Samsung、モバイル機器向け1GビットDRAM発表

Samsungがモバイル機器向けに、80nmプロセスによる1GビットDRAMを発表した。量産開始は2007年第2四半期を見込む。

[ITmedia]

　韓国Samsung Electronicsは12月27日、80ナノメートル（nm）プロセスによる業界初のモバイル機器向け1GビットDRAMを開発したと発表した。

　新メモリは低消費電力DDRまたはSDRAMとして知られるDRAMで、デジタルカメラや携帯メディアプレーヤー、携帯ゲーム機器などへの搭載が見込まれている。

　従来の512Mビットチップを2枚使った1GビットDRAMとは異なるモノリシック構造で、パッケージング技術は同じだが、待機電流（セルフリフレッシュ電流）を30％抑えることに成功したという。

　また512Mビットチップを2枚使った従来製品より最低でも20％の薄型化を実現。複数のチップを組み合わせるパッケージで、フラッシュメモリと組み合わせて使用することも可能。量産開始は2007年第2四半期を見込む。