Technologyは、広島県と連携して、次世代DRAMを製造することに加え、強固で高度な技術を持つ半導体人材の育成を目指すことを発表した。広島大学を含む日米の11大学とともに、人材の育成を進めていく。
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通常、SSDはDRAMを搭載しており、DRAMはさまざまな役割を担っている。ただしDRAM搭載には利点だけではなく懸念点もある。DRAMをなくすことで何が見込めるのか。
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Micron Technologyは2023年5月22日、EUV（極端紫外線）リソグラフィ適用の1γノードDRAMの生産発表に併せて広島工場で記者会見を実施した。
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Micron Technologyが、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を適用した1γノードのDRAMを、広島工場で製造すると発表した。1γノードの立ち上げは2025年以降を予定している。
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MPU、DRAM、NAND型フラッシュメモリの市況が大変なことになっている。半導体メーカーの統廃合が起きるかもしれない――。そう思わざるを得ないほど事態は深刻だ。
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Micron Technologyは、近年、最先端DRAM技術の発展をリードしてきたメーカーの1社だ。同社の1β（ベータ）ノードのDRAM技術もその流れを維持するものだが、2023年にはDRAM価格の下落が予測される中、他の大手メーカーも、追い上げてきている。
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米Micron Technologyの日本法人であり、最先端メモリ製品の開発や設計、生産を担うマイクロンメモリ ジャパンの広島工場において、1β DRAMの量産製造開始セレモニーが開催された。
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Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月16日、同社の広島工場（広島県東広島市）で、1βnm世代のDRAMの量産開始を記念した式典を開催した。式典には、Micronの社長兼CEOであるSanjay Mehrotra氏、グローバルオペレーションズ エグゼクティブバイスプレジデントのManish Bhatia氏の他、経済産業省 商務情報政策局長の野原諭氏、広島県知事の湯崎英彦氏、駐日米国大使のラーム・エマニュエル氏らも出席した。
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Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月16日（米国時間）、昨今の市況に対応し、DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給量を削減すると発表した。
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米Micron Technologyは、最先端DRAMテクノロジーとなる1βプロセスノードを採用したLPDDR5Xメモリ製品のサンプル出荷を開始した。
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Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月1日（米国時間）、1βnm世代を適用したDRAM（以下、1β DRAM）の量産を開始したと発表した。同社によれば、加工寸法は13nmレベルだという。
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Micron Technology（以下、Micron）は2022年9月30日、最先端1β（ベータ）ノードのDRAMの生産に向けた広島工場（広島県東広島市）の増強について、日本政府から最大約465億円の助成金交付を受ける予定だと発表した。
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メモリ市場は2000年代初期のように、非常に変動の激しい状態にある。当時はEnronを含むいくつかの企業がDRAMの先物取引市場を形成しようとしていた。世界最大のメモリチップメーカーであるSamsung Electronics（以下、Samsung）は、半導体業界が2022年をハードランディング（急激な失速）で終える可能性があると警告した。
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2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。
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Micron Technologyが米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画を発表したことについて、米国の市場調査会社であるIC InsightsのアナリストBrian Matas氏は「半導体製造を米国で行うことは有益だ。CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）は米国の企業が拡張計画を進めるきっかけになった。米国でIC（集積回路）を現地調達できるようになるのは良いことだ」と述べている。
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モバイルメモリの進化は常にスマートフォンの進化を支え、新たなアプリケーションの実現をもたらしてきた。Micron Technologyが開発する最新の「LPDDR5X DRAM」では、性能と電力効率がさらに強化され、次世代のモバイル体験へとつながる新しいアプリケーションの登場を支えている。
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Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。
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多くの民生機器は現在、UFS規格や、フラッシュストレージとDRAMの組み合わせが可能になったマルチチップパッケージ（uMCP）によって、十分なストレージ性能を搭載するようになった。しかし、産業／自動車市場で現在台頭しているユースケースを見ると、システム全体を分解する必要なく容量を増やすためには、簡単に取り外し可能なフォームファクターが非常に有効であるということが分かる。
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最新DRAMの採用は常に、それをサポートするエコシステムによって、製品設計とシステム要件の対応が容易になるかどうかにかかっている。米国のIP（intellectual property）ベンダーであるRambusの「SPD（Serial Presence Detect）」ハブと温度センサーは、DDR5採用の決め手となるかもしれない。
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Samsung Electronics（以下、Samsung）とMicron Technology（以下、Micron）が、中国西安市に保有するメモリチップ工場の生産を減速させている。新型コロナウイルス感染症（COVID-19）感染拡大を受け、人口1200万都市である西安が2021年12月23日、ロックダウン（都市封鎖）に踏み切ったためだ。
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「OptiNAND」とは、Western Digitalが発表したフラッシュメモリを搭載する新たなHDDの設計だ。これがHDDにどのようなメリットとデメリットをもたらすのか。他のHDDやDRAMとの違いも交えて紹介する。
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人気オンラインゲームをホスティングするGPORTALは、Intelの永続メモリモジュール「Optane」を使い始めた。DRAMとほとんど変わらない使用感で、コスト削減とメモリの拡張を実現している。なぜOptaneを採用したのか。
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スマートフォンのメモリ／ストレージ要件は現在も、5G（第5世代移動通信）ネットワークによってけん引されている。しかし、この5Gネットワークだけが、モバイルDRAMやフラッシュメモリに圧力をかけている唯一の要素というわけではない。
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SK hynixは2021年7月12日（韓国時間）、EUV（極端紫外線）露光装置を使用した初めてのDRAM量産を開始したと発表した。10nmプロセス技術の第4世代である「1α（アルファ）nm世代」の8Gビット LPDDR4 モバイルDRAMで、同年後半からスマートフォンメーカー向けに提供する予定だ。
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DRAMが持っていたハードウェアの脆弱性を悪用する「ローハンマー」というサイバー攻撃は、2014年に見つかった古い手法だ。既に対策が講じられているものの、2021年にGoogleが発見した「ハーフダブル」攻撃にはまだ対策が見つかっていない。
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今回はDRAMをロジックLSIに埋め込む技術「eDRAM」の製品化事例を解説する。
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DRAMとNAND型フラッシュメモリの価格を分析した結果、レガシーなDRAMのスポット価格が異常に高騰していることが分かった。また、SSDコントローラーが不足していることも明らかになった。なぜ、このような事態になっているのかを推測する。
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SamsungのSSDに、PCI Express 3.0（NVMe）インタフェース対応のベーシックモデル「Samsung SSD 980」が追加された。DRAMレスおよびHBMの導入はどのような影響を与えるのか、細かくテストを行った。
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Samsung Electronics（以下、Samsung）がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」（同社）となるArF液浸（ArF-i：ArF immersion）ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ（EUVL）適用のD1z DRAMの両方を開発すると発表していた。
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Lam Research（ラムリサーチ）は、エッチングプラットフォーム「Sense.i（センスアイ）」向けに開発した絶縁膜エッチング技術「Vantex」を発表した。次世代の3D NAND型フラッシュメモリやDRAM製造におけるエッチング用途に向ける。【修正あり】
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