News:ニュース速報 2003年7月10日 04:22 PM 更新

3.2GHz動作の最速メモリ「XDR DRAM」を発表 Rambus、東芝、エルピーダ

米Rambusと東芝、エルピーダメモリは、3.2GHzで動作する次世代メモリ「XDR DRAM」を発表した。現在のPC用DRAMと比べ8倍の帯域幅を実現できる。東芝とエルピーダは2004年に製品化、2005年に量産化する計画だ。

 米Rambusと東芝、エルピーダメモリは7月10日、3.2GHzで動作する次世代メモリ「XDR DRAM」を発表した。現在のPC用DRAMと比べ8倍の帯域幅を実現できる。東芝とエルピーダは2004年に製品化、2005年に量産化する計画だ。


XDRメモリインタフェースのダイアグラム

 XDR DRAMは、開発コードネーム「Yellowstone」と呼ばれていたメモリインタフェース「XDRメモリインタフェース」を搭載。ピン当たり3.2GHzのデータ転送レートを実現し、データ転送速度は6.4Gバイト/秒から12.8Gバイト/秒。動作電圧は1.8ボルト。将来は6.4GHz動作も可能で、データ転送速度は100Gバイト/秒に達するという。

 メモリチップは256Mビット品から8Gビット品までラインアップを予定。デバイス当たりのデータバス幅は1ビットから32ビットまでサポートし、高バンド幅化と大容量化の両方に対応できる。DRAMチップ個数は36個までサポート可能。モジュールは低コストなパッケージと4層基板を採用し、他のDRAMモジュールと同じ転送速度でもシステムレベルではコストダウンが可能だとしている。

 XDRメモリインタフェースは、ソニーとソニー・コンピュータエンタテインメントが「CELL」プロセッサに採用することを発表している。XDR DRAMはまず高バンド幅が必要な次世代ゲーム機やグラフィックカード、ネットワーク機器などでの利用を想定。その後PCやサーバ、モバイル機器向けへの拡大を見込んでいる。

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