100万回の耐久性試験を実施: IBM、3ビット/セルのPCMの研究成果を発表 IBMチューリッヒ研究所が、3ビット/セルのPCM(相変化メモリ)の研究成果を、パリで開催された「IEEE International Memory Workshop(IMW 2016)」で発表した。 (2016年5月19日)
100万回の耐久性試験を実施: IBM、3ビット/セルのPCMの研究成果を発表 IBMチューリッヒ研究所が、3ビット/セルのPCM(相変化メモリ)の研究成果を、パリで開催された「IEEE International Memory Workshop(IMW 2016)」で発表した。 (2016年5月19日)