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「フラッシュメモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

キオクシアは8月27日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の生産能力の増強に向け、岩手県北上市にある工場で新製造棟の建設に向けた準備を開始したと発表した。さらに同日、米SanDisk Corporationとともに、国内半導体に、2032年までに総額約5兆円を投資することも明らかにした。

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キオクシアとSandiskは2026年8月27日、2032年までに日本国内で総額約5兆円を投資する計画を発表した。四日市工場と北上工場でフラッシュメモリの生産能力や関連インフラ、技術を強化する。同日、キオクシアは北上工場の第3製造棟(K3棟)の建設に向けた土地などの整備を開始したことも明らかにした。K3は2029年度中の稼働開始を目指す。

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中国のNAND型フラッシュメモリメーカーであるYMTCが、中国・上海証券取引所(STAR市場)でのIPO(新規株式公開)に向け準備を進めている。AI市場の急成長で、エンタープライズ向けSSDの需要が高まる中、YMTCは戦略の変更も迫られている。

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カウンターポイントリサーチは、2026年第2四半期(4〜6月、Q2)におけるNAND型フラッシュメモリ世界市場の出荷シェアランキングを発表した。出荷量ではSamsung Electronicsがシェア25%で首位をキープ、YMTCはキオクシアをわずかに上回り3位に浮上した。

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AIという強い追い風によって、メモリ/ストレージメーカーの勢いが止まらない。本稿では、HDD、SSD(NAND型フラッシュメモリ)、広帯域メモリ(HBM)などに焦点を当て、それらを手掛けるメーカーの動向と次世代技術における競争状況をまとめる。

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需要拡大に伴うフラッシュメモリの供給不足や価格高騰により、IT担当者はストレージ調達に苦悩している。必要なデータの容量の増加やセキュリティといった課題への対応に迫られる中、不確実な市場を生き抜くにはどうすべきか。本稿では現状を打開する4つのアプローチと将来を見据えたストレージ戦略を解説する。

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米中対立や輸出規制の強化によって、DRAMやNANDフラッシュメモリの調達を巡る前提が変わり始めている。HBMなど先端メモリは政策や地域の影響を強く受けるようになり、成熟メモリにも供給継続リスクが広がっている。サプライチェーンの地域化が進む中、機器メーカーには「最安調達」ではなく、継続供給やコンプライアンスを重視した戦略が求められている。

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キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS(MSA-CBA)構造で、「世界初」(両社)のクアッドレベルセル(QLC)動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付ける。

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ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセスを採用し、最大8Mバイトのフラッシュメモリを内蔵した車載用32ビットマイコン「RH850/U2C」を発売した。RH850マイコンファミリーのローエンド製品という位置付けで、最新のE/E(電気/電子)アーキテクチャに対応したECUなどの用途に向ける。

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キオクシアは2026年2月、次世代モバイル機器に向けた組み込み式フラッシュストレージの標準規格「UFS 5.0」に対応した評価用フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を始めると発表した。まずは512Gバイト品の出荷を始め、3月以降には1Tバイト品の出荷も開始する。

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DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給不足に続いて、もう1つのメモリ分野であるNOR型フラッシュメモリでも供給危機が発生しつつあり、値上げの可能性も報じられている。一方でAIアプリケーションがかつてない高密度を要求することから、3D構造化への期待も高まっている。

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超広帯域(UWB)無線通信技術に注力するQorvoは、2025年に車載向けと民生/産業機器向けの2種類のUWB SoC(System on Chip)を発表した。車載グレードの「QPF5100Q」は256KバイトのSRAMと2Mバイトのフラッシュメモリを搭載し、置き去り防止などの用途にもワンチップで対応できる。

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AIの急速な普及により、フラッシュメモリではさらなる大容量化が求められている。キオクシアは、高さ2mmにも満たないパッケージに、32枚の2Tb(テラビット)メモリチップを積層し、8TB(テラバイト)という大容量フラッシュメモリの開発に成功。それを支えているのが、ウエハーを極限まで薄く削る加工技術をはじめとする、高度な後工程技術である。

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