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米Micron、1.2TB/sの帯域幅を実現したHBM3 Gen2メモリを発表
米Micron Technologyは、現行のHBM3ソリューション比で50％の高速化を実現したHBM3 Gen2メモリの発表を行った。
米Micron Technologyは7月26日、現行のHBM3ソリューション比で50％の高速化を実現したHBM3 Gen2メモリを発表、サンプル出荷を開始した。
1β（1ベータ）DRAMプロセスノードを採用するメモリで、8層で24GBの大容量化も合わせて実現。ワットあたりの性能は前世代比で2.5倍向上したとしている。
また2024年第1四半期には、13層積層の36GB製品がサンプル集荷される予定だ。
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