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Samsung幹部、DRAM価格操作の罪認める

Samsungの幹部役員が、DRAMの価格操作を行っていたことを認めた。禁固8カ月の実刑判決に加え、25万ドルの罰金が課せられた。

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 米司法省は9月21日、韓国Samsung Electronicsの米国支社Samsung Semiconductorのメモリ製品マーケティング部門バイスプレジデント、トーマス・クイン氏が、DRAMの価格操作を行っていたことを認めたと発表した。

 クイン氏は司法取引により、8カ月の禁固刑と25万ドルの罰金支払いに同意した。また同省への捜査協力にも合意している。

 今回の判決を含めると、これまでの一連のDRAM価格操作捜査において、4社13人が有罪判決を受けた。罰金総額は7億3100万ドルに上る。

 DRAM捜査の中で有罪を認めたSamsung幹部は、クイン氏で4人目。ほかの3人も7カ月から8カ月の禁固刑と、それぞれ25万ドルの罰金に同意している。さらに韓国Hynix Semiconductorの4人の幹部がDRAM価格操作で有罪判決を受け、5カ月から8カ月の禁固刑と25万ドルの支払いを認めた。2004年12月には、独Infineonの4人の幹部役員がDRAM価格操作で有罪となり、同じく4カ月から6カ月の禁固刑と25万ドルの罰金に処せられている。また2003年12月には、米Micron Technologyの営業マネジャーが文書偽造で有罪となった。

 企業レベルでは、2004年10月にInfineonが1億6000万ドル、2005年11月にSamsungが3億ドル、2005年5月にHynixが1億8500万ドル、2006年1月にエルピーダメモリが8400万ドルの罰金を、DRAM価格操作の罪で課せられている。

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