福田昭のデバイス通信（470） AIサーバの放熱技術（3）：
今回は、サーバの主なフォームファクター（外形の形状と寸法）を解説する。大きく分けて、3つのフォームファクターがある。
福田昭のデバイス通信（468） AIサーバの放熱技術（1）：
「Hot Chips 2024」の技術講座（チュートリアル）のテーマは放熱技術だった。CPU／GPUの消費電力が増加し、サーバやデータセンターの放熱技術に対する注目が集まっているからだ。本シリーズでは、Hot Chips 2024の技術講座などをベースに、最新の放熱技術を解説する。
福田昭のストレージ通信（267）：
「FMS（Flash Memory Summit）」では毎年、フラッシュメモリ技術関連で多大な貢献を成した人物に「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」を授与してきた。2024年の「FMS（Future Memory and Storage）」では、東芝（当時）で3次元NANDフラッシュメモリ技術「BiCS-FLASH」を開発した5人の技術者が同賞を受賞した。
福田昭のストレージ通信（266）：
米Seagate Technologyと米Western Digitalの2024会計年度（2024年6月期）の通期業績を紹介する。
福田昭のストレージ通信（265）：
米Western Digitalの2024会計年度第4四半期（2024年4月〜6月期）の業績を紹介する。
福田昭のストレージ通信（264）：
米Seagate Technologyの2024会計年度第4四半期（2024年4月〜6月期）の業績を紹介する。
福田昭のデバイス通信（467） ECTC現地レポート（5）：
「ECTC 2024」は初めて参加者が2000人を突破し、大盛況となった。最終日の昼食会ではラッフル（番号くじ）が行われた。筆者も驚くほど「想定外の豪華賞品」が次々に登場し、会場は大いに盛り上がった。
福田昭のストレージ通信（263）：
Micron Technologyの2024会計年度第3四半期（2024年3月〜5月期）の業績を紹介する。
福田昭のデバイス通信（466）ECTC現地レポート（4）：
「ECTC 2024」のプレナリーセッションの最終日（2024年5月31日）には、半導体業界の人材育成に関するパネル討論が行われた。その中から中国Central South University（中南大学）と米国Texas Instrumentsの講演を紹介する。
福田昭のデバイス通信（465） ECTC現地レポート（3）：
「ECTC 2024」のプレナリーセッションの最終日（2024年5月31日）には、半導体業界の人材育成に関するパネル討論が行われた。その中からいくつかの講演を紹介する。
福田昭のデバイス通信（464） ECTC現地レポート（2）：
引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。
福田昭のデバイス通信（463） ECTC現地レポート（1）：
2024年5月に開催された「ECTC 2024」のレポートを複数回にわたりお届けする。
福田昭のストレージ通信（262）：
2024年8月に「フューチャーメモリアンドストレージ（FMS：The Future Memory and Storage）」が米国で開催される。「Flash Memory Summit」から名称を変更したイベントとなる。
福田昭のデバイス通信（462） 2024年度版実装技術ロードマップ（1）：
電子情報技術産業協会（JEITA）が2年ぶりに実装技術ロードマップを更新し、「2024年度版 実装技術ロードマップ」を2024年6月に発行した。ついに電子書籍となった。2024年6月11日には、5年ぶりとなるリアルでの「完成報告会」を都内で開催した。
福田昭のデバイス通信（461） 2022年度版実装技術ロードマップ（85）：
長きにわたり続いてきた「2022年度版実装技術ロードマップ」の解説シリーズは、今回で最終回となる。今回は、基板対基板コネクタと光コネクタの動向を解説する。
福田昭のデバイス通信（460） 2022年度版実装技術ロードマップ（84）：
「4.2 基板内蔵部品」のうち、「4.2.2 シリコンキャパシタ」の概要を紹介する。
福田昭のデバイス通信（458） 2022年度版実装技術ロードマップ（82）：
今回は、「4.1.3.4 実装」の後半2つの項目である「適切なはんだ量の設定」と「スルーホールリフロー（THR）対応コンデンサ」について解説する。
福田昭のデバイス通信（457） 2022年度版実装技術ロードマップ（81）：
今回は、「4.1.3 部品実装・設計時の注意点」の4番目の項目である「4.1.3.4 実装」を取り上げる。実装の不良の要因と対策を説明する。
福田昭のストレージ通信（261）：
米Western Digitalの2024会計年度第3四半期（2024年1〜3月期）の業績を紹介する。
福田昭のストレージ通信（260）：
米Seagate Technologyの2024会計年度第3四半期（2024年1〜3月期）の業績を紹介する。
福田昭のデバイス通信（456） 2022年度版実装技術ロードマップ（80）：
「4.1.3.3 信頼性」の概要を説明する。前回の「振動対策」と「クラック対策」に続き、今回は「電蝕対策」の内容を解説する。
福田昭のデバイス通信（455） 2022年度版実装技術ロードマップ（79）：
今回は「4.1.3.3 信頼性」の概要を説明する。その中から、「振動対策」と「クラック対策」を取り上げる。
福田昭のデバイス通信（454） 2022年度版実装技術ロードマップ（78）：
今回は「（2）3端子貫通型フィルタの接続と実装のポイント」の概要を説明する。3端子貫通型フィルタを電源ラインに接続する2つの方法と、それぞれの用途を解説する。
福田昭のデバイス通信（453） 2022年度版実装技術ロードマップ（77）：
今回から、第4章第1節第3項「4.1.3 部品実装・設計時の注意点」の2番目の項目、「4.1.3.2 電気性能」の概要を説明する。
福田昭のデバイス通信（452） 2022年度版実装技術ロードマップ（76）：
後編となる今回は、「チップ抵抗器の温度上昇と基板放熱の関係」と、「基板放熱に適した新たな温度基準と取組み」の概要を紹介する。
福田昭のデバイス通信（451） 2022年度版実装技術ロードマップ（75）：
今回から、第4章第1節第3項「部品実装・設計時の注意点」の概要を説明していく。この項は、「熱設計」「電気性能」などの4つのパートで構成される。
福田昭のデバイス通信（450） 2022年度版実装技術ロードマップ（74）：
後編となる今回は、「セラミックコンデンサの高容量化・低ESR化、薄型化」や「チップ抵抗器の高電力化」について解説する。
福田昭のデバイス通信（449） 2022年度版実装技術ロードマップ（73）：
前回に続き、第4章「電子部品」の概要を説明する。「4.1.2 技術動向」は、「インダクタのインダクタンス値の拡大」など、3つの項目で構成される。
福田昭のデバイス通信（448） 2022年度版実装技術ロードマップ（72）：
JEITA「2022年度版 実装技術ロードマップ」を解説するシリーズ。今回から、第4章「電子部品」の概要を説明していく。
福田昭のデバイス通信（447） 2022年度版実装技術ロードマップ（71）：
今回は第3章第4節第8項（3.4.8）「パッケージ基板」の概要を説明する。パッケージ基板の変遷と、パッケージ基板に対する要求仕様のロードマップを解説する。
福田昭のデバイス通信（446） 2022年度版実装技術ロードマップ（70）：
JEITA「2022年度版 実装技術ロードマップ」の「パッケージ組立プロセス技術動向」について解説するシリーズ。今回は第3章第4節第6項（3.4.6）「電磁シールド」の概要を説明する。
福田昭のデバイス通信（445） 2022年度版実装技術ロードマップ（69）：
今回は第3章第4節第5項（3.4.5）「樹脂封止技術（アンダーフィル、モールディング）」の概要を説明する。
福田昭のデバイス通信（444） 2022年度版実装技術ロードマップ（68）：
今回は、第3章第4節第4項（3.4.4）「ダイボンディングおよび電極ボンディング技術」の概要を説明する。
福田昭のストレージ通信（259）：
今回は、米Western Digitalの2024会計年度第2四半期（2023年10月〜12月期）の業績を報告する。
福田昭のストレージ通信（258）：
米Seagate Technologyの2024会計年度第2四半期（2023年10月〜12月期）の業績を報告する。
福田昭のデバイス通信（443） 2022年度版実装技術ロードマップ（67）：
今回は第3章第4節第3項（3.4.3）「ウエハ（チップ）薄型化技術とウエハハンドリング」の概要を説明する。第3項は、裏面研磨技術、ウエハーダイシング技術、DBG（Dicing Before Grinding）プロセスの3つで構成される。
福田昭のデバイス通信（442） 2022年度版実装技術ロードマップ（66）：
今回から、第3章第4節（3.4）「パッケージ組立プロセス技術動向」の内容を紹介する。本稿では、ハイブリッドボンディングを解説する。
福田昭のデバイス通信（441） 2022年度版実装技術ロードマップ（65）：
今回は、第3章第3節第10項（3.3.10）「その他の表面実装パッケージ」の概要を説明する。
福田昭のデバイス通信（440） 2022年度版実装技術ロードマップ（64）：
後編となる今回は、誘電体材料パターニング方法とAiP（Antenna in Package）の概要を紹介する。
福田昭のデバイス通信（439） 2022年度版実装技術ロードマップ（63）：
今回は第3章第3節第5項（3.3.5）「RFデバイスのパッケージ構造と高速・高周波向け配線材料」の概要を紹介する。
福田昭のデバイス通信（438） 2022年度版実装技術ロードマップ（62）：
今回は、第3章第3節第4項「車載パワーデバイス」から、「パワーデバイスの発展」を解説する。
福田昭のデバイス通信（437） 2022年度版実装技術ロードマップ（61）：
今回は、FO-WLP（Fan Out-Wafer Level Package）のロードマップと、FO-PLP（Fan Out-Panel Level Package）の一種ともみなせる部品内蔵基板について解説する。
福田昭のデバイス通信（436） 2022年度版実装技術ロードマップ（60）：
今回は初期の「FO-WLP」で生じた信頼性の問題と、問題を解決した組み立てプロセス、再配線層（RDL）を微細化したプロセスを解説する。
福田昭のデバイス通信（435） 2022年度版実装技術ロードマップ（59）：
引き続き、各種パッケージ技術の動向を紹介する第3章第3節を取り上げる。今回から「3.3.2.2 FO-WLP、FO-PLP、部品内蔵基板」の概要を紹介する。
福田昭のデバイス通信（434） 2022年度版実装技術ロードマップ（58）：
今回は第3章第3節第2項（3.3.2）「ウェハレベルパッケージ（WLP）、パネルレベルパッケージ（PLP）、部品内蔵基板」の概要をご説明する。
福田昭のデバイス通信（433） 2022年度版実装技術ロードマップ（57）：
前回に続き、第3章「電子デバイスパッケージ」の概要を説明する。今回から、第3章第3節（3.3）「各種パッケージ技術動向」の概要を報告する。
福田昭のデバイス通信（432） 2022年度版実装技術ロードマップ（56）：
今回からは、「2022年度版 実装技術ロードマップ」の第3章「電子デバイスパッケージ」の概要説明に入る。
福田昭のデバイス通信（431） 2022年度版実装技術ロードマップ（55）：
今回は、「パワーデバイスにおける接合材料の現状と課題」の概要を紹介する。