韓国Samsungは6月14日、米テキサス州オースティンに35億ドルを投じて建設した、300ミリNAND型フラッシュメモリウエハー工場のオープニングセレモニーを行った。
新工場は160万平方フィートで、フットボール場9個分の広さ。米国内の半導体工場としてはトップクラスの規模となる。最初に製造される製品は、50ナノメートル(nm)プロセス技術による16ギガビットのNAND型フラッシュメモリの予定。工場は年内に生産を開始し、2008年中にはウエハー月産6万枚を目指すという。
新工場は、97年に完成した同社の200ミリウエハー工場に隣接する。既存工場では今後も継続してDRAM製造を行う予定だ。
Samsungが韓国外で運営する半導体工場はオースティン工場のみ。
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新型フラッシュメモリは東芝の四日市事業所の「Fab 3」で製造されるが、今年末までに、両社の合弁会社Flash Allianceと共同で建設中の「Fab 4」での生産も開始される。
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