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馬本隆綱

馬本隆綱がアイティメディアで執筆した記事一覧です。

電荷の流路を確立:

東北大学と英ケンブリッジ大学は共同で、太陽電池と蓄電池を一体化した「光蓄電池」において、約1Vという高い光電圧が得られることを実証した。光吸収層と蓄電層などを分離して積層することで、電荷再結合による損失を抑えた。自律型センサーやウェアラブルデバイスの電源への応用が期待される。

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先端半導体需要に対応、2027年稼働:

富士フイルムは、米国アリゾナ拠点に約30億円(約1800万米ドル)を投資し、CMPスラリーの生産能力を増強する。新たに導入する設備の稼働は2027年を予定していて、中長期的な需要の増加に対応できる供給体制を整える。

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従来報告の10倍超の周波数で動作:

Power Diamond Systems(PDS)は、ダイヤモンドMOSFETを用い、6.78MHzという高周波領域でE級アンプ回路を動作させることに成功した。ダイヤモンド半導体を用いた電力変換回路では「世界初」(同社)という。ドローンやフィジカルAIなどのワイヤレス給電システムへの応用が期待される。

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冷却制御なしで安定動作:

早稲田大学は、約0.6Vの低い駆動電圧で最大180Gビット/秒の高速光通信を実現できる小型の「光送信器」を開発した。レーザーを安定動作させるための冷却制御が不要で、AIデータセンター向け光回路の高集積化や小型化/低消費電力化につながる。

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ニューメキシコ州と協業、人材育成も:

富士通は、「量子コンピューティング研究センター」の設立に向け、米国ニューメキシコ州と協業を始めた。量子コンピューティングのハードウェアやソフトウェア、アルゴリズムなどの先端研究に加え、専門人材の育成にも取り組む。

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汗中のイオンに応答する信号を取得:

東京理科大学は、汗に含まれるナトリウムイオンとカリウムイオンに応答する信号を連続して計測できる「ウェアラブルセンサー」を開発した。実際の建設現場では、約2時間45分にわたってリアルタイムで信号を取得できることを確認した。暑熱環境における体調管理などへの応用が期待される。

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低温分解性タイプも:

三洋化成工業の子会社であるサンノプコは、積層セラミックコンデンサ(MLCC)などに向けたセラミックス微粒子用水系分散剤を開発した。界面制御技術によりナノ粒子化と高分散化を実現した。低温分解性を備えた開発品も用意している。

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SiCパワーデバイスで効率/電力密度を向上:

Infineon Technologiesは、Eatonの中電圧ソリッドステートトランスフォーマー(MVSST)2.0プラットフォーム向けに、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスを供給する。今回の協業は800VDC AIデータセンター電力配分アーキテクチャを対象としている。

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結晶構造が似た材料でも性能に大きな違い:

東京科学大学と東京大学、北里大学、筑波大学らによる研究グループは、有機半導体のデバイス性能に、デバイス界面における分子の構造や動的な振る舞いが大きく影響することを実証した。有機半導体デバイスのさらなる高性能化が期待される。

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Siの「ドーピング」の考え方を応用:

東京大学は、p型2次元半導体として動作するホウ素炭素窒化物(BCN)を初めて実現するとともに、この単層p型BCNを2インチウエハー上に作製した。原子置換により電子状態を変化させる方法を原子1層のBCNに応用することで実現した。

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AI PCなどの低消費電力化に貢献:

太陽誘電は、巻線メタル系パワーインダクター「MCOIL LSELシリーズ」として、従来品に比べ直流抵抗を約5割低減した2016サイズの「LSELC2016KKTR24M0N」を含む3製品の量産を始めた。NPUを搭載したAI PCの電源回路などに向ける。

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D-band対応、送受信双方で2次元ビーム制御:

村田製作所は、6Gに向け100GHz超の高周波帯「D-band(110〜170GHz)」に対応した「アンテナモジュール」を開発した。低温同時焼成セラミックス(LTCC)を活用したアンテナモジュールで、D-band対応と送受信双方の2次元ビーム制御を両立させたのは「世界初」(同社)だという。

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静水圧を正確にモニタリング:

東京科学大学は、東京農工大学や九州大学と共同で、静水圧をリアルタイムで計測できる高感度の蛍光ナノセンサー「Pyr-PICsome」を開発した。ナノプローブとして用いれば、深海生物や生体内の微小空間における圧力の変化を計測できる。

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原子的な平たん性を維持したまま加工:

金沢大学の研究グループは、独Diamond and Carbon Applicationsとの共同研究により、原子層レベルで深さを制御できる「ダイヤモンドエッチング技術」を開発した。ダイヤモンドを半導体デバイスや量子デバイスへ応用するための基盤技術となる。

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感度と速度を両立:

日立ハイテクは、独ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology(以下、ZEISS SMT)と共同で取り組んでいる半導体製造工程向けマルチビーム電子線検査装置の開発体制を強化する。従来の光学式では検出が難しい微小な欠陥を、シングルビーム電子線検査装置の数十倍の速度で検査できる装置の開発を加速する。

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共同事業化を目指す:

日立製作所とファナックは、フィジカルAI実装の共同事業化に向けて戦略的パートナーシップを締結した。日立のAI技術とファナックの産業用ロボットを組み合わせ、フィジカルAI技術を開発する。日立グループの生産現場で共同実証を行い、2027年度までの技術確立を目指す。

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位置誤差は平均約3m:

京都大学の研究グループは、60GHz帯を利用し、超広帯域移動通信とセンシングを融合する広帯域移動伝送試験装置を開発した。実際に走行する車両を用いた実証実験では、最大10.3Gビット/秒の高速無線伝送を確認。通信電波を利用し、平均約3mの誤差で車両位置を推定することにも成功した。

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Ampere世代以降の既存GPUで動作:

NVIDIAが提供するGPU開発基盤の最新版「CUDA toolkit13.4」に、芝浦工業大学システム理工学部の尾崎克久教授らが新たに考案した計算手法「Ozaki Scheme II」が採用された。AI向けの低精度計算を数学的に複数回組み合わせることにより、倍精度計算と同等精度の結果を大幅に高速化する技術だ。

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実装面積を従来比で約64%削減:

村田製作所は、3端子低ESL(等価直列インダクタンス)チップ積層セラミックコンデンサーとして、「世界最小」という0603Mサイズ(0.6×0.3mm)の「LLDシリーズ」を開発、量産を始めた。小型・高性能化が進むスマートフォンやスマートウォッチなどの用途に向ける。

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7つの解析手法を1台の装置に統合:

浜松ホトニクスは、先進半導体パッケージの故障解析に対応した倒立型エミッション顕微鏡「iPHEMOS-DDX」を開発、2026年9月29日から受注を始めた。AIチップレットや広帯域メモリ(HBM)などに用いられる2.5D/3Dパッケージや大型半導体パッケージの故障解析に向ける。

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データに基づく研究開発を効率化:

村田製作所は、マルチAIエージェントを活用した「AI駆動型研究開発基盤」を開発した。このシステムを活用すれば、実験計画からデータ解析、レポート作成の3工程における実行効率が、従来の業務フローに比べ約22.5倍も向上できると試算している。

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Wi-SUN FAN準拠のVHF-IoT用い:

京都大学の研究グループは、国際無線通信規格「Wi-SUN FAN」に準拠したVHF帯狭帯域IoT通信システム(VHF-IoT)を用い、飛行中のドローンから高解像度のライブ映像を無線伝送することに成功した。

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水に溶けて赤色発光:

九州大学や東京科学大学、産業技術総合研究所(産総研)らによる研究グループは、水に溶けて発光するラジカル分子を開発した。この分子が蛍光イメージング(FI)や核磁気共鳴イメージング(MRI)のイメージング材料として活用できることを「世界で初めて」実証した。

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金属溶湯脱成分法を用い:

東北大学金属材料研究所の研究グループは、金属溶湯脱成分法(LMD)を用い、800℃(1073K)という比較的低い温度で、「ナノポーラスβ-炭化ケイ素(SiC)」の作製に成功した。

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300万画素車載カメラ用途に対応:

バレンズセミコンダクターは、車載向け高速インタフェース規格「MIPI A-PHY」に準拠した統合センサーの開発でomsemiと協業する。量産車向け300万画素車載カメラなどに向け、コスト最適化が可能となるA-PHYソリューションを提供していく。

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ノーマリーオフ動作を実現:

金沢大学の研究グループは、産業技術総合研究所(産総研)と共同で、トレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発、動作実証に成功した。反転層チャネルを備えた縦型ダイヤモンドMOSFETの動作を実証したのは「世界初」だという。

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膜厚300nmと極薄:

理化学研究所(理研)は、伸縮性と通気性に優れたナノスケールの異方性導電フィルム(ACF)を開発した。熱や圧力を加えなくても電子素子同士を接合でき、500%を超える引っ張りひずみを与えても接続部は破損しないという。

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28年にも国内拠点で量産へ:

第一稀元素化学工業は、レアメタルの「ハフニウム(Hf)」について、国内の生産拠点で製造するための技術を確立した。HfはAI/データセンター向け半導体や航空宇宙分野などに用いられ、需要拡大が見込まれている。2028年にも国内での量産に乗り出す予定だ。

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性能を左右する光変調器材料:

三菱ケミカルは、次世代光通信向け有機電気光学(OEO)材料を手掛ける米国NLM Photonicsに出資した。AIデータセンター向け光インターコネクト材料市場における技術優位性を高めていく。

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2件のプロジェクトをNEDO採択:

三菱電機は、量子コンピュータの大規模化に向けた研究開発を始める。新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)に採択された2件のプロジェクトを通じ、量子コンピュータの産業応用に向けた研究を加速させる。

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圧力感度は分子性材料で最高値:

大阪大学と高輝度光科学研究センター(JASRI)、リガクの研究グループは、圧力をかけると明るく光り、発光色も変わる結晶を発見した。圧力計や偽造防止材料などへの応用が期待される。

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超伝導モーターや核融合発電に応用:

京都大学は、「SCSCケーブル」と呼ぶ高温超伝導集合導体と、これをコイル化するための「巻き線技術」を開発した。超伝導モーターやフュージョンエネルギー発電(核融合発電)などへの応用に期待する。

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光方式量子コンピュータで先行:

三菱電機は、東京大学発スタートアップの「OptQC」に出資した。OptQCは光方式の量子コンピュータハードウェアを開発/供給していて、両社は量子技術の産業応用に向けた取り組みを加速させる。

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3D半導体接合の工程を簡素化:

横浜国立大学とKOKUSAI ELECTRICの研究グループは、原子層堆積法(ALD)で形成した酸化アルミニウム(Al2O3)薄膜に、直接接合を可能にする「自己活性化」特性があることを発見した。従来のようにプラズマ処理や化学機械研磨(CMP)を事前に行わなくて済むことから、3次元半導体を実現するためのウエハー接合が簡素化できる。

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装置向け熱電対/石英保護管を製造:

フルヤ金属が北海道千歳市に建設を進めてきた「新千歳工場」が完成し、2026年9月14日に竣工式が行われた。新工場が本格稼働すれば、半導体製造装置向けの熱電対(温度センサー)や石英保護管などの生産能力がこれまでの2倍に増えるという。

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京都大学化学研究所ら:

京都大学化学研究所は、米国ネブラスカ大学リンカーン校やNECと共同で、交替磁性体として注目される化合物「アンチモン化クロム(CrSb)」において、スピントルクの大きさと方向が、結晶方向に強く依存することを明らかにした。その主な起源が、CrSb/強磁性体界面の結晶・界面対称性にあることも示した。

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冷媒使用量を削減:

三菱電機は、ヒートポンプ式冷熱機器に向けたプレート熱交換器を開発した。従来に比べ伝熱性能を3倍に高めた。これによってプレートの数を削減でき、熱交換機内部の冷媒使用量を従来のおよそ3分の1に削減できるという。

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熱音響変換素子「サーモホン」採用:

公立はこだて未来大学と同志社大学生の研究グループは、コウモリのような超音波センシング機構を用いることで、障害物を回避しながら自律飛行できるドローンシステムを開発したと発表した。

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7MPaを超える強度で接合できる:

物質・材料研究機構(NIMS)は、溶液を塗って乾かすだけで異なる材料を強固に接合できる技術を開発した。接着しにくい素材同士であっても、7MPa超という強度で接合できることを確認した。

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ソーラーエッジと協業拡大:

インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies(以下、ソーラーエッジ)との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)の技術開発を加速させる。

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中性原子型量子コンピュータで:

富士通とYaqumoは、中性原子型量子コンピュータを用いて、量子計算アーキテクチャや基本ソフトウェアの実機検証を始めた。量子コンピューティングの社会実装について早期実現を目指す。

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スピンホール効果が急激に増大:

大阪大学の研究グループは、東京大学や沖縄科学技術大学院大学と共同で、ファンデルワールス強磁性体「Fe5GeTe2(FGT)」が常磁性から強磁性へと磁気相が変化する際に、電流をスピン流に変換する効率が約1桁も変わることを明らかにした。

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25年度売上高は7.9兆円:

東京商工リサーチ(TSR)によれば、国内半導体関連メーカー154社の2025年度売上高は合計で7兆9115億円となり、前年度に比べ17.1%増加した。利益合計は7125億円で前年度比5.4%増となった。いずれも過去5年間で最高を記録した。

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富士電機と金沢工大が開発:

金沢工業大学によると、富士電機と共同開発した「変電施設向け環境配慮型絶縁技術」が、国際大電力システム会議で「Best Paper賞」を受賞した。温室効果ガス「SF6(六フッ化硫黄)」を使わない絶縁技術が高く評価された。

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PiNダイオードの通電特性を再現:

電力中央研究所は、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの特性を予測できるシミュレーション技術を開発した。この技術を活用すれば、耐電圧10kV超級SiC-IGBTの特性予測精度を向上でき、開発期間短縮にもつながる。

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基板を傷つけず再利用も可能:

大阪大学や三重大学、山形大学および、大阪工業大学の研究グループは、光(紫外線)を照射すればきれいに剥がすことができ、再接着もできる「光応答接着材料」を開発した。剥離しても接着剤が基板に残らず、電子機器や自動車などにおいて使用後の製品分解や部材のリサイクルなどが容易となる。

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半導体テストソケットに応用:

産業技術総合研究所(産総研)は、韓国・国立釜慶大学校と共同で、強磁性かつ高い導電性を実現する「鉄(Fe)−銅(Cu)−銀(Au)微小複合材料」を合成した。半導体テストソケット用材料として期待される。

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