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馬本隆綱

馬本隆綱がアイティメディアで執筆した記事一覧です。

電気化学ポンピングシステム:

弘前大学の研究グループは、リチウム資源の採取および回収に向けた「電気化学ポンピングシステム技術」を開発した。使用済みリチウムイオン電池などから、高純度のリチウムを高速に回収することが可能となる。

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ITインフラストラクチャ向け:

Armは、ITインフラストラクチャ向けプラットフォーム「Arm Neoverse」ファミリーとして、第3世代となる3つのCPUコア「V3」「N3」「E3」を発表した。同時に、SoC(System on Chip)の設計を支援する「Neoverse Compute Subsystems(CSS)」として「CSS V3」および「CSS N3」も発表した。

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量子コンピュータの大規模化へ:

富士通は、量子技術研究機関の「QuTech」とともに、極低温冷凍機に設置したクライオCMOS回路を用いて、ダイヤモンドスピン量子ビットを駆動させることに成功した。大規模な量子コンピュータの実現に向けて、これまで課題となっていた量子ビットと制御回路間の配線を単純化することが可能となる。

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重要となるAサイトの原子配列:

京都大学は、九州大学や大強度陽子加速器施設(J-PARC)、北海道大学の協力を得て、ペロブスカイト関連層状酸化物「La2SrSc2O7」が強誘電体になることを実証した。しかも、強誘電性の発現には、Aサイトの無秩序な原子配列が重要な役割を果たしていることを突き止めた。

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EVに求める航続距離と充電時間は:

矢野経済研究所は、「日米欧中におけるEV(電気自動車)の消費者ニーズ」についてアンケート調査を行い、その結果をまとめた。この中から、「EVのイメージ」や「消費者が求めるEVの航続距離と充電時間」に関する調査結果を公表した。

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100Gbps超の送信レートを実証:

東京工業大学と日本電信電話(NTT)の研究グループは、300GHz帯フェーズドアレイ送信機について、アンテナや電力増幅器を含め全てCMOS集積回路で実現することに成功した。6G(第6世代移動通信)で期待される100Gビット/秒超の送信レートを実証した。

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資金調達額は累計19.2億円へ:

大熊ダイヤモンドデバイスは2024年2月、北陸銀行、みずほ銀行および三井住友銀行より、デットファイナンスによる資金調達を行った。今回の調達額は総額3億3000万円(融資枠含む)で、創業以来の資金調達額は累計19億2000万円となる。

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白物家電向けに全負荷領域で高効率:

サンケン電気は、スーパージャンクションMOSFET(SJ-MOSFET)と電流モード型PWM制御ICを1パッケージに集積したPWM型スイッチング電源用パワーIC「STR3W400MXDシリーズ」を開発、その第1弾として「STR3W424MXD」の量産を始めた。

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新たな焼結機構を活用し課題解決:

デンソーと九州大学の研究グループは、新しい焼結機構を活用することで、750℃という低温焼結とLi金属への安定性を両立させた「固体電解質」を開発したと発表した。Li金属負極を用いて作製した全固体電池は、−25〜120℃という広い温度範囲で動作することを確認した。

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高速負荷応答技術「QuiCur」搭載:

ロームは、車載プライマリー電源に向けたLDOレギュレーターIC「BD9xxM5-C」を開発した。独自の高速負荷応答技術「QuiCur」を搭載しており、入力電圧や負荷電流が変動しても、優れた応答特性によって安定した出力が可能である。

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半導体や絶縁体などへの適用も:

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)と九州大学および日東電工は、グラフェンなどの2次元材料を効率よく簡単に転写できる機能性テープ「UVテープ」を共同で開発した。開発した技術は半導体や絶縁体などの2次元材料にも適用できるという。

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縦型熱電モジュールで耐久性改善:

産業技術総合研究所(産総研)と島根大学は、熱流と垂直方向に発電する新しい熱電材料「ゴニオ極性材料」を開発した。室温より高い温度域で使用する場合でも、熱劣化が生じにくい熱電モジュールの開発が可能となる。

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販売額も前年比で10.9%減に:

2023年の半導体用シリコンウエハー世界市場は出荷面積、販売額のいずれも2022年実績を下回った。最終需要の鈍化が広範囲な在庫調整と重なったことが主な要因。SEMIが発表した。

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嵌合作業時の破損防止構造を採用:

京セラは2024年2月、0.3mmピッチ基板対基板コネクター「5814シリーズ」の販売を始めた。通信端末やウェアラブルデバイスといった用途に向けて、小型化と同時に嵌合作業時の破損防止構造を採用した。

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長時間隠れて存在できる機構も発見:

東京大学と東北大学の研究グループは、磁石の中に隠れていた磁気振動の情報(コヒーレンス)を発見し、その情報を取り出すことに成功した。新たな磁気情報デバイスの開発につながるとみている。

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次世代半導体の量産に向け:

トッパンフォトマスクとIBMは、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUVフォトマスク」を共同開発する。契約期間は2024年2月より5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所(米国ニューヨーク州)と、トッパンフォトマスクの朝霞工場(埼玉県新座市)で研究開発を行う。

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60℃の環境で1000時間以上発電:

物質・材料研究機構(NIMS)は、20%以上の光電変換効率(発電効率)を維持しつつ、実用環境に近い60℃の高温雰囲気下で1000時間以上の連続発電が可能な「ペロブスカイト太陽電池」を開発した。

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HDビデオ映像を安価な部材で伝送:

ルネサス エレクトロニクスは、オートモーティブHDリンク(AHL)用の4チャネル対応デコーダーIC「RAA279974」を開発、サンプル出荷を始めた。車載カメラから送られてくる最大4映像をワンチップで同時にデコードすることができる。

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新たなデバイスにつながる可能性も:

理化学研究所(理研)と東京大学による共同研究チームは、音響共振器を用い基板表面を伝わる音波(表面音波)を閉じ込めることで、強磁性体中のスピン波と表面音波が強結合した状態を、室温で観測することに成功した。スピン波と表面音波の特性を併せ持つ、新たなデバイスの開発が期待される。

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温度ドリフトも最小限に抑える:

STマイクロエレクトロニクスは、オフセット電圧が極めて低く、温度ドリフトを最小限に抑えた高精度ゼロドリフトオペアンプIC「TSZ151」を発表した。高精度センサーや産業機器/サーバ/通信インフラ用電源などの用途に向ける。

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高電流密度対応で効率的に水素製造:

三菱マテリアル(MMC)と横浜国立大学は、3Dプリンター技術を用いて「2層構造のチタン製水電解電極」を開発した。これを活用すると高電流密度の条件下でも、水素を効率よく製造することが可能となる。

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世界4拠点体制で需要増に対応:

富士フイルムは、富士フイルムマテリアルマニュファクチャリング九州エリア(FFMT九州、熊本・菊陽町)で、半導体製造プロセスに用いられる「CMPスラリー」の製造を始めたと発表した。同社は米国や韓国、台湾でCMPスリラーを製造しているが、国内拠点での生産は初めてとなる。

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スピン反転速度を約1000倍以上に:

名古屋大学と九州大学の研究チームは、有機EL材料の発光効率を高める新たな量子機構を発見した。開発したシミュレーション法を活用すれば、高性能なTADF(熱活性化遅延蛍光)分子を、効率よく開発できるとみられる。

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企業ごとのカスタマイズも容易:

リコーは、日本語の精度が高い130億パラメーターの「大規模言語モデル(LLM)」を開発した。顧客の業種や業務に合わせたカスタムLLMを2024年春より順次、クラウド環境で提供する。

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二次元マグノニック結晶を開発:

東北大学と信越化学工業の研究グループは、「二次元マグノニック結晶」という周期構造体を開発し、スピン波の伝わる方向を制御することに成功した。情報伝達にスピン波を用いれば、低消費電力で高集積化が可能な次世代デバイスを実現できるという。

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製造工程の最適化などにも適用可能:

東北大学の研究グループとLG Japan Labは、量子アニーリングマシンとベイズ的最適化と呼ばれる機械学習(ML)技術を連係し、これまで未探索であった目標特性値を持つ新規化学材料を発見した。今回の研究成果は、製造工程の最適化や生物分野などにも適用できるという。

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高速な読み出し/書き込みを実現:

キオクシアは、次世代の車載機器に向け、JEDEC標準仕様「UFS Version 4.0インタフェース」に準拠した組み込み式フラッシュメモリ(UFS製品)を開発、サンプル出荷を始めた。

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組み込みシステムの性能向上へ:

STマイクロエレクトロニクスは、マイコン(MCU)「STM32」用に開発したプログラムコードを、マイクロプロセッサ(MPU)「STM32MP1シリーズ」に移植するためのソフトウェア「STM32CubeMP13」を発表した。システム設計者は、開発済みのソフトウェア資産を活用し、高機能でリアルタイム性能を備えた次世代製品向けソフトウェア開発を容易に行うことができる。

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2023年は前年比150.4%の1万トン超:

矢野経済研究所は、カーボンナノチューブ(CNT)の世界市場を調査し、2023年は前年比150.4%の1万986トン(メーカー出荷量ベース)になる見込みだと発表した。車載用リチウムイオン電池(LiB)向けなどで、2028年には5万トン超の規模に拡大すると予測した。

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アルカリイオン二次電池の容量増大:

産業技術総合研究所(産総研)と大阪大学、東京工芸大学、九州大学および、台湾国立清華大学の研究グループは、グラフェンの層間にアルカリ金属を高い密度で挿入する技術を開発した。電極材料としてアルカリ金属を2層に挿入したグラフェンを積層して用いれば、アルカリイオン二次電池の大容量化が可能になるという。

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ダイヤモンドCMOS集積回路実現へ:

物質・材料研究機構(NIMS)は、「n型ダイヤモンドMOSFET」を開発したと発表した。「世界初」(NIMS)とする。電界効果移動度は、300℃で約150cm2/V・secを実現した。ダイヤモンドCMOS集積回路を実現することが可能となる。

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超高感度磁気センサーの実現に期待:

慶應義塾大学とブラウン大学、中国科学院大学らの共同研究チームは、フレキシブル基板上の磁性薄膜において、室温かつ低磁場の環境で「創発インダクタンス」を観測し、そのメカニズムについても解明した。

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透過する方向を外部磁場で切り替え:

大阪公立大学と東京大学の研究グループは、LiNiPO4(リン酸ニッケルリチウム)単結晶を用いた実験で、光の進行方向を反転させることによって、光通信波長帯域における光ダイオード効果が2倍以上も変化することを発見した。外部から磁力を加えると、透過方向を切り替えることもできる。

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インバーターの小型化を可能に:

三菱電機は、xEV用インバーターの小型化を可能にするSiC/Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を開発した。2024年3月25日より順次サンプル出荷を始める。

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大面積の薄膜作製が容易に:

九州大学とリーズ大学による国際共同研究グループは、大面積の成膜に適したオンアクシススパッタリング法を用い、ツリウム鉄ガーネット(TmIG)の垂直磁化膜を作製することに成功した。高速磁壁移動デバイスやスキルミオンデバイスなどの製造に適用していく。

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アキラルな分子で円偏光を発生:

近畿大学は、半導体材料の「ペロブスカイト量子ドット」に対し、外部から磁力を加えることで「円偏光」を発生させ、その組成を変えるだけで「マルチカラー円偏光」を発生させることに成功した。加える磁力の方向を変えれば、全ての色について円偏光の回転方向を制御できることも明らかにした。

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既に12種類のCPUで正しく動作:

神奈川工科大学らの研究チームは、CPUの種類に関係なくウイルスが利用する機能(ライブラリ関数)を追跡することで、IoT(モノのインターネット)ウイルスの振る舞いを解析できるツール「xltrace(エックスエルトレース)」を開発した。

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薄膜内の貫通転位密度を大幅低減:

立命館大学と京都大学、物質・材料研究機構の研究チームは、xを0.53付近に調整したルチル型(r-)GexSn1-xO2薄膜を、r-TiO2基板上に格子整合(格子整合エピタキシー)させることで、薄膜内の貫通転位密度を極めて小さくすることに成功した。

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IoTエッジデバイスなどに向け:

ルネサス エレクトロニクスは、IoTエッジデバイスやゲートウェイ機器に向けた64ビット汎用MPU「RZ/G3S」を開発、量産を始めた。

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活物質にPBA NP、導電助剤にSWNT:

山形大学と関西学院大学は、高速で充放電可能な二次電池を実現するための「新しい正極構造」を開発した。電気自動車やドローン向け電源や非常用電源などへの応用が期待される。

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プリンテッドエレクトロニクス用:

住友金属鉱山と物質・材料研究機構(NIMS)および、NIMS発ベンチャー企業のプリウェイズ、エヌ・イー ケムキャットは、プリンテッドエレクトロニクス用の「厚膜導電性インク」を共同開発した。一般的な導電性インクに比べ、安価で酸化しにくく、大電流や大面積の仕様にも対応できる。

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数nm世代のSTT-MRAMに対応:

東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)の記憶素子である磁気トンネル接合(MTJ)素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持」はもとより「データの高速書き込み」にも対応できるという。

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元素置換で電子状態を変調:

東北大学と富山県立大学、物質・材料研究機構(NIMS)の研究グループは、汎用的な元素置換手法を用い、強磁性トポロジカル半金属の異常ネルンスト係数の符号を制御することに成功。これを基に符号の異なる薄膜を組み合わせたサーモパイル素子を作製し、ゼロ磁場下における熱電変換動作を確認した。

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分散型アーキテクチャを視野に:

NXP Semiconductorsは、車載用ワンチップレーダーファミリーとして、分散型処理を行う次世代のストリーミングセンサーに向けたレーダーSoC「SAF86xx」を発表した。分散型アーキテクチャ専用レーダープロセッサ「S32R」などと組み合わせることで、ソフトウェアデファインド機能を備えたレーダーセンサーネットワークを構築できる。

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溶媒内の超音波処理、わずか1分:

東京大学は、溶媒内で超音波処理を行い、わずか1分という短い時間でサブナノ厚の2次元(2D)半導体単層を選択的に単離することに成功した。単離した単層を用い、多数の電極を有する単層デバイスの作製も可能である。

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