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馬本隆綱

馬本隆綱がアイティメディアで執筆した記事一覧です。

プラズモニックポーラロンを発見:

岡山大学と名古屋大学、京都大学、広島大学および、高エネルギー加速器研究機構(KEK)らの研究グループは、高い熱電性能を示す半金属「Ta2PdSe6」において、電子が集団的電荷振動と結合した新しい準粒子状態「プラズモニックポーラロン」を初めて直接観測することに成功した。

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ミクロン銅粉を用いる新技術:

サトーと桜井グラフィックシステムズは、ミクロンサイズの銅粉を導電性ペーストに活用し、印刷方式でRF IDアンテナや電子回路を製造するために業務提携した。従来のように導電材料として銀ペーストや銅ナノ粒子を用いないため、材料コストや環境負荷を低減できるという。

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容量と耐久性を両立する電極に向け:

ファインセラミックスセンター(JFCC)と早稲田大学らの研究グループは、全固体リチウム電池の材料となる二次元材料「MXene(マキシン)」について、充放電動作中に生じる電池反応をその場で観察することに成功した。研究成果を基に、構造と表面官能基を制御すれば、容量と耐久性を両立させたMXene電極を開発できるという。

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2029年に本格量産へ:

ノベルクリスタルテクノロジーは、次世代パワー半導体に向けて直径150mm(6インチ)酸化ガリウム(β-Ga2O3)ウエハーのサンプル出荷を始める。2027年には150mm β-Ga2O3エピウエハーのサンプル出荷を開始し、2029年の本格量産を目指す。

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中国系メーカーがシェアを拡大:

富士経済はxEV向け駆動用電池市場を調査し2040年の世界市場予測を発表した。これによると、2025年見込みの19兆8758億円に対し、2040年は47兆751億円規模に達する見通しである。市場拡大をけん引するのは液系リチウムイオン二次電池(液系LiB)である。

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デンカ子会社が開発:

デンカエラストリューションは、リチウムイオンバッテリー(LiB)向けの「セル間断熱材」を開発した。デンカが開発した断熱・延焼防止材「ProfyGuard」とクッション性材料を組み合わせた製品で、熱暴走の連鎖を抑えられる。

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強みの技術を融合し新規材料開発へ:

JX金属は2026年2月25日開催の取締役会で、株式交換により東邦チタニウムを完全子会社化することを決めた。既存領域における事業の強化やサプライチェーンの安定化、新たな材料開発による新規事業の拡大などが経営統合の狙い。

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オンデバイスAI機能の進化に対応:

キオクシアは2026年2月、次世代モバイル機器に向けた組み込み式フラッシュストレージの標準規格「UFS 5.0」に対応した評価用フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を始めると発表した。まずは512Gバイト品の出荷を始め、3月以降には1Tバイト品の出荷も開始する。

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よりクリーンな半導体製造を支援:

東京応化工業(TOK)は2026年2月、EUVリソグラフィ向けフォトレジスト材料の開発を加速するため、イギリスIrresistible Materialsに対し戦略的投資を行うとともに、共同開発を行うことで提携した。

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時刻同期誤差は平均122ナノ秒:

村田製作所とソフトバンク、CC-Link協会(CLPA)は、高精度な時刻同期を可能にするTime-Sensitive Networking(TSN)を5G(第5世代移動通信)ネットワーク上で実現する「TSN over 5G」の接続実証に成功した。通信事業者が接続実証に成功したのは「世界で初めて」という。

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Si量子コンピュータを大規模に:

日立製作所は、ノイズが多い環境でも量子ビットを安定動作できる制御技術を東京科学大学と共同開発した。シリコンを用いた量子ビットにマイクロ波を連続照射し、その位相を制御することで実現した。

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ケイデンスが開発:

ケイデンスは、シリコン半導体チップの設計/検証作業を自動化できるエージェント型AI「Cadence ChipStack AI Super Agent」を発表した。RTL設計やテストベンチのコーディング、テストプラン作成といった一連の作業を自動化することによって、生産性をこれまでより最大10倍も向上できるという。

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スポーク型IPMモーター駆動に特化:

サンケン電気は、正弦波駆動方式の白物家電向け高圧3相モーター用ドライバー「SX6814xMシリーズ」として、エアコンのファンモーター駆動などに適した「SX68144M」と「SX68145M」の量産を始めた。スポーク型IPM(埋め込み磁石型)モーターの音鳴りを抑制できる。

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26年4月から本格受注:

リンテックは、半導体ウエハーの裏面研磨工程における厚みのばらつきを改善する「樹脂塗布プロセス(PCBLプロセス)」を開発するとともに、樹脂を塗布するための装置「RAD-3400F/12」について、2026年4月から本格受注を始める。

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先進の無線HW/SW開発に注力:

エリクソンは、横浜・みなとみらい21地区に「新R&Dセンター」を開設する。同センターではグローバルおよび、日本市場向けの先進的な無線ハードウェア/ソフトウェアの開発に注力する。

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チップレット構成でASIL-Dに対応:

ルネサス エレクトロニクスは、車載向けSoCにおいて高いAI処理性能を実現しつつ、チップレット構成でも機能安全規格に対応できる技術を開発した。これらの技術は3nmプロセス採用の車載マルチドメインECU用SoC「R-Car X5H」のために開発したものだ。同社はR-Car X5Hを、SDV(Software Defined Vehicle)時代に対応する車載用SoCとして提案していく。

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スタンレー電気と東京大が共同で:

スタンレー電気と東京大学は共同で、植物栽培用の人工光源に赤色レーザーダイオード(LD)を用いれば、従来の発光ダイオード(LED)よりも、高い成長促進効果が得られることを「世界で初めて」(両者)実証した。

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台湾企業と提携:

オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。

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新型SiCモジュールの導入を支援:

ロームは、新型SiCモジュールを搭載した「3相インバーター回路向けレファレンスデザイン」を自社のウェブサイト上に公開した。設計者はこの設計データを用いて駆動回路用基板を作製し、SiCモジュールと組み合わせることで、実機による評価工数を削減することが可能となる。

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柔軟で確実な供給体制の確保へ:

ルネサス エレクトロニクスは、米国における半導体製造を加速させるため、GlobalFoundries(GF)と数十億米ドル規模の製造パートナーシップを結び、戦略的協業を拡大する。

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NanoXplore製:

STマイクロエレクトロニクスとNanoXploreは、NanoXplore製の耐放射線SoC FPGA「NG-ULTRA」が、欧州の宇宙用途向け規格「ESCC 9030」の認定を取得したと発表した。今後、IRIS2を含め多くの衛星用機器システムに搭載される見通しである。

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トランジスタを原子スケールで改良:

アプライド マテリアルズ(AMAT)は、2nm以降のGAAトランジスタを集積するAIチップの性能を、さらに向上させることができる半導体製造装置3種類を発表した。既に複数の大手ファウンドリーやロジックICメーカーが新製品を導入し、活用しているという。

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拡大する光通信などに対応:

JX金属は、光通信の受発光素子などに用いられる「インジウムリン(InP)基板」を増産するため、新たに約200億円を追加投資し、磯原工場(茨城県北茨城市)の生産能力を増強する。2030年にはInP基板の生産能力が2025年に比べ約3倍に増える。

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25年は出荷量が増加、販売額は減少:

SEMIは、SEMI Silicon Manufacturers Group(SMG)による分析結果を基に2025年のシリコンウエハー世界市場を発表した。シリコンウエハーの出荷量(面積)は前年比で5.8%増の129億7300万平方インチとなったが、販売額は同1.2%減の114億米ドルだった。先端半導体とレガシー半導体でその動向は大きく分かれた。

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従来材料比で感度は約11倍:

京都工芸繊維大学と中央大学は、産業技術総合研究所(産総研)の協力を得て、半導体カーボンナノチューブ(CNT)を用い、冷却しなくても動作する「高感度赤外線センサー」を開発した。従来の材料を用いた場合に比べ検出感度は約11倍も高いという。

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位相ジッタ30フェムト秒:

京セラは、位相ジッタが30フェムト秒という低ノイズを実現した差動クロック用水晶発振器「Xシリーズ」を開発、量産を始めた。位相ジッタが極めて小さいため、AIサーバなど高速かつ大容量のデータ通信を行う用途に向ける。

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東京化成工業が一般販売:

東京化成工業は、産業技術総合研究所(産総研)とAIST Solutionsが開発したペロブスカイト太陽電池向け材料「OA-TFSI」を製品化し、一般販売を始めた。ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送材料の原料溶液に添加すれば、太陽電池の性能を向上できる。

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性能と耐久性を大幅向上:

山梨大学、早稲田大学および信州大学の研究グループは、固体高分子形燃料電池(PEFC)の性能と耐久性を大きく向上させる「プロトン導電性電解質膜」を開発した。この高分子複合膜にはフッ素が含まれておらず、PFAS規制の影響も受けないという。

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粒径100〜200nmの銅粒子を創製:

三菱マテリアルは、自動車や鉄道車両などに搭載される高出力パワーモジュール用の「焼結型銅接合材料」を開発した。「銅ペースト」と「銅シート」の2タイプから選べる。従来の銀焼結材料に匹敵する低温焼結性を実現した。

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モビリティ用デバイス開発:

産業技術総合研究所(産総研)およびAIST Solutionsは、本田技研工業の研究開発子会社である本田技術研究所と連携し、モビリティ用ダイヤモンドパワー半導体やこれを応用した電子デバイスの開発拠点を産総研内に設立した。

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350億円投じ:

村田製作所の生産子会社である福井村田製作所(福井県越前市)において2023年11月から建設を進めてきた「セラミックコンデンサー研究開発センター」が完成し、2026年2月5日に竣工式を行った。同センターは2026年3月30日に開業の予定だ。

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公共インフラなどで電子事業を強化:

スタンレー電気は、岩崎電気の全株式を取得し2026年4月1日をもって連結子会社にする。これを機にスタンレー電気は、公共インフラや産業分野といった新たな領域で電子事業を強化していく。

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従来の常識に反する振る舞いを観測:

早稲田大学の研究グループは、AlN薄膜をYbNと合金化することによって、AlNの結晶構造を保持したまま、熱伝導率をガラスに近い値まで低減できることを見出した。電子デバイスや化学反応炉における断熱材料などへの応用に期待する。

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ダイヤモンドウエハー実用化に向け:

堀場製作所のグループ会社であるホリバ・インドは、人工ダイヤモンドの研究開発を手掛けるインドのスタートアップ「Pristine Deeptech」の全株式を取得し、子会社化した。これを機にインドを、ダイヤモンドウエハーを含む先端材料の実用化と普及に向けた分析/計測ソリューションの研究開発拠点と位置づける。

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2026〜2028年度の3年間で:

イビデンは、AIサーバなどに向けた高機能ICパッケージ基板の生産能力を増強する。関連する事業場に対し、2026〜2028年度の3年間で総額約5000億円規模の設備投資を計画している。

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IOWNを活用:

キヤノンとNTT東日本は、新たな映像体験の創出に向けて協業する。高速で大容量、低遅延の通信を可能にする商用サービス「All-Photonics Connect powered by IOWN」を活用した、フレキシブルな「ボリュメトリックビデオシステム」の構築に向けて、技術検証を始めた。

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1200℃の高温接合で熱反りが減少:

産業技術総合研究所(産総研)とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド/シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。

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電気の流れ方自体も制御が可能に:

東京科学大学の平松秀典教授らによる研究チームは、光らないスピネル型結晶を、「効率よく光が出せる結晶」に変えることができる半導体材料を発見した。この材料は、電気の流れを制御することが可能なことも確認した。

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従来品に比べ消費電力を10%削減:

NECは、5G基地局無線機(RU)に向けたSub 6GHz帯域用パワーアンプモジュール(PAM)を開発した。従来の一般的なPAMに比べて消費電力を10%削減した。外形寸法も10×6mmと小さい。

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5年間の包括的共同研究契約を締結:

OKIは、ドイツの研究機関「Fraunhofer Heinrich Hertz Institute(Fraunhofer HHI)」と、5年間の包括的共同研究契約を結んだ。光センシングや光通通信分野に向けて、超小型で高性能、省電力の各種センサーや通信モジュールなどを共同開発し、2027年以降にも商用化していく。

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チップ当たり数百量子ビットを制御:

大阪大学は、光回路によるスケーラブルなレーザー光配送構成を考案した。これによって、1チップ当たり数百量子ビットを扱えるイオントラップ量子コンピュータの実現可能性を示した、としている。レーザー光源の改良などが進めば、考案した光回路で数千量子ビットを制御できるとみている。

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DNTT薄膜に3つの異なる結晶相:

京都大学はグラーツ工科大学と共同で、有機半導体薄膜の構造を分子レベルで解明することに成功した。特に今回は、これまで曖昧であった単分子膜相の構造を、薄膜相と区別して直接識別できたという。

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加速度センサーなどを長寿命に:

三菱電機と京都大学は共同で、高配向性熱分解グラファイト(HOPG)に対する疲労試験の方法を確立するとともに、HOPGの自己復元特性を初めて確認した。HOPGを素材とするMEMSの長寿命化を実現するとともに、MEMSを搭載するスマートフォンや車載システムの信頼性向上が可能となる。

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界面抵抗を低減する設計手法を開発:

熊本大学の研究グループは、固体電解質に酸化グラフェンを用いた燃料電池で、最大出力密度を0.7Wcm-2まで高めることに成功した。酸化グラフェン膜と電極との界面抵抗を大きく減少させることによって高い性能を実現した。

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FIBを用い3次元デバイスを作製:

理化学研究所(理研)は、磁性体の単結晶から直接、ナノスケールの「らせん型デバイス」を削り出す技術を開発したと発表。作製した立体構造は、電流が一方向のみに流れやすいダイオード的な挙動を示した。

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大容量のニアラインHDD開発へ:

東芝は物質・材料研究機構(NIMS)と共同で、磁気ヘッド内のスピントルク発振素子(STO)について、発振状態を直接評価できる手法を開発した。ニアラインHDDのさらなる大容量化を可能にする「共鳴型マイクロ波アシスト磁気記録(MAS-MAMR)」技術の実用化に弾みをつける。

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発光と発電効率のトレードオフ克服:

千葉大学やNHK放送技術研究所、京都大学らの共同研究チームは、1つの素子で「太陽光発電」と「発光」という2つの機能を備えた「発電できる有機EL素子」を開発した。

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2つの成膜メカニズムを解明:

物質・材料研究機構(NIMS)や東京大学らの研究グループは、MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン(MoS2)」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。

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