ダブルパルステスターで高精度なデバイスモデルを: SiC登場で不可避な電源回路シミュレーション、成功のカギは「正確な実測」 SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーションを実施する必要性が高まっている。しかし、「実測値とシミュレーション結果が合わない」というケースが頻発している。なぜ、シミュレーションがうまく行かないのか。その理由と解決策を紹介してきたい。 (2019年9月11日)
ダブルパルステスターで高精度なデバイスモデルを: SiC登場で不可避な電源回路シミュレーション、成功のカギは「正確な実測」 SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーションを実施する必要性が高まっている。しかし、「実測値とシミュレーション結果が合わない」というケースが頻発している。なぜ、シミュレーションがうまく行かないのか。その理由と解決策を紹介してきたい。 (2019年9月11日)