ラピダス、2nm半導体の試作に成功 パイロットライン稼働開始から3カ月で

新興ファウンドリのRapidusは7月18日、北海道千歳市に建設した半導体製造拠点「IIM-1」にて、2nm GAAトランジスタの動作確認に成功したと発表した。

[ITmedia]

　新興ファウンドリのRapidus（東京都千代田区）は7月18日、北海道千歳市に建設した半導体製造拠点「IIM-1」にて、2nm GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタの動作確認に成功したと発表した。

2nm GAAトランジスタ試作ウェーハ

　同社は新しいファウンドリサービス「RUMS」の構築を進めており、設計支援と前工程・後工程を一貫して提供するという。IIM-1は、2024年12月に蘭ASML製EUV露光装置の搬入を開始し、約3カ月後の25年4月にパイロットラインの稼働をスタート。パターンの露光・現像に成功した。また、6月までに200台以上の枚葉式半導体製造装置を導入し、今回の試作ウェーハの動作確認につなげた。

「IIM-1」の外観

　Rapidusでは、顧客がプロトタイピングできるよう、半導体設計に必要な情報をまとめた2nmプロセス対応のPDKを、今年度中に先行顧客向けにリリース予定。量産開始は2027年を目指す。