馬本隆綱

ロームとTata Electronics（タタ・エレクトロニクス）は、半導体事業において戦略的パートナーシップを締結した。インド市場において半導体デバイスの製造や販売チャンネルなどの機能を融合することで、半導体産業における日印関係をさらに強化していく。

東レは、次世代半導体パッケージに用いられるガラスコア基板の加工に適した「ネガ型感光性ポリイミドシート」を開発した。再配線のための微細加工と貫通ビア電極（TGV）の樹脂充填を同時に実現でき、加工工程の短縮とコスト削減が可能になる。

FDKは、SMD小型酸化物系全固体電池「SoLiCell」として定電圧充電対応モデル「SCD4532K」を新たに開発、サンプル品の出荷を始めた。小型IoTデバイスやウェアラブル機器などに加え、RTCのバックアップ電源、エネルギーハーベストによる充電といった用途に向ける。

古河電気工業は、信号光源用の高出力DFBレーザーダイオードチップの生産能力を増強する。岩手やタイの工場に380億円を投資し、製造設備を導入。2028年にはDFBレーザーダイオードチップの生産能力が2025年度に比べ5倍以上に増える。

サムコは、原子層レベルのエッチング制御を可能にした原子層エッチング（ALE）装置を開発し、販売を始めた。窒化ガリウム（GaN）系デバイスなどにおいて、加工時のダメージを低減できる。

大阪公立大学の研究チームは、新しい原理の超伝導検出器を開発し、4億画素の撮像に成功した。高画素化に伴ういくつかの課題を解決し、従来の1000倍という画素数を実現した。

TOPPANは、石川工場（石川県能美市）に次世代半導体パッケージの研究開発を行うパイロットラインを導入する。稼働は2026年7月の予定だ。有機RDLインターポーザ−などの研究開発と、量産化に必要な技術の検証を行う。

大日本印刷（DNP）は、久喜工場（埼玉県久喜市）内に新設した「TGV（ガラス貫通電極）ガラスコア基板」のパイロットラインを2025年12月から順次稼働させる。量産のための検証を行い、2026年初頭にはサンプル品を出荷する予定だ。

自動車用先端SoC技術研究組合（ASRA）は、ベルギーのimecと戦略的連携に合意した。合意に基づき2026年半ばまでには、自動車向けチップレットのアーキテクチャについて共通仕様を共同で策定し、その内容を公開する予定だ。

京都大学と京セラは、排熱をAIの計算資源に変換して利活用する「リザバーコンピューティング」技術の実証に成功したと発表した。この技術を活用すれば、「排熱のムダ」と「AI計算のエネルギーロス」という課題を解決できる可能性があるという。

ディスコが、最大400mm角のパッケージを切断できるフルオートダイシングソー「DFD6080」を開発した。2026年下期から販売を始める。

東京エレクトロン（TEL）が、極端紫外線（EUV）や深紫外線（DUV）を用いた露光プロセスに対応できる300mmウエハー塗布／現像装置「CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE」を発売する。

SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。

SCREENセミコンダクターソリューションズは、先端半導体パッケージの製造工程に向け、解像度が1μm以下の直接描画露光装置「DW-3100」を開発、販売を始めた。

SDKI Analyticsによれば、世界の有機EL（OLED）市場は、2025年見込みの約657億米ドルに対し、2035年までには2371億米ドルを超える見通しだ。

ニコンは、半導体露光装置と組み合わせることで、3D構造を採用した先端半導体デバイスの歩留まり向上が可能となるアライメントステーション「Litho Booster 1000」を開発中で、2026年後半にも発売すると発表した。

オンセミは、新たな冷却パッケージ技術を採用した「EliteSiC MOSFET」を発売した。電気自動車（EV）用充電器や太陽光発電システム用インバーター、産業用電源などの用途に向ける。

名古屋大学は東京科学大学や南洋理工大学と共同で、人工反強磁性体と圧電体を組み合わせれば、電界のみで層間反強磁性結合を制御できることを実証した。非磁性体の膜厚を変えれば、層間磁気結合の電界変調効率を制御可能なことも明らかにした。消費電力が極めて少ないスピントロニクスデバイスへの応用が期待できるという。

大日本印刷（DNP）は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ−（NIL）用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。

佐賀大学と宇宙航空研究開発機構（JAXA）および、ダイヤモンドセミコンダクターは、ダイヤモンドを用いてマイクロ波帯域（3〜30GHz）やミリ波帯域（30〜300GHz）で増幅動作が可能な「高周波半導体デバイス」を開発した。オフ時の耐電圧は4266Vで、電力利得の遮断周波数は120GHzだ。これらの値はいずれも世界最高レベルだという。

京都大学とKDDI総合研究所は公立千歳科学技術大学と共同で、宇宙光通信に向けた「周波数変調型フォトニック結晶レーザー」の開発に成功した。小型／軽量で高効率な衛星搭載型光送信機を実現することが可能になる。

大同特殊鋼は、発光窓の直径が35μmで125℃という高温環境で動作する赤外点光源LED「MED8P76A」を開発し、2025年12月からサンプル品の受注を始めた。

村田製作所は、外形寸法が3.2×2.5mmの3225Mサイズで、静電容量が最大15nFの積層セラミックコンデンサーを開発、量産を始めた。定格電圧は1.25kVで、温度が変化しても容量変化がほとんどないC0G特性に対応している。

キオクシアは2025年12月、椿本チエインやEAGLYSと共同で、物流工程における作業効率を改善し、コスト削減が可能となるAIソシューションを開発した。新商品などが追加されてもAI再学習のための新たな作業が不要である。

名古屋工業大学の研究グループはスペイン・バレンシア大学と共同で、超原子価硫黄フッ化物「ペンタフルオロスルファニル（SF5）基」および、「テトラフルオロスルファニル（SF4）基」を導入したベンゼン誘導体に、可視光（青色LED）を照射するだけで分子骨格を再構築できる「骨格編集反応」を開発した。PFASフリーのフッ素分子を設計するための基盤技術となる。【訂正あり】

リガクは、次世代メモリやAIチップなどの先端半導体製造ラインにおいて、ウエハーの膜厚や組成を高い精度で計測できるインラインX線膜厚／密度モニター「XTRAIA MF-3400」を開発、販売を始めた。同社にとって第4世代となる新製品は、従来機に比べ測定能力が最大2倍となった。

アンリツは、大容量光通信に用いられるマルチコア光ファイバーの伝送品質を評価するためのマルチチャネルファイバーテスター「MT9100A」を「業界で初めて」（同社）開発し、国内市場で販売を始めた。

東京科学大学らの研究グループは、ペロブスカイト型酸化物鉄酸ビスマスのビスマス（Bi）と鉄（Fe）を異種元素に置換することで、「強磁性」と「強誘電性」を併せ持ちながら、温度上昇で収縮する「負の熱膨張」を示す材料を開発した。消費電力が小さく高速アクセスが可能な磁気メモリの開発につながるとみている。

村田製作所とRUTILEAは、エッジAIカメラとAIソリューションを組み合わせ、製造現場の人手作業を可視化するモニタリングシステムを共同開発し、提供を始めた。工場における作業手順や作業工数の管理を、より高度化することができる。

ヌヴォトン テクノロジーは、直径が5.6mmのCANパッケージ（TO-56）を採用しながら、波長402nm帯で光出力1.7Wを実現した紫色半導体レーザー「KLC435FS01WW」を開発、2026年3月より量産を始める。独自のチップ設計と放熱設計技術により、小型で高出力、長寿命を実現した。

大阪大学らによる国際共同研究チームは、半導体デバイスの熱問題を解決するための新たな冷却技術を開発した。開発したナノデバイスは、電界効果でイオンの流れを制御でき、「冷却」と「加熱」の機能を同じデバイスで切り替えられる。

東京エレクトロンは、開発／製造子会社の東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ（岩手県奥州市）に建設していた「東北生産・物流センター」が完成、竣工式を行った。生産・物流現場の柔軟性や効率性を高め、拡大する市場や多様化する技術ニーズへの対応力を強化する。

住友化学は、台湾の半導体用プロセスケミカル企業「Asia Union Erectronic Chemical Corporation（AUECC）」の全株式を取得することで合意した。関係当局の承認などの必要手続きを経て、買収が完了する。

富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（FFEM）の静岡工場内に建設していた新棟が竣工し、稼働を始めた。次世代半導体向け新規材料の開発／評価を行う。重点事業と位置付ける半導体材料事業において新規材料の開発を加速するとともに、高品質な製品の安定供給を実現していく。

静岡大学と分子科学研究所は、実験で観測できない「隠れた反応経路」を再現／予測できるアルゴリズムを開発した。AIによって導かれた「潜在変数」が、化学反応の本質的理解や有機分子材料の設計に役立つことを示した。

STマイクロエレクトロニクスは、STM32マイコン向けに最適化された学習済みAIモデルライブラリ「STM32 AI Model Zoo」に新たなモデルを追加した。併せてプロジェクトサポートも強化する。

三菱電機は、鉄道向け長距離LiDARを開発した。鉄道車両の運転席に搭載すれば、600m先にいる人を検知できる。鉄道沿線に定点設置すれば、600m先にある20cm程度の落下物を検知することができるという。

サンケン電気は、外付けマイコンが不要な高圧3相モーター用ドライバーIC「SIM262xM」シリーズとして、定格電圧600V、定格電流5.0Aの「SIM2622M」を開発し量産を始めた。定格電流が2.5Aの「SIM2621M」も開発中である。

東京科学大学の研究グループは、昼夜を問わず自動的に複数のIoT端末に電力を供給できる「LED光無線給電（OWPT）システム」を開発した。

東芝は、リチウムイオン二次電池「SCiB」セルを用いた「鉄道車両向けハイパワーバッテリーモジュール」を新たに開発した。従来に比べ約3倍という高出力で充放電が行えるため、回生エネルギーを効率よく蓄電し、有効に活用することが可能となる。

東レリサーチセンター（TRC）は、京都大学化学研究所の若宮淳志教授と連携し、ペロブスカイト太陽電池の層構造を忠実に反映して解析できる技術を開発し、この技術を用いて「受託分析サービス」を始めると発表した。

Armは、NVIDIAとの協力関係を拡大していく。NVIDIAの高速インターコネクト技術「NVLink Fusion」への対応を、ArmのITインフラストラクチャ向けプラットフォーム「Arm Neoverse」全体に拡大する。これにより、AIデータセンターにおいてArmプラットフォームの採用を一段と加速させる。

スタンレー電気は、京都大学の野田研究室および、日亜化学工業と共同開発したフォトニック結晶レーザー「PCSEL」を用い、高指向性ビームの生成に成功した。さらに、水中での高精度センシングが可能なことを実証した。

OKIサーキットテクノロジー（OTC）は、AIデータセンター向け装置などに用いられる多層プリント基板の開発期間を短縮できる「高周波ビア高精度シミュレーション技術」を開発した。伝送速度が1.6Tビット/秒クラスの多層プリント基板におけるビア特性を最適化でき、適切な信号特性を実現できる。

GSアライアンスは、負極にアルミニウム、電解質に水系電解液を用いたアルミニウムイオン二次電池を開発した。水系電解液を用いたことで安全かつ環境にも優しく、コストダウンが可能となる。

日本ガイシは、チップレット集積工程で半導体チップを一時的に固定するための支持材となる「ハイセラムキャリア」について、2027年度までに生産能力を約3倍に増強する。

太陽ホールディングス（太陽HD）は、imecとの共同研究で、次世代半導体パッケージング用材料「FPIMシリーズ」を用い、直径12インチ（300mm）のウエハー上でCD（クリティカルディメンション）1.6μmの3層RDL（再配線層）を形成することに成功した。この成果を「14th IEEE CPMT Symposium Japan（ICSJ2025）」で発表した。

信越化学工業は、300mm GaN専用の成長基板である「QST基板」を用い、imecが5μm厚のGaN HEMT構造を作製し、650Vを超える高耐圧を達成した。「SEMI規格に準拠した300mm基板としては世界最高の破壊電圧」（同社）だという。

サトーは、ミクロンサイズの銅粉を用いたペーストと製造プロセスを開発し、RF IDアンテナを印刷方式で作製することに成功した。アルミや銀を用いる従来方式に比べ、高い導電性や品質の安定性を実現しつつ、製造コストの削減を可能にした。

ルネサス エレクトロニクスは、サーバ用DDR5レジスタードDIMM（RDIMM）に向けて、9600Mトランスファー/秒というデータ転送速度を実現したレジスタードクロックドライバー（RCD）IC「RRG5006x」を開発した。一部ユーザーに対してサンプル出荷を始めていて、2027年上半期より量産を始める。