馬本隆綱

Micron Technologyは、メモリ負荷が高いHPCやAI推論などの用途に向けたMRDIMM（マルチランクデュアルインラインメモリモジュール）製品のサンプル出荷を始めた。今回用意した製品のメモリ容量は最大256Gバイト。RDIMMと比べレイテンシは最大40％も低減した。

東北大学の研究グループは、2層スプリットリング共振器を3次元的に不規則配置した「3次元バルクメタマテリアル」を開発した。6G（第6世代移動通信）に向けたメタマテリアルとして、屈折率特性をさらに向上させた。

東京農工大学と九州大学の研究グループは、有機薄膜の自発分極や電荷輸送特性を精密に制御することで、耐久性に優れた有機ELデバイスの開発に成功した。

NTTは、東京大学や物質・材料研究機構（NIMS）と共同で、パルス幅が1.2ピコ秒と極めて短いグラフェンプラズモン波束を電気的に発生させ、伝搬制御することに成功した。これを利用して、テラヘルツ（THz）電気信号の位相や振幅が変調できることを実証した。

東京工業大学とキヤノンアネルバ、高輝度光科学研究センターの研究グループは、窒化物強誘電体であるスカンジウムアルミニウム窒化物「（Al,Sc）N」薄膜が、従来の強誘電体に比べ、熱／水素雰囲気下での耐久性に優れていることを確認した。強誘電体メモリの製造プロセスを簡素化でき、大幅なコスト削減が可能となる。

名古屋大学は、酸化物や酸化グラフェン、窒化ホウ素といった2次元物質（ナノシート）を高速かつ大面積に成膜する方法（自発集積転写法）を開発した。操作は簡便で水面へのインク滴下と基板転写のみで成膜が完了する。専門的な知識や技術は必要なく、わずか1分程度で、ウエハーサイズやA4サイズのナノシート膜が作製できる。

村田製作所は、独自に開発した統合型再エネ制御ソリューション「efinnos（エフィノス）」の外販を始める。AI（人工知能）技術を活用し太陽光発電と蓄電池のシステムを適切に制御する。これにより、製造拠点などにおける再生可能エネルギー自給率の最大化が可能となる。

九州大学は、シリコン基板上に強誘電体（PLZT）薄膜を結晶成長させる方法を開発し、「超高速光変調器」を作製することに成功した。6G（第6世代移動通信）を支える高速光データ伝送や、光量子コンピュータなどの用途に向ける。

東京大学の研究グループは、酸化物結晶バッファ層とスピンコート法を用い、シリコン基板上に大面積の強誘電体結晶薄膜を作製することに成功したと発表した。作製した薄膜に「ちょうど良い」酸素欠陥量を導入したことで、極めて安定した電気抵抗スイッチング特性を実現した。

NTTと岡山大学は、トポロジーの原理を利用した「ギガヘルツ（GHz）超音波回路」を開発した。スマートフォンなどの無線通信端末に用いる高周波フィルターの小型化や高性能化が可能になるという。

大阪産業大学と東海大学／京都大学、核融合科学研究所らの研究グループは、ナノ秒紫外レーザーを用い、シリコン太陽電池表面に先端の大きさが約20nmというナノドット構造を形成することに成功した。これにより、500nm付近における太陽光の反射率を約5％に低減。シリコン太陽電池の変換効率をさらに高めることが可能になるという。

東京工業大学の岡田健一教授らは、6G（第6世代移動通信）に向けて、高効率で低消費電力の「ミリ波帯 MIMOフェーズドアレイ受信機IC」を開発した。時分割MIMO技術により回路の規模を削減でき、IoT端末やモバイル端末への実装も可能となる。

STマイクロエレクトロニクスは、グローバルシャッター方式のCMOSイメージセンサー「ST BrightSense」および、同製品を用いた開発エコシステムを発表した。FA機器やスキャナー、家庭用／産業用ロボット、VR／AR機器、人流・交通モニター機器、医療機器などの用途に向ける。

京都工芸繊維大学、奈良先端科学技術大学院大学および、産業技術総合研究所（産総研）は、優れた温度差発電性能を有する「半導体型CNT（カーボンナノチューブ）」の抽出方法を開発した。抽出剤としてはアルキル化セルロースを用いた。

東北大学は、英国サリー大学やノッティンガム大学と共同で、高機能反射板を用いた電波伝搬環境下における無線通信システムの性能を解析的に表現する手法を開発した。この手法を用いることで、複雑で時間を要する数値シミュレーションやコスト高となる実験を行わなくても、高機能反射板による電波伝搬環境の改善効果を予測できるという。

東北大学とNTT物性科学基礎研究所は、表面処理を施した3次元半導体に2次元半導体を積層することで、2次元半導体から3次元半導体への電子移動効率を向上させるとともに、2次元半導体の電荷状態を制御することに成功した。

SEMIは、世界半導体製造装置（新品）の2024年央市場予測を発表した。これによると、2024年は前年比3.4％増の1090億米ドルに達し、過去最高の規模となる見通しだ。2025年も市場は続伸し、売上高は1280億米ドルになると予測した。

産業技術総合研究所（産総研）は、基準電圧源の脱着が可能な「高精度デジタルマルチメーター（DMM）」を、エーディーシーと共同で開発した。DMM本体は別の基準電圧源を内蔵している。このため、取り外した基準電圧源を校正中であっても、DMMは生産工程でそのまま利用できる。

京都大学の研究グループは大阪大学やロームと共同で、共鳴トンネルダイオードを搭載した半導体テラヘルツ発振器から放射されるテラヘルツ電磁波の振動波形（位相）を計測し、制御することに成功した。テラヘルツ波の位相情報を利用した超高速で大容量の無線通信やスマートセンシング技術の実現につながるとみられる。

日本原子力研究開発機構（JAEA）と物質・材料研究機構（NIMS）の研究グループは、次世代不揮発メモリ材料として注目されているアモルファスアルミ酸化物（AlOx）について、不揮発メモリ機能の発現と構造の関係性を明らかにした。

情報通信研究機構（NICT）は、商用運用されている5G（第5世代移動通信）基地局周辺の電波強度を測定した。この結果、従来の4G（第4世代移動通信）レベルと同程度あるいはそれ以下であることが分かった。

京都大学と物質・材料研究機構（NIMS）の研究グループは、2次元半導体を重ねてできるモアレ縞に閉じ込められたモアレ励起子から発光信号を検出し、その量子コヒーレンス時間を測定することに成功した。

日本ガイシは、台湾のスタートアップ企業「PanelSemi」に出資した。NGKグループは新事業化品で2030年に1000億円以上の売上高を目指す計画を掲げており、今回の出資もその一貫。

情報通信研究機構（NICT）は2024年6月、スマホ上でも高速動作が可能な21言語の高品質ニューラル音声合成技術を開発した。1つのCPUコアで、1秒の音声を0.1秒で合成できる。既存モデルに比べ約8倍の速さだという。

理化学研究所（理研）らによる国際共同研究グループは、高いエネルギー変換効率（PCE）を保ちながら、伸縮性を向上させた「有機太陽電池」を開発した。環境エネルギー電源として、ウェアラブルデバイスやe-テキスタイルなどの用途に向ける。

大阪公立大学と千葉大学の共同研究グループは、「光渦」と呼ばれる特殊なレーザー光を照射し、ねじれた構造をもつ直径数マイクロメートルの単結晶を、狙った場所に精度よく印刷することに成功した。単結晶のねじれ方向は、光渦の回転方向で制御できるという。

北海道大学の研究グループは、大阪大学と共同で、「熱トランジスタ」の高性能化に成功した。「熱」を自在に操ることができれば、廃熱を有効利用することが可能となる。

京都大学の研究グループは、ファインセラミックスセンター（JFCC）や名古屋大学と共同で、三次元物質の「二酸化ハフニウムジルコニウム（HZO）」から、厚さが1nmの「二次元強誘電体」を作製することに成功した。

ジャパンディスプレイ（JDI）は、VR-HMD（仮想現実ヘッドマウントディスプレイ）やMR-HMD（複合現実ヘッドマウントディスプレイ）に向けて、2527ppiの精細度を実現した2.15型ディスプレイを開発した。

TSMCは横浜で開催した顧客向け技術発表会「TSMC Technology Symposium」に合わせ、テクノロジー専門メディア向けの技術説明会を開催した。説明会では、AIイノベーションを加速させるための半導体製造プロセス「TSMC A16」技術や「TSMC System-on-Wafer（TSMC-SoW）」などについて、その概要を紹介した。

名古屋大学の研究グループは、慶應義塾大学や熊本大学、東京工業大学と共同で、チタン石型酸化物における「新しい反強誘電体を発見」するとともに、反強誘電体の誘電率増大が「ドメイン壁近傍に生じる極性領域に起因する」ことを明らかにした。

OKIエンジニアリング（OEG）は、特殊計測試験装置メーカーに向けた「タイアップ校正サービス」を始めた。特殊計測試験装置メーカーの技術パートナーとして、校正業務を請け負う。

近畿大学と大阪公立大学は、ペロブスカイト量子ドットを発光層に用いた発光ダイオードを作製し、これに外部から磁力を加えて、「近赤外円偏光」を発生させることに成功した。加える磁力の方向を変えれば、近赤外円偏光の回転方向を制御できることも明らかにした。

東北大学とAZUL Energyらによる研究グループは、鉄アザフタロシアニン（FeAzPc-4N）を活性炭にまぶし、分子レベルで吸着させたキャパシター用電極を開発した。この電極を用いれば、ナノ炭素を用いるスーパーキャパシター並みの容量を安価に実現できるという。

三菱電機は、Ka帯（26.5〜40GHz）対応の衛星通信（SATCOM）地球局用送信器に向けて「GaN MMIC電力増幅器」2製品を開発した。大容量通信への対応と、衛星通信地球局の小型化、低消費電化を視野に入れる。

大阪大学の研究グループは、近赤外光を選択的に吸収する無色透明の有機半導体材料を開発した。近赤外線カメラや有機太陽電池などに応用できる材料の開発につなげていく。

東京工業大学は、伸縮性と透湿性を兼ね備えた、表面筋電位測定用の「導電性生体電極」を開発した。エラストマー超薄膜上に単層カーボンナノチューブ（CNT）を塗布して作成したもの。装着者は違和感なく、生体筋の活動状態をリアルタイムに長時間測定することが可能となる。

世界の半導体工場における生産能力は、2025年に月産3370万枚（200mmウエハー換算）となり、過去最大規模に達する見通しだ。大手半導体メーカーによる2nmGAA（Gate-All-Around）チップ生産への投資などが、全体の生産能力を押し上げる。

東京工業大学は、国内で利用可能な5.7GHz帯の無線給電によって動作する「ミリ波帯5G（第5世代移動通信）中継器」を開発したと発表した。この中継器には、5.7GHz帯無線電力伝送と28GHz帯5G通信に同時対応できるICチップを搭載している。

オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。

東京工業大学は、市販の半導体デバイスを用い、データと電力を同時に伝送できる「ミリ波帯フェーズドアレイ無線機」を開発した。中継器に対し無線給電を行うことで、ミリ波帯5Gの通信エリアを容易に拡大できる。

NECは、Beyond 5G／6Gに向けたミリ波分散アンテナ（DA）の小型化や低電力化、低コスト化を可能にする「光ファイバー無線システム（RoF）」と「その伝送方式」を開発、規格適合の実証にも成功した。

山形大学は、大阪ソーダやエムテックスマートと連携し、「革新的ナノ均一構造正極による超高速充放電亜鉛二次電池」の開発を行う。資源リスクが低い亜鉛金属を用い、現行のリチウムイオン二次電池を超える電池容量の実現を目指す。

京都大学は、0.1Vで動作し消費電力が0.9pWの「デジタル変換半導体集積回路」を開発、22nmCMOSプロセス技術を用いて半導体集積回路を試作し、その有効性を確認した。涙液に含まれる糖分からのエネルギーでも駆動でき、体内環境で動作するIoTシステムなどへの応用を目指す。

東京工業大学と情報通信研究機構（NICT）の研究チームは、サブテラヘルツ帯CMOS送受信用ICを開発し、毎秒640Gビットの無線伝送に成功した。遠隔医療や自動運転など新サービスへの応用が期待される。

ザインエレクトロニクスが、消費電力が小さく低遅延を実現した次世代PCI Express向け光半導体を開発し、データセンター市場に進出すると発表した。

富士フイルムが韓国平澤市に建設していたイメージセンサー用カラーフィルター材料の新工場が竣工した。2024年12月末より「COLOR MOSAIC（カラーモザイク）」の生産を始める予定。

東京工業大学と東京大学、物質・材料研究機構（NIMS）および量子科学技術研究開発機構（QST）らによる研究グループは、ダイヤモンド中の窒素−空孔中心（NVセンター）を利用したダイヤモンド量子センサーにおいて、5〜100Hzの低周波数領域でも9.4pT/√Hzという高い磁場感度を実現した。

熊本大学と名古屋大学、クイーンズランド大学の研究グループは、ナノサイズの孔（ポーラス）構造を有するナノポーラスBa0.85Ca0.15（Ti0.9Zr0.1）O3（BCZT）薄膜の合成に成功し、巨大な圧電応答の発現を観測した。

STマイクロエレクトロニクスと中国の吉利汽車は、「SiC（炭化ケイ素）パワー半導体の長期供給契約」と、「共同研究ラボの設立」で合意したと発表した。革新的な技術を共同で開発することにより、新エネルギー車（NEV）への移行を加速させる。