Samsung、2027年に1.4nmプロセスでの半導体量産の計画

Samsungは半導体大量生産で2025年に2nmプロセスを、2027年に1.4nmプロセスを導入する計画を発表した。6月に発表した3nmプロセスによる量産で採用したGAA技術の強化で実現するとしている。

[ITmedia]

　韓国Samsung Electronicsは10月3日（米国時間）、カリフォルニア州サンノゼで開催したファウンドリの年次イベントで、半導体大量生産で2025年に2nm（ナノメートル）プロセスを、2027年に1.4nmプロセスを導入する計画を発表した。

　同社は6月、3nmプロセスによる半導体の量産を開始したと発表している。このプロセスは世界の半導体業界で初めてGAA（gate-all-around）技術を導入したものだった。2nm、1.4nmプロセスでもこのGAAをさらに強化して採用するとしている。

Samsung Foundary Forum 2022（画像：Samsung Electronics）

　Samsungは、HPC、自動車、5G、IoTなど、高性能で低電力の半導体を必要とする市場を積極的にターゲットにしていく計画。2027年までに、今年の3倍以上の高度なノードの生産能力拡大を目指すとしている。