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「フラッシュメモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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超広帯域(UWB)無線通信技術に注力するQorvoは、2025年に車載向けと民生/産業機器向けの2種類のUWB SoC(System on Chip)を発表した。車載グレードの「QPF5100Q」は256KバイトのSRAMと2Mバイトのフラッシュメモリを搭載し、置き去り防止などの用途にもワンチップで対応できる。

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AIの急速な普及により、フラッシュメモリではさらなる大容量化が求められている。キオクシアは、高さ2mmにも満たないパッケージに、32枚の2Tb(テラビット)メモリチップを積層し、8TB(テラバイト)という大容量フラッシュメモリの開発に成功。それを支えているのが、ウエハーを極限まで薄く削る加工技術をはじめとする、高度な後工程技術である。

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情報化社会といわれ、日々の生活やビジネスの成長はテクノロジー抜きには語れなくなった。社会の進化や課題の解決に不可欠なデータ活用を支えるキオクシアのフラッシュメモリやSSDは、私たちをどう支えていくのか。こうしたテクノロジーを「エッセンシャルテック」と名付けて、その可能性を探る。

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世界最大級のフラッシュメモリ工場であるキオクシア四日市工場。ここは、1日30億件も生成されるデータとAI技術を駆使して先端のモノづくりを行う巨大なスマートファクトリーでもある。あらゆる業界でAIの導入が始まる中、四日市工場の生産現場ではAI活用が既に「当たり前」になっている。多くの技術者がAIを身近に使いこなし、高品質なフラッシュメモリ製造へとつなげている四日市工場の取り組みに迫る。

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国内有数の産業都市である三重県四日市市に位置するキオクシア四日市工場。ここは、世界最大規模のフラッシュメモリ工場であると同時に、約30年前から先進的なデジタル技術の導入を進めてきたスマートファクトリーでもある。日々生成される30億件ものビッグデータとAI技術を駆使して先端のモノづくりを行ってきた四日市工場は、デジタルツインの活用によって、さらに進化を続けている。

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「FMS(Flash Memory Summit)」では毎年、フラッシュメモリ技術関連で多大な貢献を成した人物に「Lifetime Achievement Award(生涯功績賞)」を授与してきた。2024年の「FMS(Future Memory and Storage)」では、東芝(当時)で3次元NANDフラッシュメモリ技術「BiCS-FLASH」を開発した5人の技術者が同賞を受賞した。

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Micron Technologyは、第9世代(G9)となるTLC NANDフラッシュメモリを搭載したSSD(ソリッドステートドライブ)「Micron 2650 NVMe SSD」の量産出荷を始めた。競合製品に比べシーケンシャルリードで最大70%、シーケンシャルライトで最大103%も上回るなど、クラス最高レベルの性能を実現したという。

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AI(人工知能)やDX(デジタルトランスフォーメーション)によってデータ量が爆発的に増加する中、NAND型フラッシュメモリの重要性がますます高まっている。キオクシアが量産を開始した3次元フラッシュメモリBiCS FLASH 第8世代は、2枚のウエハーを高精度に貼り合わせる「CMOS directly Bonded to Array(CBA)」という新技術を導入し、記憶密度と性能の向上に成功した。

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情報化社会といわれ、日々の生活やビジネスの成長はテクノロジー抜きには語れなくなった。社会の進化や課題の解決に不可欠なデータ活用を支えるキオクシアのフラッシュメモリやSSDは、私たちをどう支えていくのか。こうしたテクノロジーを「エッセンシャルテック」と名付けて、その可能性を探る。

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「AmazonスマイルSALE」の事前セールをアマゾンジャパンが開催中だ。ウエスタンデジタルは自社製ドライブやSanDiskブランドのストレージ類を出品している。セール価格となっているものもあれば、クーポン値引きされているものもある。セール期間は6月3日23時59分まで。

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市場調査会社のYole Groupは、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ(以下、NAND)の市場分析を発表した。2023年のDRAM/NANDの売上高は供給過剰で価格が下落し2016年以来の低水準となったが、2024年にはデータセンター/民生機器などの需要増と各社の戦略的減産によって需給バランスが正常化し、市場が回復に向かう見込みだという。

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ADAS(先進運転支援システム)の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン/SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン/SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース(I/F)では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。

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