馬本隆綱

京都大学は、宅内および屋外の無線ネットワークに向けた2つの国際無線通信規格に対応できる共通ファームウェアを開発した。この共通ファームウェアはWi-SUNに対応した無線モジュールに搭載できる。

ロームは、グループの生産拠点であるラピスセミコンダクタ宮崎工場に、Quanmatic製の量子アニーリングを活用した最適化計算システムを導入した。半導体製造の前工程に量子アニーリングを本格導入するのは「世界で初めて」という。これにより、生産効率を安定的に約3％改善できることを確認した。

東京大学と米メリーランド大学の研究グループは、金属二次電池では電解液中に存在するイオンの「硬さ」や「柔らかさ」によって、電池反応の起こりやすさが大きく変わることを発見した。水系亜鉛二次電池を用いた実証実験では、99.9％を超える極めて高い電池効率を達成した。

東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。

情報通信研究機構（NICT）は、ミリ波（60GHz帯）とテラヘルツ波（300GHz帯）を統合動作させる独自のアーキテクチャを開発するとともに、通信環境に応じて2波の自動切換えとビームフォーミングを一体的に行う通信技術の実証に成功した。「電波が届きにくい」など、従来のテラヘルツ波通信における課題を改善できる。

カウンターポイントリサーチによれば、2026年第1四半期（1〜3月）における全世界のDRAM売上高は、前四半期（2025年第4四半期）に比べ80％増加した。この結果、売上高は1000億米ドルに迫り、過去最高となった。

東北大学の研究グループは、筑波大学や佐賀大学との共同研究により、酸化亜鉛の欠陥構造を制御することで、高価なレアアースを使わずに極めて高い感度の「応力発光」を実現した。電源不要の近赤外発光は、医療センサーやインフラ診断などへの応用が期待される。

沖電気工業（OKI）とライテラジャパン、慶應義塾大学は、空孔コア光ファイバー（HCF）を用いて次世代光回線の実証に成功した。通信トラフィックの増大に対応しつつ、消費電力を従来の10分の1に低減できるという。

東京大学とNTTは、損失が極めて小さい窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）を開発し、動作実証に成功した。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小となるオン抵抗0.34mΩcm2および、逆方向耐圧400V（最大破壊電界8MV/cm）を達成した。この値はSiCやGaNの理論限界に迫るものだという。

名古屋大学の研究グループは、透明導電体ナノシートを用い、高い透明性を実現しつつ高感度で可視光検出が可能な「オールインワンRGBフォトディテクター」を開発した。400℃という高温環境下でも安定した動作が可能なため、宇宙や車載、高放射線環境などで利用することができる。

ロームは、拡張性に優れた車載SoC（System on Chip）向け電源ソリューションを開発した。先進運転支援システム（ADAS）やドライバーモニタリングシステム（DMS）、センシングカメラなどに用いられるSoC向けに提案していく。

富士キメラ総研によると、AIサーバなどに向けて需要が拡大する半導体デバイス15品目の世界市場は、2026年見込みの157兆9000億円に対し、2031年は224兆円規模になると予測した。

三井金属は、パワーモジュールと放熱部材（ヒートシンク）との大面積接合に適した銅焼結材料「Cuprima」を開発した。ヒートシンクアタッチ向けに提案していく。

旭化成は、AI半導体デバイスなど先端半導体パッケージに向けた「感光性ポリイミドフィルム」を開発した。半導体パッケージのさらなる大面積化や配線の微細化および多層化といったニーズに応えていく。

名古屋大学とNECは、産業技術総合研究所（産総研）と共同で室温において波長1.55μ〜3μmの赤外光を検出できる小型センサーを開発した。ガス検知に加え、環境モニタリングやヘルスケア、食品／医薬品の品質管理など身近な領域での応用が期待される。

imecは、高開口数（NA）の極端紫外線（EUV）リソグラフィを用いて作製した量子ドット量子ビットデバイスの概要について、開催中のITF（Imec Technology Forum）Worldで発表した。imecによれば、高NAのEUVリソグラフィを用いて作製された「世界初」の集積型ハードウェアデバイスになるという。

電気通信大学の研究グループは、東京大学や中国の蘇州大学との共同研究により、コロイド量子ドット（CQD）インクを用いた太陽電池を、大量かつ安価に製造できる技術を開発した。試作した大面積モジュールで変換効率10.0％を達成した。「発電する窓ガラス」や「着る太陽電池」などへの応用を想定している。

三菱電機は、最新のIGBTを搭載することで電力損失を最大約19％削減したパワー半導体モジュール「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」10機種を開発、サンプル出荷を始めた。産業用機器向けインバーターなどの電力消費を低減できる。

大阪大学産業科学研究所の研究グループらは、フラッシュランプアニール（閃光熱処理）と呼ばれる手法を用い、磁気トンネル接合（MTJ）を約1.7秒で完了させることに成功した。従来の熱処理に比べ加熱時間を最大で数千分の1に短縮できるという。

村田製作所は、滋賀県東近江市にある八日市事業所内に、約169億円（建物のみ）を投資して新生産棟を建設する。2028年8月に竣工予定で、サーミスター製品の生産能力を拡大する。

シーメンスによれば、アドバンテストのSoC（System on Chip）テストシステム「T2000」に、シーメンス製の産業用ラックサーバPC「Simatic IPC RS-828A」が採用された。RS-828Aは高い処理能力を備え、T2000のテスト時間を短縮できるという。拡張性や安全性にも優れている。

SEMIによると、2025年の世界半導体材料売上高は過去最高の732億米ドルに達した。前年に比べ6.8％の増加である。半導体プロセスの複雑化、先進ノード需要の拡大、高性能コンピューティング（HPC）および広帯域メモリ（HBM）製造への継続的投資などがその背景にあるとみられる。

フローディアとNEC、九州工業大学は、極めて消費電力が小さいAIハードウェアを実現できる「高精度不揮発性アナログメモリ技術」を共同開発した。ロボットやドローン、自動車などのエッジAI応用機器において、高性能化や省エネ化、小型化が可能となる。

立命館大学発スタートアップのPatentixは、ジェイテクトサーモシステムと共同で6インチ基板に対応できる成膜装置を開発するとともに、Si基板上へルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）単結晶膜を形成することに成功した。

矢野経済研究所は、タンデム型ペロブスカイト太陽電池（PSC）の日本市場を調査し、2040年度までの導入量（累積）を予測した。タンデム（多接合）型と単接合型を合わせた累積導入量は、2040年度に12.5GWを見込む。

東芝は、インフラ設備や製造装置などにおいて、AIが異常と判断した理由をセンサー波形の違いから可視化する「反事実波形生成技術」を開発した。製造業や社会インフラなどにおける異常検知への適用を視野に入れ、早期実用化を目指す。

Micron Technologyは、データセンター向けに記憶容量が245TバイトのSSD「Micron 6600 ION」を開発、出荷を始めた。Micron 6600 ION E3.LではHDDベースの同等品に比べ、必要なラック数を82％削減、消費電力も約半分に抑えた。

エレファンテックは、無加圧でも十分な接合強度を実現できるパワー半導体向け接合材「SAphire D02」を開発した。半導体チップと基板を接続するダイアタッチ材や基板と放熱プレートを接続するTIM（Thermal Interface Material）として用いることができる。

住友化学は、低α線量の高純度微粒球状アルミナ「ELAシリーズ」を販売する。これを機に、先端半導体市場に向けた高純度アルミナ製品の事業展開を加速する。

レゾナックが、ハードディスクメディアの生産能力を拡大する。シンガポールの生産拠点を中核として、2027年以降に生産ラインを順次立ち上げる。これらの投資により、年間生産能力は約2億1000万枚規模となり、現在の1億6000万枚より31％増える。

東北大学の研究グループは、テラヘルツ波帯で動作する「光スイッチ」を開発した。第6世代移動通信（6G）に向けたフォトニック集積回路（PIC）の小型化や省電力化に貢献できるとみている。

東京都市大学は、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、受光面積が1cm2の2端子型ペロブスカイト／CIGSタンデム太陽電池を開発し、25％超という「世界最高」のエネルギー変換効率を達成した。

TOTOは、半導体製造装置用の「静電チャック」と「エアロゾルデポジション（AD）部材」について、研究開発と生産体制を増強する。既にTOTOファインセラミックス豊前工場（福岡県豊前市）では、静電チャック増産用の焼成棟を建設中で、2027年1月に竣工の予定だ。

ボッシュは、同社として第3世代となる炭化ケイ素（SiC）チップを開発し、サンプル出荷を始めた。従来品に比べ性能を20％向上させつつ、チップサイズの小型化を図った。製造能力も強化し、ドイツと米国の製造拠点で数十億ユーロを投資する。

エレファンテックは、次世代半導体パッケージに向けたガラスビア用銅ナノペースト「SAphire G」を開発した。高いアスペクト比（AR）のガラス基板貫通ビア（TGV）における導通形成において、低い収縮特性と高い信頼性を実現している。

SEMIによれば、2026年第1四半期（1〜3月：1Q）の世界シリコンウエハー出荷面積は32億7500万平方インチになった。前年同期に比べ13.1％の増加だ。2025年第4四半期（10〜12月）に比べると季節変動もあって4.7％の減少となった。

コニカミノルタが東京サイト八王子内に設置した「半導体検査装置向けレンズの研磨工程」が稼働した。これによって2026年度の半導体検査装置向けレンズの生産能力は、2024年度に比べ2.6倍に拡大するという。

エレファンテックは、銅ナノ粒子インクとインクジェット印刷装置を用いて、高アスペクト比のマイクロビアを導電化する手法「DeepVia HDI」を開発した。アスペクト比（AR）が3.0以上というBVH（ブラインドビアホール）の試作に成功していて、次世代のAIサーバ用基板などを製造する企業に提案していく。

OKIサーキットテクノロジー（OTC）は、広帯域メモリ（HBM）のウエハー検査装置向けに、180層で板厚15mmのPCBを実現するための設計および生産技術を確立した。上越事業所（新潟県上越市）に製造設備を導入し、2026年10月から量産出荷を始める予定だ。

NTTは、半導体メモリ素子（DRAMセル）における熱とエントロピーを、電子1個単位で同時測定することに世界で初めて成功した。省エネルギー情報処理デバイスや次世代メモリ技術への応用が期待される。

富士フイルムは、AI半導体など先端半導体の製造プロセス向けに、「フッ素フリーのネガ型ArF液浸レジスト」を開発した。「世界初」（同社）となる製品で、既にサンプル出荷を始めていて、顧客先での評価を経て早期販売を目指す。

Power Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFET技術を応用したモノリシック双方向ダイヤモンドスイッチを開発、双方向スイッチとして安定動作することを確認した。しかも、バルク伝導を利用する従来構造品に比べ、耐圧を向上させながらオン抵抗を10分の1以下とした。

日本山村硝子と山村フォトニクスは、台湾の工業技術研究院（ITRI）および中國製釉と連携し、半導体向け大画面ガラスセラミック基板の開発を一段と加速していく。

ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。

東京大学は、オールペロブスカイト2接合太陽電池で、30.2％という光エネルギー変換効率を達成した。電気自動車（EV）や電動航空機に搭載可能なペロブスカイト太陽電池の開発につながるとみている。

アプライドは、九州大学と共同で次世代半導体の冷却や省電力化を可能にする「沸騰冷却技術」の実用化に取り組むと発表した。実機環境での検証を行い、研究成果の社会実装を加速させる。

OKIネクステック（ONT）は、AI半導体製造／検査装置メーカーに向けた「ベアチップ基板実装サービス」を、2026年4月22日から開始した。顧客が低コストかつ短期間で装置を開発できるよう、実装設計から実装評価、製品信頼性試験までトータルで支援していく。

東京大学とJSR、東京都立大学、東北大学の研究グループは2026年4月、ノンコリニア反強磁性体を用いた磁気トンネル接合（MTJ）を設計し、大きなトンネル磁気抵抗（TMR）効果が現れることを理論的に予測した。

ミツミ電機は、小型のMEMS熱式フローセンサーチップと補正技術を組み合わせることによって、高い測定精度と温度安定度を実現したデジタル出力風量センサー「MMS651シリーズ」を発売した。データセンターのサーバ冷却やスマートビルの空調管理（HVAC／VAV）などの用途に向ける。

大真空は、独自の水晶振動子「Arkh」を内蔵し、出力周波数625MHzに対応する差動発振器「Arkh.2G」を開発、サンプル出荷を始めた。データセンターのAIサーバや、光トランシーバーなどのDSP用クロック、車載用高速通信といった用途に向ける。