2拠点を1カ所に集約：
ラムリサーチは、三重県四日市市に新オフィスを開設した。これまで技術サポートとカスタマーサポートを行ってきた2つの拠点を1カ所に集約、顧客との連携を一層強化していく。
界面化学結合ネットワークが寄与：
東北大学は、高エネルギー加速器研究機構（KEK）と共同で、酸化物ナノ界面における「隠れた電荷移動経路」を特定した。界面の化学結合ネットワークを取り入れた理論をデバイス設計に導入することで、酸化物ナノ構造の機能設計が可能となる。
CAEと半導体IP分野は2桁成長：
ESD Allianceが発行した最新の電子設計市場データ（EDMD）によれば、2026年第1四半期（1〜3月）における電子システム設計（ESD）業界の売上高は、57億4780万米ドルとなり、前年同期に比べ12.7％の増加となった。
PCBMを用い高い変換効率を実現：
広島大学と京都大学、日本電子らの研究チームは、結晶性が低いポリマー半導体「PTNT2T」が、高い電荷移動度を示す起源を明らかにした。この材料を有機薄膜太陽電池（OPV）へ応用し、世界最高水準のエネルギー変換効率を実現した。
挿入型と同等レベルの放熱性能：
ロームは、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発し、量産を始めた。
工場で作業者の所在など管理：
村田製作所は、工場や物流倉庫などで作業者や物品の所在を1m以下の誤差で検知できる「UWB（超広帯域無線）位置検知システム」を開発、提供を始めた。作業者の動線把握と業務の効率改善に向け自社工場にこのシステムを導入、既に稼働中である。
究極の超高密度メモリへの道拓く：
東京大学は、磁気交換力顕微鏡（MExFM）を用い、酸化マグネシウム薄膜上に吸着した単一原子磁石の情報を読み書きすることに成功した。発熱やエネルギー損失が極めて小さい超高密度メモリを実現できる可能性を示した。
テンダーX線タイコグラフィCT適用：
東北大学は、高アスペクト比エッチングホールの構造を非破壊で3次元（3D）画像として可視化することに成功した。数百層の3D NANDフラッシュメモリ開発などにおいて、その内部構造を非破壊で評価することが可能となる。
144Gbpsの超高速通信を実証：
東京科学大学は、6G（第6世代移動通信）に向け150GHz帯MIMO通信を可能にするフェーズドアレイ無線機ICを開発した。このICを搭載したアンテナ一体型の超小型無線機モジュールを試作し、実証実験で144Gビット/秒という超高速通信を達成した。
性能低下していた要因も解明：
東京大学は、物質・材料研究機構（NIMS）や名古屋大学と共同で、サファイア基板上に二次元半導体を直接成長させたウエハー上で、トランジスタを動作させることに成功した。これまで性能が低下していた要因も解明した。
大阪工場に技術教育機能を集約：
リガクは、半導体計測装置のサービスエンジニアに向けた実機トレーニングを行う拠点として大阪工場内に「リガクソリューションセンター大阪」を開設した。技術教育機能を集約、拡充することでグローバルなサービス体制を強化していく。
高周波誘電損失の低減に成功：
東京科学大学の研究グループは、“分子ゆらぎ”を制御した新たな「ポリイミド絶縁材料」を開発するとともに、この材料を用いて高周波誘電損失を低減することに成功した。6G（第6世代移動通信）やAI半導体を支える高周波絶縁材料として期待される。
HfNをゲート電極として採用：
東京大学大学院工学系研究科のTUNG Vincent教授らによる国際共同研究グループは、台湾・中央研究院応用科学研究センターと共同で、2次元半導体「単層二硫化モリブデン」を用い、室温で発光の強さを電気的に制御できる光電子デバイスを開発し、その動作実証に成功した。
介護ロボットなどへの応用に期待：
北陸先端科学技術大学院大学と英キングス・カレッジ・ロンドンの研究グループは、優しくつかみ、触って感じるロボットハンドを開発した。開発したソフトグリッパー「EleTac」はゾウの鼻先に着想を得た。
EUV露光装置用の光学素子に対応：
産業技術総合研究所（産総研）は、曲面ミラーの絶対形状を非接触かつ2nm精度で計測できる装置を開発した。極端紫外線（EUV）露光装置や放射線施設などで用いられる光学素子の製造や開発、評価といった用途に適用できる。
空孔コア光ファイバーを採用：
電気通信大学とライテラジャパン、慶應義塾大学の研究グループは、空孔コア光ファイバーを用いた波長多重PONシステムにおいて、光ファイバーへの入力パワーが最大10Wを超える大電力光信号伝送に初めて成功した。
水に浮かべ紫外光を当てるだけ：
東海大学の研究グループは、「光触媒による水素製造」と「熱電発電」の機能を、1つの膜の中で実現できる新たなエネルギーデバイスを開発した。
感光性DFRの供給体制を強化：
旭化成の台湾子会社「華旭科技」に建設していた新工場が竣工した。新工場の稼働により、華旭科技全体で感光性ドライフィルムレジスト（DFR）「サンフォート」をスリット加工する生産能力が約1.4倍に拡大する。
最大250Wの家電や電源用途に：
STマイクロエレクトロニクスは、トランジションモードの力率改善（PFC）コントローラーIC「L6462A」を発表した。最大250Wの家電機器や電源装置などの用途に向ける。
銅添加タングステン酸結晶を作製：
北海道大学は、銅を添加したタングステン酸半導体ナノ材料を作製することに成功した。その上で、この材料が「静電容量性」と「導電性」の両挙動を示すことを明らかにした。
80V耐圧NチャネルパワーMOSFET：
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、AIデータセンターや通信基地局用機器に搭載されるスイッチング電源に向けた80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を開発、出荷を始めた。
電解液濃度の最適条件を決める：
東北大学は、リチウム金属電池の電解液濃度について、電池性能を最大化するための新たな指標を発見した。「イオンの協調輸送」と「保護膜（SEI）の強さ」が高性能化のカギを握るという。
低抵抗かつ高信頼の接続が可能に：
エレファンテックは、AIサーバや高速通信機器などに用いられる多層基板の層間接続に向けた銅ナノペースト「SAphire B」を開発した。複数の多層基板ブロック間を接続するための材料で、低抵抗かつ高信頼に接続できる。
ウエハーベースで月産410万枚：
SEMIによると、300mmウエハー対応の半導体製造装置投資額の中で、メモリ製造装置への投資が2026年に520億米ドルとなり、初めて500億米ドルを超える。2027年には570億米ドルに達する見通しである。
直接窒化法で針状のAlN単結晶を育成：AlN単結晶基板の：
東北大学は、直接窒化法を用い針状の窒化アルミニウム（AlN）単結晶を育成することに成功した。これを種結晶として溶液成長法により結晶成長させれば、大口径の超ワイドバンドギャップ（WBG）半導体基板を実現できるとみている。
目視検査時間8割削減：
OKIは、AIサーバなどに搭載される大型高密度基板の目視検査時間を約8割削減できる「目視判定AI技術」を開発した。同社が提供する「まるごとEMS」サービスに組み込むことで、AOI（自動光学検査）後に目視で行う検査時間を短縮し、検査精度を高められる。
GAA型トランジスタのチャネルに：
東京大学は、直径1nmという極めて細い二硫化モリブデン（MoS2）の半導体ナノチューブを合成することに成功した。GAA型トランジスタのチャネル材料として期待される。
ガラス複合型誘電材料：
東京都立産業技術研究センター（都産技研）は、300℃までの温度範囲でも安定した誘電率を示す「ガラス複合型誘電材料」を開発した。自動車のエンジンルームなど高温環境においても、安定した動作が求められるコンデンサーの用途に向ける。
熱の放射と吸収の相反性を破る：
大阪公立大学を中心とする国際共同研究グループは、熱放射の向きを自在に制御できる新たな光デバイスを理論的に提案した。今後、提案したデバイスを試作し動作実証などを行っていく予定。
26年内に徳山事業所で製造開始：
レゾナックは、半導体回路のエッチング工程で用いられる高純度フッ化水素ガス（HFガス）の製造体制を強化する。2026年内に徳山事業所（山口県周南市）で製造を始める。これにより、同社のHFガス国内製造拠点は川崎事業所との2拠点体制となる。
シリコンフォトニクス分野を強化：
アドバンテストは、シリコンフォトニクス向けテストソリューションの開発で、光回路設計IPを持つOpenLight Photonicsと提携する計画である。
カウンターポイントリサーチ調べ：
カウンターポイントリサーチによると、先端パッケージに向けたFOPLP（Fan-Out Panel-Level Packaging）とガラス基板の世界市場は、2024年実績の約6億5000万米ドルに対し、2030年は81億米ドル超に達する見通しである。
AIインフラストラクチャ拡大へ：
Micron TechnologyとAnthropicは、次世代AIインフラストラクチャの拡大に向け、戦略的な協業を行うことで合意した。半導体メモリやストレージ製品の性能向上、エネルギー効率の改善などに取り組む。
環境調和型光電変換材料の開発加速：
理化学研究所（理研）などの共同研究グループは、強誘電性を示す鉛フリーペロブスカイト薄膜で観測されるシフト電流応答が、可視光域で従来に比べ1桁以上も上回ることを確認した。鉛（Pb）を含まない環境調和型光電変換材料として太陽電池などへの応用が期待される。
らせん磁性の巻き方を直接観測：
東北大学や総合科学研究機構、京都大学、慶應義塾大学の研究グループは、らせん磁性体を用いた新型磁気メモリ開発に需要となる基盤技術を確立した。今回の研究では、らせん磁性の巻き方を直接観測し、試料体積の90％以上という精度で巻き方を制御できることが分かった。
4年で最大1200億円：
JX金属は、インジウムリン（InP）基板の生産能力を増強するため、今後4年間で最大1200億円の設備投資を行う方針を決めた。データセンター向け光通信インフラ装置の需要拡大に対応する。
分析／検査用装置をハンディ型に：
タムロンは、耐熱性に優れたチップ型光源「MIM（金属−絶縁体−金属）メタサーフェス近赤外光源」の実用化に初めて成功した。開発成果を用いれば、これまで大きくて持ち運びできなかった分析／検査用近赤外光源装置を、ハンディサイズにできるという。
AIリコメンドサービスを開始：
東芝は、AIエージェントによる「AIリコメンドサービス」の提供を始めると発表した。このサービスを活用すれば、特定の熟練者に頼ることなく表面実装技術（SMT）による製造ラインの工程改善を行うことができる。
TRCが表面分析サービスを開始：
東レリサーチセンター（TRC）は、半導体デバイスや有機ELなどの積層デバイス内部における電流の通り道を可視化する「表面分析サービス」を始めた。半導体デバイスの性能ばらつきや不良原因の解析などが可能となる。
独自の「ワッフルウエハー構造」など：
東京科学大学は、次世代AIシステム向け高密度半導体集積技術「BBCube」を実現するため、「実装」「接続」「熱設計」に関する3つの基盤技術を、産学研究プラットフォーム「WOWアライアンス」と共同で開発した。
チップレットや3D実装の基盤技術に：
理化学研究所（理研）とエンプラス研究所の研究グループは、GHzバーストモード超短パルスレーザーを用い、ガラスに超高アスペクト比で高品質の微細貫通穴を、超高速で形成するための技術を開発した。チップレットや3次元実装など先端半導体デバイス製造における基盤技術として期待される。
4インチ結晶の開発にも着手：
Orbray（オーブレー）と英Element Six（エレメントシックス）は、直径3イチ（76.2mm）の単結晶ダイヤモンド結晶の生産技術を確立した。4インチ結晶の開発に着手するとともに、2インチウエハーの量産準備が最終段階にあることも明らかにした。
装置の高電圧化や小型化が可能に：
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高い遮断耐量と短絡耐量を両立させた6500V定格の圧接型IEGT（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ）チップを開発した。変換装置の高電圧化や小型化が可能となる。
Synopsys製ツール用：
村田製作所は、Synopsys製の電磁界／熱解析ツールで利用可能な受動部品のシミュレーションモデルを作成し提供を始めた。顧客はシミュレーションツールから村田製作所のウェブサイトに直接アクセスし、最新のモデルを容易にダウンロードできる。
AL-ILと呼ぶバッファ層を形成：
物質・材料研究機構（NIMS）は、シリコン（Si）ウエハー上に窒化ガリウム（GaN）成膜を行うため、「アモルファスライク中間層（AL-IL）」と呼ぶバッファ層を形成する技術を開発した。安価なSiウエハー上に縦型GaNデバイスを作製するための基盤技術となる。
低損失と高信頼を両立：
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、データセンターの電源システムなどに搭載される高周波インバーター向け炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール技術を開発した。高周波動作によりインバーターの総電力損失を約30％低減できることを確認した。
より高精細なディスプレイ開発へ：
京都大学は、半値幅が5.5nmという極めて狭い発光を示す有機材料の開発に成功した。今回の成果は、より高精細なディスプレイの開発につながるとみられる。
26年中に量産開始：
インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンターや産業用途に向け、ノーマリオフ対応品やパッケージオプションなど「CoolSiC JFET」の製品群を拡充すると発表した。新製品は2026年中にも量産を始める予定だ。
温度センサーアレイを高速／低消費で読み出す：
九州大学と村田製作所の研究グループは、大規模な温度センサーアレイから極めて少ない電力で、高速に信号を読み出すための新たな方式を開発した。より人間の皮膚に近い分解能で、温度や触覚を感じることができる電子皮膚やウェアラブルセンサーなどへの応用に期待する。
技術パートナーシップ締結：
NVIDIAとSK hynixは、複数年にわたる技術パートナーシップ契約を結んだ。NVIDIAのAIインフラロードマップに沿って、AIファクトリーに向けた次世代メモリを共同開発していく。