最新記事一覧
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2024年1〜3月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2024年1〜3月）」をお送りする。
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ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。
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東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立した。磁気トンネル接合素子を数nm領域に微細化しながら、AIや車載など用途に合わせたカスタマイズが可能となる。
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東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の記憶素子である磁気トンネル接合（MTJ）素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持」はもとより「データの高速書き込み」にも対応できるという。
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NXP Semiconductorsは、16nm FinFETを使用した車載用MRAMの提供に向けてTSMCと提携する。MRAMの採用で新機能の導入やアップデートの高速化が期待できる。初期製品サンプルは2025年初頭に出荷予定だ。
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NXP Semiconductorsは、TSMCの16nm FinFET技術を用いた「車載向け組み込み用MRAM IP」をTSMCと共同開発した。NXPはソフトウェア・デファインド・ビークル（SDV）に向けて、同IPを組み込んだリアルタイムプロセッサ「S32」を開発中で、2025年初頭より初期製品のサンプル出荷を始める予定。
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物質・材料研究機構（NIMS）は、素子界面を精密に制御することで、室温トンネル磁気抵抗（TMR）比が世界最高になる631％に達したと発表した。今回の成果は、磁気センサーの高感度化や磁気抵抗メモリ（MRAM）の大容量化につながるとみられている。
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東京大学と理化学研究所は、鉄とシリコンの化合物「FeSi」において、トポロジカル物性やスピントロニクス機能が、室温下で実現できることを東北大学との共同研究で明らかにした。次世代MRAMへの応用が期待される。
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東北大学は、STT-MRAM向けの「6重界面磁気トンネル接合素子（iPMA Hexa-MTJ）」を開発した。iPMA Hexa-MTJは、Xnm世代のマイコン混載不揮発メモリに適用できる熱耐性や書き換え耐性を実現している。
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東京大学は、ブリティッシュコロンビア大学などからなる国際共同研究グループと共同で、反強磁性体「Mn▽▽3▽▽Sn」の磁気状態を、結晶のひずみによって制御することに成功した。開発した制御技術を用いることで、MRAMのさらなる高速化と高密度化を実現することが可能になるという。
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東京大学は理化学研究所などと共同で、反強磁性体における垂直2値状態を電流制御することに成功した。磁気抵抗メモリ（MRAM）のさらなる高速化や低消費電力化を可能にする技術だという。
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最新IT動向のキャッチアップはキーワードから。専門用語でけむに巻かれないIT人材になるための、毎日ひとことキーワード解説。
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ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は2022年6月16日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）の高速読み出し／書き換え技術を開発したと発表した。同技術を適用した32MビットのMRAMメモリセルアレイを搭載したテストチップでは、150℃の接合温度でランダムアクセス時間5.9ナノ秒、書き換えスループット5.8Mバイト/秒を達成。
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大阪大学と東京工業大学の共同研究グループは、スピントロニクス界面マルチフェロイク構造を開発し、これまでの2倍以上という性能指標（磁気電気結合係数）を達成した。電界印加による磁化方向の繰り返しスイッチングも実証した。
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産業技術総合研究所（産総研）は、フッ化物をトンネル障壁に用いた新構造の磁気トンネル接合素子（MTJ素子）を開発した。垂直磁気異方性が従来の約2倍になり、磁気メモリ（MRAM）の記録保持特性を改善することに成功した。
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Samsung Electronicsは2022年1月13日（韓国時間）、磁気抵抗メモリ（MRAM）のイノベーションを発表した。同社は、「単一のメモリネットワーク内でデータストレージとデータコンピューティングの両方を実行できる、世界初のMRAMベースのインメモリコンピューティングを実現した。このMRAMアレイチップは、低消費電力AI（人工知能）チップの実現に向けた次なるステップだ」と主張している。
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ルネサス エレクトロニクスは、STT-MRAMのデータを低消費電力かつ高速で書き換えられる技術を開発した。試作チップの測定では、書き換えエネルギーを72％低減し、電圧印加時間を50％削減した。
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ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11〜15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。
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東京工業大学と米国カリフォルニア大学ロサンゼルス校を中心とした国際研究チームは、トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（MTJ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）素子を試作し、読み出しと書き込みの原理動作を実証した。
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AntaiosのCEO（最高経営責任者）を務めるJean-Pierre Nozières氏は米国EE Timesのインタビューで、「スピン軌道トルク（SOT）MRAMは、スピン伝達トルク（STT）MRAMが現在直面している“トリレンマ”に対処できる」と語った。
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産業技術総合研究所（産総研）は、原子層レベルで制御されたタンタル（Ta）を下地に用いることで、磁気抵抗メモリ（MRAM）の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発した。
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産業技術総合研究所（産総研）は、MRAM用の単結晶MTJ（磁気トンネル接合）素子をシリコンLSIに集積化するための3次元積層プロセス技術を開発した。
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今回と次回は、MRAM以外の埋め込みメモリを紹介する。今回は、フラッシュメモリをロジックLSIに埋め込んだ「eFLASH」の製品化事例を解説しよう。
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今回は、Samsung Electronicsが開発した埋め込みMRAM技術の製品化事例を報告する。具体的には、Huaweiのスマートウォッチ「GT2」に搭載されているソニーセミコンダクタソリューションズのGPSレシーバーIC「CXD5605」に、SamsungのMRAMマクロが内蔵されていることが明らかになった。
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今回は、最も多くの出荷実績を有するMRAMベンチャーであるEverspin Technologiesについて解説する。
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今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。
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東京大学らの研究グループは、トポロジカル反強磁性金属においてスピン反転の時間が10ピコ秒以下と極めて速いことを実証した。読み書き速度は、現行のMRAMに比べ10〜100倍も早くなるという。
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MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2020年10〜12月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2020年10〜12月）」をお送りする。
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ソニーグループのメモリストレージベンダーであるNextorageは、「第6回 IoT＆5Gソリューション展 秋」において、STT-MRAMを記憶媒体として用いたPCI-ExpressベースのSSDのデモンストレーションを披露した。STT-MRAMは、ソニーセミコンダクターソリューションズで開発中のものを使用している。
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米国カリフォルニア州フリーモントに拠点を置く新興企業Spin Memoryは、ArmとApplied Materialsとの協業により、MRAM（磁気抵抗メモリ）を製造すると発表した。軍事、自動車、医療用機器などの幅広い分野への普及を実現できると期待されている。
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東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（以下、CIES）と同大電気通信研究所は2020年6月15日、スピン軌道トルク型磁気トンネル接合（SOT-MTJ）素子を用いた不揮発性メモリ（SOT-MRAM）チップを試作し、その動作実証に世界で初めて成功した、と発表した。
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東北大学は、新たな4重界面磁気トンネル接合素子（Quad-MTJ）とその製造技術を開発し、STT-MRAM（スピン注入型磁気抵抗メモリ）に求められる「高速動作」の実証と「データ書き換え信頼性」について確認した。同時に車載用途で必要となる「データ保持特性」も実現した。
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ストレージクラスメモリの一種である「MRAM」には幾つかの種類が存在する。それぞれどのような技術を採用していて、容量や性能の観点でどのような違いがあるのだろうか。
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メインメモリとストレージの在り方を変える可能性を秘める「ストレージクラスメモリ」。その主要技術「MRAM」とは何か。DRAMやNAND型フラッシュメモリと何が違うのか。
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東北大学は、400℃の熱処理耐性と無磁場で350ピコ秒の高速動作、10年間データ保持を可能とする熱安定性を実現したスピン軌道トルク（SOT）型磁気トンネル素子の作製に成功した。SOT-MRAMセルとしての動作も確認した。
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MRAM（磁気抵抗メモリ）の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。
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アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化型メモリ）など新型メモリの量産を可能にするPVD（物理蒸着）装置について、その特長などを紹介した。
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EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2019年9月号を発行致しました。今回の電子版先行公開記事（EE Exclusive）は、「拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術」です。他にも、Micron Technology幹部インタビュー記事などを掲載しています。
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東北大学は、150℃の高温環境でも、十分なデータ保持時間（熱安定性）を確保できる磁気トンネル接合（MTJ）技術を開発した。車載システムへのSTT-MRAM応用が可能となる。
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今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。
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今回から磁気抵抗メモリ（MRAM）について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。
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今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ（PCM）、磁気抵抗メモリ（MRAM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）という3つの最有力候補について解説する。
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Samsung Electronics（以下、Samsung）は、28nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS）プロセスをベースにした最初のeMRAM（組み込み型磁気抵抗メモリ）製品の量産を発表した。
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Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM（スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ）向け技術について、詳細を明らかにした。
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今回は、次世代メモリのうち、MRAM（磁気抵抗メモリ）とクロスポイントメモリ（XPoint）について、市場予測と開発状況を説明する。
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今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化メモリ）といったエマージング・メモリ（次世代メモリ）の特徴を比較する。
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東北大学材料科学高等研究所（AIMR）の鈴木和也助教と水上成美教授らの研究グループは2018年12月、磁気のない金属からナノ薄膜磁石（マンガンナノ薄膜磁石）を作ることに成功したと発表した。高集積MRAM（磁気抵抗メモリ）を実現するための材料開発に新たな視点を与える研究成果だとする。
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東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。
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東京工業大学は、トポロジカル絶縁体であるBiSb（ビスマスアンチモン）の（012）面方位を用いて、高性能の純スピン注入源を開発した。次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）を実現できる可能性が高まった。
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2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット（5Mバイト）の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性（書き換えサイクル数とデータ保持期間）とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。
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