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馬本隆綱

馬本隆綱がアイティメディアで執筆した記事一覧です。

磁気メモリのデータ安定性を改善:

東京科学大学らの研究グループは、ペロブスカイト型酸化物鉄酸ビスマスのビスマス(Bi)と鉄(Fe)を異種元素に置換することで、「強磁性」と「強誘電性」を併せ持ちながら、温度上昇で収縮する「負の熱膨張」を示す材料を開発した。消費電力が小さく高速アクセスが可能な磁気メモリの開発につながるとみている。

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モニタリングシステムを共同開発:

村田製作所とRUTILEAは、エッジAIカメラとAIソリューションを組み合わせ、製造現場の人手作業を可視化するモニタリングシステムを共同開発し、提供を始めた。工場における作業手順や作業工数の管理を、より高度化することができる。

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光学システムの小型・長寿命を実現:

ヌヴォトン テクノロジーは、直径が5.6mmのCANパッケージ(TO-56)を採用しながら、波長402nm帯で光出力1.7Wを実現した紫色半導体レーザー「KLC435FS01WW」を開発、2026年3月より量産を始める。独自のチップ設計と放熱設計技術により、小型で高出力、長寿命を実現した。

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イオン版ペルチェ効果を実証:

大阪大学らによる国際共同研究チームは、半導体デバイスの熱問題を解決するための新たな冷却技術を開発した。開発したナノデバイスは、電界効果でイオンの流れを制御でき、「冷却」と「加熱」の機能を同じデバイスで切り替えられる。

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生産設備と物流倉庫をハイブリッド:

東京エレクトロンは、開発/製造子会社の東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(岩手県奥州市)に建設していた「東北生産・物流センター」が完成、竣工式を行った。生産・物流現場の柔軟性や効率性を高め、拡大する市場や多様化する技術ニーズへの対応力を強化する。

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半導体材料事業に経営資源を投入:

住友化学は、台湾の半導体用プロセスケミカル企業「Asia Union Erectronic Chemical Corporation(AUECC)」の全株式を取得することで合意した。関係当局の承認などの必要手続きを経て、買収が完了する。

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EUV用やNILレジストなど:

富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ(FFEM)の静岡工場内に建設していた新棟が竣工し、稼働を始めた。次世代半導体向け新規材料の開発/評価を行う。重点事業と位置付ける半導体材料事業において新規材料の開発を加速するとともに、高品質な製品の安定供給を実現していく。

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鉄道向け:

三菱電機は、鉄道向け長距離LiDARを開発した。鉄道車両の運転席に搭載すれば、600m先にいる人を検知できる。鉄道沿線に定点設置すれば、600m先にある20cm程度の落下物を検知することができるという。

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鉄道車両向け:

東芝は、リチウムイオン二次電池「SCiB」セルを用いた「鉄道車両向けハイパワーバッテリーモジュール」を新たに開発した。従来に比べ約3倍という高出力で充放電が行えるため、回生エネルギーを効率よく蓄電し、有効に活用することが可能となる。

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層構造を忠実に反映して解析:

東レリサーチセンター(TRC)は、京都大学化学研究所の若宮淳志教授と連携し、ペロブスカイト太陽電池の層構造を忠実に反映して解析できる技術を開発し、この技術を用いて「受託分析サービス」を始めると発表した。

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Neoverse全体がNVLink Fusionに対応:

Armは、NVIDIAとの協力関係を拡大していく。NVIDIAの高速インターコネクト技術「NVLink Fusion」への対応を、ArmのITインフラストラクチャ向けプラットフォーム「Arm Neoverse」全体に拡大する。これにより、AIデータセンターにおいてArmプラットフォームの採用を一段と加速させる。

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多層プリント基板の開発期間短縮へ:

OKIサーキットテクノロジー(OTC)は、AIデータセンター向け装置などに用いられる多層プリント基板の開発期間を短縮できる「高周波ビア高精度シミュレーション技術」を開発した。伝送速度が1.6Tビット/秒クラスの多層プリント基板におけるビア特性を最適化でき、適切な信号特性を実現できる。

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imecとの共同研究:

太陽ホールディングス(太陽HD)は、imecとの共同研究で、次世代半導体パッケージング用材料「FPIMシリーズ」を用い、直径12インチ(300mm)のウエハー上でCD(クリティカルディメンション)1.6μmの3層RDL(再配線層)を形成することに成功した。この成果を「14th IEEE CPMT Symposium Japan(ICSJ2025)」で発表した。

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imecが650V超のGaN破壊電圧達成:

信越化学工業は、300mm GaN専用の成長基板である「QST基板」を用い、imecが5μm厚のGaN HEMT構造を作製し、650Vを超える高耐圧を達成した。「SEMI規格に準拠した300mm基板としては世界最高の破壊電圧」(同社)だという。

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ミクロンサイズの銅粉を活用:

サトーは、ミクロンサイズの銅粉を用いたペーストと製造プロセスを開発し、RF IDアンテナを印刷方式で作製することに成功した。アルミや銀を用いる従来方式に比べ、高い導電性や品質の安定性を実現しつつ、製造コストの削減を可能にした。

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データ転送速度は9600MT/秒に:

ルネサス エレクトロニクスは、サーバ用DDR5レジスタードDIMM(RDIMM)に向けて、9600Mトランスファー/秒というデータ転送速度を実現したレジスタードクロックドライバー(RCD)IC「RRG5006x」を開発した。一部ユーザーに対してサンプル出荷を始めていて、2027年上半期より量産を始める。

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導電率は液体電解質と同等レベル:

東京都立大学と鳥取大学の研究グループは、全固体電池に向けた固体電解質材料開発において、高い導電性と安定性を両立させるための新たな原理を解明した。この原理は、リチウム系に限らず他のイオン種にも応用できるという。

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年産1トン以上の量産体制も確立:

日本材料技研は、負熱膨張材料「BNFO」について、年産1トン以上の量産体制を確立するとともに、高耐熱グレード品「BNFO-HT」を開発した。精密樹脂成型部品や導電性ペースト、接着剤など、高温プロセスを伴う産業用途への適用が可能となる。

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耐プラズマ性や高温耐性などに注目:

矢野経済研究所によると、半導体製造装置向けファインセラミックス部材の世界市場は、2030年に1.6兆円を突破する見通しである。今後は、耐プラズマ性や高温耐性、高熱伝導性などに優れたファインセラミックスを用いた部材の需要拡大が見込まれるという。

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新たな膜分離プロセスを確立:

東北大学は、使用済みリチウムイオン電池(LIB)の浸出液から、リチウムを効率よく回収できる新たな「膜分離プロセス」を確立した。こうして得られた透過液を濃縮・再結晶化したところ、化学薬品を使わずに純度99%以上の電池級炭酸リチウムを得ることに成功した。

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約5mmの大きさを実現:

Patentixは、FZ法(浮遊帯域溶解法)を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。

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PFOSを無害化:

立命館大学は、ペルフルオロアルキル化合物(PFAS)の中でも分解が難しいとされてきた「ペルフルオロオクタンスルホン酸(PFOS)」を分解し無害化することに成功した。生成したフッ化イオンは、ホタル石(フッ化カルシウム)として再利用が可能だという。

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先進プロセスへの投資拡大が後押し:

SEMIによると、2025年第3四半期(7〜9月)の世界シリコンウエハー出荷面積は前年同期に比べ3.1%増加し、33億1300万平方インチになった。2025年第2四半期に比べると0.4%減少した。

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国内装置メーカー3社との共同研究がベース:

産業技術総合研究所(産総研)先端半導体研究センターは、国内半導体製造装置メーカー3社と共同研究した成果に基づき、GAA構造のトランジスタを、300mmシリコンウエハー上に試作し、技術の検証などを行うことができる国内唯一の「共用パイロットライン」を構築した。

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MnO2の析出/溶解反応を利用:

山口大学や大阪大学、立命館大学、ファインセラミックセンター(JFCC)らによる共同研究グループは、弱酸性水溶液中における二酸化マンガン(MnO2)の析出/溶解反応を利用し、2電子移動によって可逆的に動作する「水系亜鉛−マンガン二次電池」を開発した。

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革新的な次世代の材料開発を加速:

JSRとIBMは2025年11月、AIを活用して半導体材料の開発を強化するため、共同研究契約を結んだ。両社は化学産業に特化したAIの共同研究プログラムをスタートさせる。

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待機時電力は不揮発メモリ並みに:

東京科学大学の菅原聡准教授らによる研究グループは、0.2Vという極めて低い電圧でデータを保持できるCMOSメモリ技術を開発した。試作したSRAMマクロは、待機時の電力を不揮発性メモリ並みに削減できるという。

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高いテスト効率と拡張性を実現:

アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe(Make Test easy)」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査/評価を、高い効率で行うことができる。

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最新予測手法に比べ10万倍も高速に:

大阪大学は、小型エッジデバイスに搭載し、その内部でリアルタイム学習と予測機能を実現できる「エッジデバイスAI」を開発した。最新の深層学習による予測手法と比べ、最大で10万倍も高速化でき、精度は60%も向上させた。消費電力は1.69W以下である。

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25年の市場見込みは2869億円:

矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場(メーカー出荷金額ベース)は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車(BEV)や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。

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2025年はプラス成長で需要回復:

SEMIは2025年10月28日(米国時間)、2025年のシリコンウエハー世界出荷面積見込みが、前年比5.4%増とプラスに転じ、128億2400万平方インチとなると発表した。その後もAI関連製品の旺盛な需要に支えられて安定成長を続け、2028年には154億8500万平方インチになり、過去最高記録を更新する見通しだ。

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新技術で近赤外光を可視光に変換:

早稲田大学と桐蔭横浜大学の研究グループは2025年10月、近赤外光を有効活用できる「アップコンバージョン型ペロブスカイト太陽電池」を開発した。1.2Vに近い開放電圧を維持しながら赤外光感度を得ることに成功し、16%以上のエネルギー変換効率を達成した。

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内部反応を高解像度で可視化:

東北大学らを中心とした共同研究グループは、全固体リチウム硫黄電池(SSLSB)の正極内部における充放電反応を高い空間分解能で可視化する手法を確立した。この手法を用い、SSLSBにおいて高速充放電とサイクル安定性を阻害している要因を突き止めた。この手法はさまざまな電池系の電極設計に適用できるという。

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高い柔軟性と発電性能を両立:

早稲田大学の研究グループは、薄いフィルム基板に切り込みを入れて立体化する「ポップアップ切り紙構造」を考案、これを用いて熱電発電デバイス(TEG)を開発した。高いフレキシブル性能と発電性能を備えた熱電発電デバイスを実現できる。

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量子デバイスなどへの応用に期待:

理化学研究所(理研)や東京大学らの共同研究グループは、反強磁性体でありながらp波スピン分裂が現れる「金属p波磁性体」の存在を初めて実証した。今回の成果は、反強磁性体を用いたスピントロニクスや量子デバイスへの応用が期待できるという。

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4系統の電源を1パッケージに集約:

日清紡マイクロデバイスは、車載カメラモジュールに向けた4チャンネル複合電源IC「NP8700」シリーズを発売した。4つのレギュレーターを1パッケージに集約していて、周辺部品の削減や実装基板の省スペース化を可能にした。

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電極の材料や配合など大幅に見直し:

マクセルは、最大150℃という高温下で充放電が可能なセラミックパッケージ型全固体電池「PSB401010T」を開発、2025年11月上旬からサンプル出荷を始める。同社は既に放電時の作動温度として125℃まで対応した製品を量産中だが、新製品は作動上限温度をさらに高めた。

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