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「Micron」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

中国のメモリメーカー「CXMT」が、2026年内に新構造の最先端DRAMを投入すると発表した。既存の韓国勢を2年先行するアグレッシブな動きは、市場に衝撃を与え関連株価の下落を招いている。米国の輸出規制下で自前製造を進める中国の思惑と、過熱するAI投資バブルの限界をDRAM市場の動きから読み解く。

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インフィニオン テクノロジーズは、車載インストルメントクラスタやディスプレイ用途向けのマイクロコントローラー「TRAVEO CYT4EN」を発表した。外部LPDDR4メモリの活用を前提に設計され、高度な2.5Dおよび3Dグラフィックス描画やフルHDディスプレイの駆動をサポートする。

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中国のDRAMメーカーCXMTと、NANDフラッシュメーカーYMTCの動きが活発になっている。昨今のIPO(新規株式公開)による多額の資金調達や、AIブームを受け、DRAMやNANDフラッシュの「専業」メーカーではなく、両方の市場に参入することを検討していると報じられている。メモリビジネスの性質を説明しつつ、両社の思惑を探ってみたい。

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Applied Materialsは50億米ドルを投じて、研究開発施設「Equipment and Process Innovation and Commercialization Center」を開設した。半導体チップの開発サイクルが短くなる中、ファブレスから装置メーカーまでを集結させ、半導体の研究開発および商業化を加速させることを狙う。

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Kepler Computingは、広帯域メモリ(HBM)やSRAMの代替となる新型メモリについて、2027年の生産開始を目指している。独自の3次元(3D)積層技術と強誘電体メモリ技術を活用し、HBMと比べて電力当たりの帯域幅を5〜10倍に高められるという。GlobalFoundriesなどとの協業によって量産を進める方針だ。

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中国のDRAM大手ChangXin Memory Technologies(CXMT)が、NANDフラッシュメモリ市場への参入を検討しているという。AIサーバ需要を背景にメモリ不足が続く中、NAND大手Yangtze Memory Technologies Corp(YMTC)もDRAMへの参入を模索していて、中国の大手メモリ2社が互いの事業領域へ進出する動きが進んでいる。

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Semiconductor Intelligenceが2026年8月に発表した、世界半導体企業ランキング。筆者は、このランキングにTSMCや、急成長するメモリメーカーがいないことに強い違和感を覚えた。そこで、各社の決算資料を基にランキングを作り直してみたところ、ChatGPT登場から約4年で世界半導体産業の勢力図が根本から塗り替えられつつあるという、予想以上に劇的な光景が浮かび上がってきた。

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AIデータセンター向けGPUに不可欠な高帯域幅メモリ「HBM」は、米韓の主要3社による供給が需要に追い付かず、AI進化のボトルネックとなっている。そうした中、中国のDRAM大手CXMTがHBM3Eを少量生産しているとのうわさが流れている。損得度外視の投資と独自の割り切りで技術的障壁を突破しようとする、中国半導体国産化の最前線に迫る。

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AnthropicやOpenAIでは、研究者とエンジニアをまたぐ共通の社内肩書きとして「Member of Technical Staff(技術スタッフの一員)」が使われている。元CTOたちが次々とこの肩書きに転じている現象から、肩書きが専門性を証明しなくなった時代に何が価値を決めるのかを考える。

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中国のNAND型フラッシュメモリメーカーであるYMTCが、中国・上海証券取引所(STAR市場)でのIPO(新規株式公開)に向け準備を進めている。AI市場の急成長で、エンタープライズ向けSSDの需要が高まる中、YMTCは戦略の変更も迫られている。

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半導体メモリのパイオニアとして創業し、1985年にDRAM事業から撤退してCPUへ軸足を移したIntel。同社が今、AIの普及によって大きく変化するメモリ市場への回帰をうかがわせている。Intelとメモリの半世紀にわたる歴史を振り返りながら、新たに開発を進める「XBM」「ZAM」と、メモリ事業への本格復帰に向けた課題を探る。

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カウンターポイントリサーチは、2026年第2四半期(4〜6月、Q2)におけるNAND型フラッシュメモリ世界市場の出荷シェアランキングを発表した。出荷量ではSamsung Electronicsがシェア25%で首位をキープ、YMTCはキオクシアをわずかに上回り3位に浮上した。

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中国最大のDRAMメーカーであるChangXin Memory Technologies(CXMT)が、大型IPOに向けて動き出した。DRAMの生産能力では2030年までにMicronを追い抜くとの予測もあり、汎用DRAMの増産に加えてHBM3Eの開発も進める。先端HBM市場で大手3社を脅かす段階にはないものの、DRAMの供給構造や価格に影響を与える存在になりつつある。

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マイクロンメモリ ジャパンは2026年7月、広島工場の生産能力増強に向けた新クリーンルーム建設の起工式を開催した。AI技術の進展に伴うメモリ需要の増加に対応するもので、2028年後半に製造装置の搬入を開始する予定だ。広島工場には今後、この新クリーンルーム建設を含めて1兆5000億円を投じる。

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Micron Technologyは、米連邦政府の子ども向け資産形成制度「Trump Accounts」に2億5000万ドルを拠出すると発表した。同制度への企業投資としては最大規模となる。トランプ政権発足後、OpenAIやNVIDIAなど大手IT企業が政権の政策に協力し、連携を打ち出す動きが相次いでおり、今回の投資もその一環とみられる。

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AIという強い追い風によって、メモリ/ストレージメーカーの勢いが止まらない。本稿では、HDD、SSD(NAND型フラッシュメモリ)、広帯域メモリ(HBM)などに焦点を当て、それらを手掛けるメーカーの動向と次世代技術における競争状況をまとめる。

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AIデータセンターへの投資は異常なほど過熱している。だが、この分野の投資はGPU/広帯域メモリ(HBM)/電力コストなどの要素と制約が絡み合い、ある「ライン」を超えると一気に崩壊する可能性が高い。今回は、GPU/HBM/電力コストから「AIデータセンター投資の破綻ライン」を逆算してみる。【訂正あり】

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