加藤博二（Sifoen）

今回はチョーク電流不連続時のリップル電圧の求め方について説明します。

今回は不連続モード時のリップル電圧について説明する前段階として、チョーク電流が連続でも平滑キャパシターへの充電がtoff期間より短くなるモードについて説明します。

今回はいままで計算の前提にしてきたチョークの電流連続性が途切れた場合のコンバーターの振る舞いについて図を表す1次式を基に検討します。

今回は、チョークの仕様の妥当性とともにリップル電圧の図式解法、キャパシターの要求特性について説明します。

今回はCRスナバー回路とチョークの要求特性について説明します。

今回はステップアップコンバーターに使用する部品の定格について説明、検討していきます。

今回からステップアップ形DC/DCコンバーターについて説明していきます。まずは、ステップアップコンバーターの基本回路と動作原理について解説します。

今回はDC/DCコンバーターを設計する上で欠かせない「過電流保護回路」について説明します。

今回はいままで前提にしてきたチョークの電流連続性が途切れた場合のコンバーターの振る舞いについて図式を基に検討します。

今回は前回説明しきれなかったチョークの要求特性について説明し、続いて今回の目標であるリップル電圧を図式解法で導けるかを検討します。

今回は前回の検討で得られた各部の波形からスイッチング動作に関係する素子に要求される特性項目と値について説明します。

今回はこれまで説明した2つの式を使って基本的なステップダウン形DC/DCコンバーターを設計していきます。また最後に前回の課題の1つの考え方を示します。

今回はテーマとした「2つの式」のなかで前回説明しきれなかったキャパシターの式について説明したいと思います。キャパシターは電子回路で抵抗器、インダクターと並んで多用される電子部品です。

今回から電源設計の超初心者向けにDC/DCコンバーターの設計を説明していきます。この連載で主として使用する式はインダクタンスに関する式および、キャパシタンスに関する2つの式だけです。2つの式から導かれるインダクタンスとキャパシタンスの電気的性質を使って入門書などに記載されている基本的なコンバーターの設計をどこまで説明できるかを考えていきます。

これまで、各種形状の単パルス損失が発生した時の温度上昇の求め方について技術的な検証を含めて説明してきました。ただ、実機においては単パルスではなく同じ損失が繰り返し発生します。今回はこの繰り返し損失波形の温度上昇について考えていきます。

今回はここまでの考え方に従って損失変化が直線ではなく正弦波で表される事例について検討を進めます。

今回は「重ね合わせの理」を使用して増加形三角形の損失波形を任意の三角形の波形へ拡張することを考えていきます。

温度計算のツールともいえる原理（前提条件、仮定）を各種波形に適用し、得られた結果と従来の式を比較し、その妥当性を検討していきます。

今回から、数回にわたり半導体を使う上で考慮しなければならない接合（ジャンクション）部の温度計算の算出法について説明します。

今回はコストダウンの一環として導入が進められている銅ワイヤーの評価項目とその注意点について説明します。

今回は銅ワイヤーについて説明する予定でしたが、その一環としてワイヤーボンドの評価法について説明します。

今回はワイヤーボンドの用語、治具および、ワイヤーボンドの不良について説明します。

今回から、半導体チップと外部電極との接続する「ワイヤーボンド」について解説していきます。

今回は今まで説明してこなかったアバランシェ検査の新しい考え方について説明します。

今回はアバランシェ耐量を使う時のマージンの取り方やアバランシェ保証導入初期にメーカーとともに経験した失敗事例について説明します。ここで紹介する失敗事例は現在では全て対策が取られ、同じ不良は発生しないはずです。

今回はエネルギー吸収時のチャネル温度変化を説明するとともに、アバランシェ対応チップが持つ吸収エネルギー保証曲線について説明します。逆に言えば、ここで説明する保証曲線を持たない限りアバランシェ耐量に対応しているとは言えないことになります。

今回からはMOSFETの構造に起因するアバランシェ耐量と呼ばれるサージ耐量を使う上での注意点について説明します。この特性を使うには半導体メーカーでの作り込みと正しい検査、そしてユーザーの正しい使い方、の3点が全て満たされることが必要です。この耐量を上手く使いこなすことができれば効率を上げ（損失低減）ながら信頼性を確保できます。

今回はパワーMOSFETの構造とそれに起因する寄生容量について説明するとともに、引き続きゲート駆動回路を中心にした使い方の注意事項を説明します。前回の記事と併せて読んでいただければ理解も深まると思います。

今回も引き続き、パワーMOSFETの使い方の失敗事例を紹介します。ただ、当時の日本ではどこも採用していなかったパワーMOSFETの使用方法に関するものですから厳密には失敗事例とはいえないかもしれません。

今回も前回に引き続いて筆者が経験した不良について説明していきます。加えて当方で半導体の使い方を間違えた事例も説明しますので、本稿での事例を基に再発防止に役立てていただければよいかと思います。

前回に引き続き、筆者が実際に半導体を使用する中で経験した思いがけない不良や原因が解明できていない不良について説明していく。

前回に引き続いて筆者が経験した不良について説明していきます。今回は、ダイシング済みのチップを実装するときの話になります。

今回からは半導体製造工程の流れに従って筆者が経験した不良について説明していきます。

今回からは電子回路に欠かせない半導体について説明します。本シリーズでは半導体の市場不良および、その原因を説明するための製造工程の問題を主眼に説明をしていきます。

これまで水晶振動子について解説してきましたが、機器の中には水晶振動子ほどの精度や安定性を求めない場合があります。今回は、水晶振動子ほどの精度、安定性を求めない箇所に使用されるセラミック振動子について解説します。

今回は水晶振動子の動作概要や発振回路に使った場合の注意点などについて説明します。

今回からはマイコンや各種発振器、フィルターに使われる共振子について説明していきます。これらの共振子は回路的には完成度が高く、指定された使い方を間違えなければ正しく動作します。発振器として市販されている部品もありますので適材適所で使い分けることが肝心になります。

電気二重層キャパシター（EDLC）シリーズの最終回として、EDLCの新しい技術を紹介します。EDLCは現在でも根幹的な新しい技術が開発されるなどまだ未完の部品なのです。

今回はEDLCにおいて重要視される特性や注意事項、寿命計算の考え方について説明をしたいと思います。

電解液について説明するとともに、EDLCの製造の流れについて説明していきます。

前回は、電気二重層（EDLC）キャパシターの概要について説明をしました。大容量を生み出す源が電気二重層というエネルギーギャップにあることを理解いただけたでしょうか？　今回はそのようなEDLCがどのように作られているか、主な材料を紹介しながら説明していきます。

今回からはキャパシターの一種である電気二重層キャパシター（EDLC）について説明していきます。EDLCは、耐圧は低い（数ボルト以下）のですがその容量はファラド（F）単位になり、大容量と言われるアルミ電解コンデンサーの数百倍から数千倍のエネルギー密度になります。

今回はセラミックキャパシターシリーズのまとめとして、「使用上の注意点」や「ディレーティング」について説明します。

過去2回にわたってセラミックキャパシターの温度特性について説明してきました。今回は最近のセラミックキャパシターに用いられる新しい構造について説明したいと思います。

高誘電率系のキャパシターの温度特性について説明します。この種のキャパシターの温度特性は数式で変化の様子を表すことができません。したがって図表や文章での説明が主体になります。

セラミックキャパシターの温度特性について説明をしていきます。なお、今回、取り上げる温度特性はIEC規格クラス1やその日本版であるJIS規格のクラス1です。

セラミックキャパシターの特徴や構造の説明を行うとともに製造工程を中心に説明をしていきます。

今回は、そもそもですが、誘電体とは何かについて説明します。

今回からはキャパシターの一種であるセラミックキャパシターについて説明をしていきます。セラミックキャパシターは誘電体にセラミックス、つまり磁器や陶器に類する無機材料を使用したキャパシターを言い、このことがよくも悪くもセラミックキャパシターを特徴付けています。本稿では、小型のセラミックキャパシターについて説明をしていきます。